來源：集邦化合物半導(dǎo)體

近日，安世半導(dǎo)體宣布與德國汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。

根據(jù)合作條款，安世半導(dǎo)體將開發(fā)、制造和供應(yīng)由KOSTAL設(shè)計和驗證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車（EV）、車載充電器（OBC）的頂部散熱（TSC）QDPAK封裝的碳化硅（SiC）MOSFET器件。

據(jù)悉，安世半導(dǎo)體為聞泰科技子公司，其產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET、氮化鎵（GaN） E-mode和D-mode器件，以及成熟的硅基產(chǎn)品組合。

值的一提的是，除了上述合作外，安世半導(dǎo)體此前就在德國有所布局——今年6月，安世半導(dǎo)體宣布，計劃投資2億美元（約14億人民幣）開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

為了滿足對高效功率半導(dǎo)體日益增長的長期需求，從今年6月開始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產(chǎn)。同月，安世半導(dǎo)體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個里程碑將是建設(shè)碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計在未來兩年內(nèi)在德國漢堡工廠建成。

【近期會議】

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審核編輯 黃宇