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結型場效應晶體管和雙極晶體管級聯(lián)視頻放大器電路圖
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場效應晶體管的基礎知識
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46
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絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應用
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:29612
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場效應晶體管分類、結構、測試、工作原理是什么
的，也有增強型的?！ ?b style="color: red">場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。二、場效應三極管的型號命名方法 現(xiàn)行有兩種
2011-12-19 16:30:31
場效應晶體管的工作原理和結構
場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導體器件，它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比，場效應晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:372186
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場效應晶體管的作用
場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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場效應晶體管工作原理
場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數(shù)載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23375
375MOSFET和晶體管的區(qū)別
。與普通的晶體管相比，MOSFET有著更低的輸入電流、更高的輸入阻抗、更大的增益和更小的功耗，廣泛用于數(shù)字電路和模擬電路的放大、開關和控制應用。MOSFET的結構和原理基本上與JFET(結型場效應晶體管)相同，只是控制電場是通過氧化層的電荷，而不是PN結的耗盡區(qū)域，因此稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管。
2023-02-25 16:24:381352
1352場效應晶體管放大電路詳解
場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635
1635場效應晶體管的分類說明
場效應晶體管根據(jù)其結構的不同分類，體管（金屬氧化物半導體型）兩大類。可分為以下5種?？煞譃?b style="color: red">結型場效應晶體管與絕緣柵型場效應晶體管。
2020-09-18 14:08:446615
6615如何進行場效應晶體管的分類和使用
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:05
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20場效應晶體管的簡單介紹
場效應晶體管（FET）簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103
103FET場效應晶體管掃盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:187650
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功率場效應晶體管的工作特性
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-11 10:26:319321
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51單片機的場效應晶體管詳細資料說明
晶體管是依靠輸入電流變化來控制輸出電流的器件，但理想的放大器是不應該損耗信號源的輸出電流的，所以在一個由晶體管構成的放大電路中，因為有基極電流的存在，不可避免地會對輸入信號帶來損耗。與晶體管
2019-06-04 17:53:003
3隧穿場效應晶體管是什么_隧穿場效應晶體管的介紹
隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
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增強型和耗盡型場效應晶體管
總的來說，場效應晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
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20511結型場效應晶體管的霍耳效應的理論分析
本文用標準的松弛方法研究了結型場效應晶體管的霍耳效應。利用準平面拉普拉斯方程及有限差分法計算了不同的霍爾電勢分布與磁靈敏度
2011-09-15 14:53:20107
107場效應晶體管放大電路的動態(tài)分析
場效應晶體管放大電路的動態(tài)分析
共源組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
共漏組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
2010-09-25 16:21:2574
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雙極結型晶體管/絕緣柵場效應晶體管/PN結晶體管習題集:第二章 PN結填空題1、若某硅突變PN結的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613
13場效應晶體管開關電路
場效應晶體管開關電路
場效應晶體管（簡稱場效應管）有結型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應管作為開關器件應用類似
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場效應管,晶體管,場效應管和晶體管的區(qū)別
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場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被廣泛應用于各種電子設備中
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雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
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133絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有
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什么是場效應晶體管
場效應晶體管
場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
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6293功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小
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MOS場效應晶體管使用注意事項:
MOS場效應晶體管使用注意事項: MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下
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工商網(wǎng)監(jiān)
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