本文介紹了銅互連雙大馬士革工藝的步驟。

如上圖，是雙大馬士革工藝的一種流程圖。雙大馬士革所用的介質(zhì)層，阻擋層材質(zhì)，以及制作方法略有差別，本文以圖中的方法為例。

（A） 通孔的形成 在介質(zhì)層（如SiCOH）上沉積光刻膠（Resist），并使用光刻工藝做出掩模圖形。通過干法刻蝕手段，得到通孔。

（B）制作溝槽所需的圖形 完成通孔的刻蝕后，通常會去除原來的光刻膠。旋涂抗反射層，并將通孔填滿，之后會再次涂布光刻膠，做出開槽所需的光刻膠圖形。

（C） 開溝槽 干法刻蝕除去多余的抗反射層，介質(zhì)層等，并去除晶圓表面光刻膠。

（D） 沉積種子層 在刻蝕好的溝槽和通孔內(nèi)，使用PVD或CVD沉積Cu種子層和阻擋層。Cu種子層用于電鍍的導電材料。阻擋層主要是Ta或TaN，用于防止銅擴散。

（E） 電鍍銅 使用電鍍工藝，將銅填充到通孔和溝槽中。銅完全填滿后，表面會有過量的銅。使用CMP工藝去除多余的銅和種子層，只保留通孔和溝槽中的銅。

(F)cmp拋光 cmp拋光后，在表面覆蓋阻擋層。