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安森美

文章:640 被閱讀:143.4w 粉絲數(shù):90 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):34

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如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性?

電動(dòng)汽車 (EV) 市場的快速增長推動(dòng)了對下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體....
的頭像 安森美 發(fā)表于 04-07 10:31 ?711次閱讀

安森美打造高效能服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵要點(diǎn) 確保服務(wù)器穩(wěn)定供電

隨著近幾年云計(jì)算、大數(shù)據(jù)技術(shù)的爆發(fā)式演進(jìn),服務(wù)器作為支撐數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的基石設(shè)施,其部署規(guī)模正以前所未....
的頭像 安森美 發(fā)表于 04-03 09:37 ?695次閱讀
安森美打造高效能服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵要點(diǎn) 確保服務(wù)器穩(wěn)定供電

安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮

實(shí)際上,近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配....
的頭像 安森美 發(fā)表于 04-01 09:45 ?688次閱讀
安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-28 10:01 ?1356次閱讀
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1608次閱讀
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美推出了一款全新M3S 1200V EliteSiC功率集成模塊

作為提高效率和優(yōu)化熱管理的理想解決方案,SiC技術(shù)在應(yīng)用端需求的刺激下快速迭代。
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-22 16:22 ?535次閱讀

安森美全新推出的EliteSiC功率集成模塊,可破解電動(dòng)汽車充電難題

安森美(onsemi)全新推出的EliteSiC功率集成模塊,可為電動(dòng)汽車直流超快速充電樁提供雙向充....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-21 09:59 ?1050次閱讀

安森美推出一款基于PLECS的具有獨(dú)特功能的領(lǐng)先在線仿真工具

Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨(dú)特功能的領(lǐng)先在....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-20 09:58 ?663次閱讀

汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下的SmartFET應(yīng)用

汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向,而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-19 10:41 ?857次閱讀
汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下的SmartFET應(yīng)用

適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的智能功率模塊設(shè)計(jì)實(shí)用指南

本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設(shè)計(jì)提供實(shí)用指南,該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-17 17:03 ?1589次閱讀
適用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的智能功率模塊設(shè)計(jì)實(shí)用指南

安森美調(diào)整事業(yè)部結(jié)構(gòu)以擴(kuò)大產(chǎn)品組合并加速增長

安森美(onsemi)(納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布成立模擬與混合信號事業(yè)部(AMG),并由新任命的....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-13 16:09 ?422次閱讀

基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器即將大規(guī)?!吧宪嚒?/a>

在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動(dòng)化的滾滾浪潮中,一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動(dòng)汽車整體市場競爭力....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-13 09:44 ?1618次閱讀
基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器即將大規(guī)模“上車”

柵極環(huán)路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析

IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-12 10:06 ?1058次閱讀
柵極環(huán)路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-08 10:11 ?1802次閱讀
一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

關(guān)于LLC諧振半橋變換器的失效模式解析

在功率轉(zhuǎn)換市場中,尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用,不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-06 10:09 ?3790次閱讀
關(guān)于LLC諧振半橋變換器的失效模式解析

設(shè)計(jì)直流超快充電樁方案必知的幾種常見拓?fù)?/a>

充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評估購買電動(dòng)汽車的一個(gè)主要考慮因素,為了縮短充電時(shí)間,業(yè)界正在轉(zhuǎn)向直流快速充電....
的頭像 安森美 發(fā)表于 03-05 09:53 ?3639次閱讀
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淺析直流超快充電樁方案設(shè)計(jì)必知的常見拓?fù)?/a>

充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評估購買電動(dòng)汽車的一個(gè)主要考慮因素,為了縮短充電時(shí)間,業(yè)界正在轉(zhuǎn)向直流快速充電....
的頭像 安森美 發(fā)表于 02-29 10:37 ?1594次閱讀

安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新....
的頭像 安森美 發(fā)表于 02-27 11:38 ?809次閱讀

功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極....
的頭像 安森美 發(fā)表于 02-23 09:38 ?986次閱讀
功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

設(shè)計(jì)高輸出功率預(yù)調(diào)節(jié)器時(shí)使用散熱片的效果

自動(dòng)駕駛是所有汽車OEM在這個(gè)時(shí)代面臨的新一波重要趨勢,車輛內(nèi)的電子控制單元(ECU)數(shù)量急劇增加。....
的頭像 安森美 發(fā)表于 02-22 09:15 ?568次閱讀
設(shè)計(jì)高輸出功率預(yù)調(diào)節(jié)器時(shí)使用散熱片的效果

安森美汽車圖像傳感器發(fā)展趨勢

一切始于18年前我開始研究用于后視攝像頭(RVC)的一種首款汽車CMOS圖像傳感器。在當(dāng)時(shí),配備RV....
的頭像 安森美 發(fā)表于 02-21 09:17 ?648次閱讀
安森美汽車圖像傳感器發(fā)展趨勢

“把脈”汽車產(chǎn)業(yè) 安森美2024年戰(zhàn)略規(guī)劃與布局

在過去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的....
的頭像 安森美 發(fā)表于 02-20 16:06 ?1053次閱讀

直流充電樁(DCFC)原理剖析

充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評估購買電動(dòng)汽車 (EV)的一個(gè)主要考慮因素。為了縮短充電時(shí)間,業(yè)界正轉(zhuǎn)向采用....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-26 09:35 ?3756次閱讀
直流充電樁(DCFC)原理剖析

如何確保IGBT的產(chǎn)品可靠性

在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場,公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-25 10:21 ?1611次閱讀
如何確保IGBT的產(chǎn)品可靠性

LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在ACDC開關(guān)電源設(shè)計(jì)過程中,當(dāng)需要實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)需求時(shí),工程師往往會(huì)考慮LLC諧振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。L....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-24 10:15 ?1590次閱讀
LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

圖像傳感器的選購要點(diǎn)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,機(jī)器視覺在智能交通系統(tǒng) (ITS)中扮演著越來越重要的角色。無論是自動(dòng)車牌識(shí)別、....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-20 17:11 ?850次閱讀

IGBT的可靠性測試方案

在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場,公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-17 09:56 ?1434次閱讀
IGBT的可靠性測試方案

安森美2023年在工業(yè)領(lǐng)域的成就

前不久,我們分享了安森美(onsemi)2023年度精選汽車方案。在2023年,安森美還發(fā)布了多項(xiàng)全....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-12 09:39 ?733次閱讀

安森美和理想汽車?yán)m(xù)簽長期供貨協(xié)議

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代碼:ON),宣布和豪華智能電....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-09 11:08 ?659次閱讀

安森美推出九款全新EliteSiC功率集成模塊(PIM)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出九款全新E....
的頭像 安森美 發(fā)表于 01-08 11:35 ?873次閱讀
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