作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業(yè)革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)，進一步推動了GaN市場快速增長。

目前，英飛凌全新一代的氮化鎵產品CoolGaN G3和CoolGaN G5系列震撼來襲！采用英飛凌自主研發(fā)的高性能200mm晶圓工藝制造，將氮化鎵的應用范圍擴大到40V至700V！快一起來看看吧！

圖1.CoolGaN G3系列晶體管和CoolGaN G5系列晶體管

CoolGaN G3中壓晶體管

CoolGaN G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費應用。

CoolGaN G5高壓晶體管

CoolGaN G5系列基于GIT(Gate Injection Transistor，柵注入晶體管)技術推出新一代650V晶體管，以及基于G5的IPS驅動產品，適用于消費、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領域的應用。

產品特性

CoolGaN BDS 650V和850V：采用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統(tǒng)晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益并大幅節(jié)約成本

CoolGaN BDS 40V：基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設計進行了優(yōu)化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背MOSFET

相比背對背硅FET，使用40V GaN BDS的優(yōu)點包括節(jié)省50%-75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本

目標應用和市場涵蓋移動設備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等

2kV的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現(xiàn)峰值電流控制和過流保護

電流檢測響應時間約為200ns，小于等于普通控制器的消隱時間

具有極高的兼容性

目標應用和市場涵蓋消費電子設備的充電器和適配器

圖2.CoolGaN BDS和CoolGaN Smart Sense

新產品供貨期現(xiàn)已公布

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與英飛凌一起，再次推動了氮化鎵革命！