三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專(zhuān)注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
近日，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專(zhuān)注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星電子將以租賃方式獲得三星顯示的一座大樓，并計(jì)劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。
此次擴(kuò)建工廠的背景是，三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，對(duì)高性能內(nèi)存有著迫切需求，而三星的定制化HBM4內(nèi)存正好滿(mǎn)足了這一需求。
中國(guó)銀河證券研報(bào)指出，隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，AI終端應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器的需求正在快速提升。同時(shí)，由于產(chǎn)能擴(kuò)充速度不及需求提升速度，DRAM市場(chǎng)供需格局緊張，這為HBM等高性能存儲(chǔ)器提供了廣闊的發(fā)展空間。
三星電子此次擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，不僅是對(duì)市場(chǎng)需求的積極響應(yīng)，也是其持續(xù)深耕高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要舉措。未來(lái)，隨著HBM等高性能存儲(chǔ)器的廣泛應(yīng)用，三星電子有望在這一領(lǐng)域取得更加顯著的成績(jī)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27286瀏覽量
218071 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
126文章
7873瀏覽量
142893 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3019瀏覽量
74003 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1521瀏覽量
31207
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
三星蘇州先進(jìn)封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)
，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。 業(yè)內(nèi)人士消息稱(chēng)三星電子今年第三
三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)
三星擴(kuò)建HBM生產(chǎn)設(shè)施，預(yù)計(jì)2027年完工
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策，計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國(guó)忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施，以提高高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星
三星電子積極探討在越南設(shè)立半導(dǎo)體組裝工廠的可能性
據(jù)韓國(guó)政府方面的最新消息透露，三星電子的越南分公司正積極探討在越南設(shè)立半導(dǎo)體組裝工廠的可能性，盡管具體的選址尚未塵埃落定，但有線(xiàn)索指向富士康投資活躍的北江地區(qū)附近，這一區(qū)域因其得天獨(dú)厚的地理位置而備受矚目。
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證
三星芯片復(fù)興之路：半導(dǎo)體業(yè)務(wù)飆升與HBM挑戰(zhàn)并存
在科技行業(yè)的浩瀚星空中，三星電子無(wú)疑是一顆璀璨的星辰。近期，這家科技巨頭憑借其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的顯著改善，實(shí)現(xiàn)了利潤(rùn)的飆升，再次向世人展示了其強(qiáng)大的市場(chǎng)影響力和技術(shù)實(shí)力。然而，在光鮮亮麗的背后，三星電子也面臨著不小的挑戰(zhàn)，尤其是在高帶
三星電子重組架構(gòu)，加速HBM技術(shù)創(chuàng)新
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子已正式啟動(dòng)了組織重組計(jì)劃，旨在通過(guò)整合與優(yōu)化資源，構(gòu)建一個(gè)全新的高帶寬內(nèi)存
三星將于今年內(nèi)推出3D HBM芯片封裝服務(wù)
近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是
英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過(guò)測(cè)試
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM
三星或?qū)⒃诘轮?b class='flag-5'>半導(dǎo)體投資增至440億美元
據(jù)悉，此番加大投資具重要意義，主要是三星正在當(dāng)?shù)?b class='flag-5'>擴(kuò)建芯片和封裝工廠，特別是在已經(jīng)建成的泰勒市附近。此外，據(jù)早前消息稱(chēng)，美國(guó)政府可能會(huì)提供超過(guò)60億美元的款項(xiàng)以支持三星推進(jìn)上述計(jì)劃。
英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存，計(jì)劃采購(gòu)
提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買(mǎi)HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱(chēng)其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)
受困于良率？三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
傳三星/SK海力士已開(kāi)始訂購(gòu)DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論