3D QLC顆粒的出現(xiàn)，使得固態(tài)硬盤消除了容量劣勢(shì)，但傳輸性能、PE值缺點(diǎn)也暴露出來(lái)。若將傲騰與3D QLC結(jié)合，則可為基于3D QLC顆粒的固態(tài)硬盤加點(diǎn)“血”。

QLC固態(tài)硬盤容量高但勁不足

固態(tài)硬盤一直被詬病的一點(diǎn)便是容量。我們都知道，當(dāng)前處于數(shù)據(jù)洪流時(shí)代，企業(yè)對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)的需求也隨之增加。為了滿足用戶對(duì)固態(tài)硬盤容量的渴求，全球幾大半導(dǎo)體廠商紛紛研發(fā)新一代固態(tài)顆粒技術(shù)，3D QLC由于出現(xiàn)。

相比第三代TLC閃存顆粒，QLC顆粒每單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)數(shù)提升到4個(gè)，電壓狀態(tài)提升至0000到1111共計(jì)16種變化。

得益于這一特性，基于QLC顆粒的固態(tài)硬盤容量輕松實(shí)現(xiàn)了8TB，如鎂光5210 ION系列、英特爾DC P4500系列。其中英特爾更是發(fā)布了基于QLC顆粒的16TB固態(tài)硬盤、32TB固態(tài)硬盤，但目前暫未上市。

QLC顆粒消除了固態(tài)硬盤的容量劣勢(shì)，但也減弱了固態(tài)硬盤一直以來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)。

從SLC到QLC，閃存顆粒均是通過(guò)內(nèi)部絕緣層完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要施加電壓并形成電場(chǎng)，這樣電子便可以通過(guò)絕緣層進(jìn)入到存儲(chǔ)單元，完成寫入，而從SLC到QLC，隨著電壓狀態(tài)的成倍遞增，數(shù)據(jù)在顆粒中的訪問(wèn)時(shí)間也隨著增長(zhǎng)，進(jìn)而降低SSD的讀寫性能和壽命。

以普通SATA接口基于QLC顆粒的固態(tài)硬盤為例，其隨機(jī)讀寫速度稍遜TLC顆粒的固態(tài)硬盤硬盤，但持續(xù)寫入速度僅為100MB/s，MTTF無(wú)故障間隔時(shí)間也從300萬(wàn)小時(shí)降至200萬(wàn)小時(shí)，PE值更是從3000次掉到1000次。

傲騰容量是劣勢(shì)但有勁

固態(tài)硬盤向高容量進(jìn)化的同時(shí)，存儲(chǔ)廠商也積極研發(fā)著新科技以革新內(nèi)存與存儲(chǔ)體系，其中，英特爾傲騰持久內(nèi)存便是一個(gè)例子。

相比常規(guī)內(nèi)存，英特爾傲騰內(nèi)存的亮點(diǎn)便是持久性，即斷電數(shù)據(jù)依然不會(huì)丟失；相比常規(guī)NAND固態(tài)硬盤，英特爾傲騰內(nèi)存的亮點(diǎn)在于高達(dá)240000 IOPS、65000 IOPS的隨機(jī)讀寫性能及20-30微秒的延遲，這些均得益于英特爾與鎂光攜手打造的3D XPOINT新型存儲(chǔ)介質(zhì)。

打造性能容量兼?zhèn)涞墓虘B(tài)盤

QLC顆粒的固態(tài)硬盤有容量但性能不佳，消費(fèi)級(jí)傲騰有性能但容量最高提供32GB。

既然如此，何不將QLC NAND與3D XPOINT兩種存儲(chǔ)介質(zhì)放在一起，打造出混合介質(zhì)固態(tài)盤。

該混盤一方面可以提供高速的讀寫性能，另一方面也可發(fā)揮出QLC顆粒的容量及成本優(yōu)勢(shì)，可謂一具兩得。

而這樣的方案，目前已并非假設(shè)，英特爾在今年初便發(fā)布了這樣一款突破性產(chǎn)品傲騰H10，據(jù)官方測(cè)試，傲騰H10固態(tài)盤相比獨(dú)立的基于TLC顆粒的固態(tài)硬盤，在多方面也有了顯著提升。

如在多任務(wù)處理狀態(tài)下，文檔打開(kāi)速度提高2倍，媒體文件打開(kāi)速度提高90%，游戲啟動(dòng)速度提高60%。

但遺憾的是，目前該產(chǎn)品提供的最高容量?jī)H為32GB傲騰+1TB QLC，在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上這個(gè)容量已經(jīng)相當(dāng)完美，但在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)上，容量尚且還需提升。

結(jié)語(yǔ)

傲騰加QLC顆粒的組合是大膽創(chuàng)新，既具備性能又具備容量?jī)?yōu)勢(shì)，如果價(jià)格也可以的話，或許成為存儲(chǔ)市場(chǎng)的一匹黑馬。