圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖,圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過DNW 隔離襯底(P-sub),如果沒有DNW的隔離,這個(gè)PW 方塊電阻會(huì)與 P-sub短路。
圖5-36所示為PW方塊電阻的電路連接圖。PW方塊電阻是三端器件,它的三個(gè)端口分別是電阻的兩端和襯底(DNW),它們分別連到 PAD_P1、PAD_P2 和 PAD_B,WAT測(cè)試機(jī)器通過這三個(gè)端口把電壓激勵(lì)信號(hào)加載在電阻的兩端和襯底,從而測(cè)得所需的電性特性參數(shù)數(shù)據(jù)。
PW方塊電阻的 WAT參數(shù)是Rs_PW。
圖5-37所示為測(cè)量Rs_PW 的示意圖。測(cè)量PW 方塊電阻 Rs_PW 的基本原理是在電阻的一端和襯底加載電壓 DC電壓1V,另一端接地,從而測(cè)得電流Ip,Rs_PW =(1/Ip)/(L/W),W和L分別是PW 方塊電阻的寬度和長(zhǎng)度。
影響方塊電阻 Rs_PW的因素包括以下兩方面:
1) PW 離子注入異常;
2) 離子注入損傷在退火過程中沒有激活。
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原文標(biāo)題:PW方塊電阻的測(cè)試條件-----《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用》 溫德通 編著
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