CMOS工藝平臺(tái)的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物Poly 方塊電阻、P型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、n 型非金屬硅化物 Poly 方塊電阻和p型非金屬硅化物Poly 方塊電阻。

根據(jù)測(cè)試結(jié)構(gòu)形狀的不同，Poly方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)有兩種：第一種是狗骨頭狀的測(cè)試結(jié)構(gòu)，它的測(cè)試結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度受到PAD與PAD之間的距離限制，通常最大的長(zhǎng)度是100μm；第二種是蛇形的測(cè)試結(jié)構(gòu)，它的測(cè)試結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度可以有效利用PAD與PAD之間的面積，最大的長(zhǎng)度可達(dá)幾千微米。

圖5-38 和圖5-39所示為第一種測(cè)試結(jié)構(gòu)的 Poly 方塊電阻的版圖，圖5-40所示為它們的剖面圖。Poly方塊電阻的版圖是狗骨頭狀的，兩端引線的面積很大，很大的面積可以容納更多的接觸孔，從而減小接觸電阻，達(dá)到忽略接觸電阻對(duì)Poly方塊電阻的影響的目的，那么測(cè)得的電阻值就是Poly的方塊電阻。雖然 Poly 方塊電阻是設(shè)計(jì)在STI上的，并且它與襯底 Psub是完全隔離的，但是為了更好的隔離襯底的噪音，通常會(huì)把 Poly 方塊電阻設(shè)計(jì)在NW里。

圖5-42~5-45 所示為第二種測(cè)試結(jié)構(gòu)的 Poly 方塊電阻的版圖。Poly 方塊電阻的版圖是蛇形的。蛇形的測(cè)試結(jié)構(gòu)可以增大方塊電阻的個(gè)數(shù)，平均化的方塊電阻，可以有效地減小兩端接觸電阻的影響。利用蛇形設(shè)計(jì)的測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試結(jié)果會(huì)比用狗骨頭狀設(shè)計(jì)的測(cè)試結(jié)構(gòu)更準(zhǔn)確。蛇形的Poly 方塊電阻也是設(shè)計(jì)在NW里。

圖5-41所示為Poly 方塊電阻的電路連接圖。Poly 方塊電阻是三端器件，它的三個(gè)端口分別是電阻的兩端和襯底（NW），它們分別連到PAD_P1、PAD_P2 和PAD_B。WAT 測(cè)試機(jī)器通過電阻兩端的端口把電壓激勵(lì)信號(hào)加載在電阻的兩端，從而測(cè)得所需的電性特性參數(shù)數(shù)據(jù)。襯底的偏置電壓對(duì) Poly的方塊電阻沒有影響，所以測(cè)試時(shí)襯底是懸空的。

Poly方塊電阻的WAT參數(shù)包括Rs_NPoly（n 型金屬硅化物Poly方塊電阻），Rs_PPoly（p型金屬硅化物 Poly 方塊電阻），Rs_NPoly_SAB（n 型非金屬硅化物 Poly 方塊電阻）和Rs_PPoly_SAB（p 型非金屬硅化物 Poly方塊電阻）。

圖5-46所示為測(cè)量 Poly方塊電阻的示意圖。測(cè)量這四種 Poly方塊電阻的基本原理都是一樣的，在電阻的一端加載DC電壓1V， 另一端接地，從而測(cè)得電流Ip，Poly方塊電阻=（1/Ip） （L/W），W和L分別是Poly 方塊電阻的寬度和長(zhǎng)度。

影響 Poly 方塊電阻的因素包括以下3方面：

1） n+和p＋離子注入異常；

2） Poly 刻蝕尺寸異常；

3）硅金屬化（Salicide）相關(guān)工藝異常。