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      三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

      fFU3_vrtuoluo ? 來源：YXQ ? 2019-03-24 11:36 ? 次閱讀

      三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。

      第三代10nm級工藝即1z nm（在內(nèi)存制造中，用x/y/z指代際，工藝區(qū)間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術(shù)，單芯片容量8Gb(1GB)。

      三星表示，1z nm是業(yè)內(nèi)目前最頂尖的工藝，生產(chǎn)效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長的市場需求。

      量產(chǎn)時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標(biāo)領(lǐng)域是下一代企業(yè)級服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。

      三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的產(chǎn)能，同時上述先進(jìn)技術(shù)還將應(yīng)用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。

      不過，就在昨天（3月20日），三星電子聯(lián)席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由于智能機(jī)市場增長乏力，數(shù)據(jù)中心公司削減投資，公司的存儲芯片等零部件業(yè)務(wù)預(yù)計將面臨艱難一年。

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      原文標(biāo)題：推無限會員服務(wù)，開發(fā)者分成提至80%，VIVEPORT的兩手抓戰(zhàn)略

      文章出處：【微信號：vrtuoluo，微信公眾號：VR陀螺】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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