相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是決定待機(jī)功耗最重要的一環(huán)。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。

氮化鎵快充芯片U8765主要特性：

&集成高壓 E-GaN

&集成高壓啟動(dòng)功能

&超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

&谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

&集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

&驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

&集成 Boost 供電電路

&集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù) (OVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

過流保護(hù) (SOCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

&封裝類型 ESOP-10W

氮化鎵快充芯片U8765的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8765集成逐周期過流保護(hù)功能，在每個(gè)功率開關(guān)開通周期中，當(dāng)電流達(dá)到OCP閾值VCS_MAX (典型值 -650mV/-600mV)時(shí)，功率開關(guān)立刻關(guān)閉。

氮化鎵快充芯片U8765管腳定義：

1 HV P 高壓啟動(dòng)管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

因?yàn)榇蟛糠值挠秒娫O(shè)備都長期工作在待機(jī)狀態(tài)，所以電源除了效率以外，空載或者待機(jī)功耗也變得越來越重要了。這不僅因?yàn)楦鞣N各樣的能效標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行，也確實(shí)很符合實(shí)際應(yīng)用的需求。深圳銀聯(lián)寶科技新推出多款低功耗、低成本氮化鎵快充芯片，集成有完備的保護(hù)功能，是快速充電器和適配器電源好幫手！