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使用高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寬帶超高頻放大器電路圖
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46
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177一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管
在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04205
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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19185
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:372186
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:08669
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23375
375場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工作原理是什么
的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）.電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管
2011-12-19 16:30:31
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635
1635MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:006720
6720場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明
場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 14:08:446615
6615如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類和使用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
2020-07-02 17:19:05
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20場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)單介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2020-07-02 17:18:56103
103FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)
2020-03-23 11:03:187650
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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0924617
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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:319321
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管六大選擇技巧
隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-08-18 10:07:524880
488051單片機(jī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)資料說(shuō)明
晶體管是依靠輸入電流變化來(lái)控制輸出電流的器件，但理想的放大器是不應(yīng)該損耗信號(hào)源的輸出電流的，所以在一個(gè)由晶體管構(gòu)成的放大電路中，因?yàn)橛谢鶚O電流的存在，不可避免地會(huì)對(duì)輸入信號(hào)帶來(lái)?yè)p耗。與晶體管
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3隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹
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有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
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18增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能
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20511場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路的動(dòng)態(tài)分析
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共源組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動(dòng)態(tài)分析
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74場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似
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11575場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管，簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，
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