科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“
英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳SiC
碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴充，同時將加速SiC
碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現(xiàn)更快、更小、更輕、更強大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
7450 模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
，熱導率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優(yōu)于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應用領(lǐng)域，在5G/數(shù)據(jù)中心等空間受限和節(jié)能領(lǐng)域，低損耗是應用的推動力;在電動汽車領(lǐng)域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明顯優(yōu)勢，可以用來做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費、工業(yè)、汽車、軍工等領(lǐng)域有廣泛應用?！ ?3 碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡析 肖特基二極管：以金屬為陽極，以N
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽w自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達到國際先進水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基本半導體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產(chǎn)品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
用于電機驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機驅(qū)動場合，開發(fā)工程應用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù)中，為了進一步測試功率器件性能，為元器件選型和實驗驗證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
由米勒電容引起的寄生導通效應，常被認為是當今碳化硅MOSFET應用的一大缺陷。為了避免這種效應，在硬開關(guān)變流器的柵極驅(qū)動設(shè)計中，通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
應用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設(shè)計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
）。給出了本設(shè)計主要參數(shù)指標，其中輸出最大電流為35A,輸出電壓范圍在300V-550之間。工作頻率范圍在150KHZ-400KHZ之間。目標最高效率超過98.4%，功率密度達到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應用于碳化硅MOSFET驅(qū)動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設(shè)計緊湊， 通用性強。原作者：基本半導體
2023-02-27 16:03:36
。過去 十年 ，針對 大量 工業(yè)和 汽車應 用售 出了逾 5000 萬個 帶有 不同芯 片組 的EasyPACK 模塊。同時，英飛凌豐富的 CoolSiC 產(chǎn)品組合被廣泛應用于工業(yè)應用領(lǐng)域。隨著
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
供碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢；同時保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺的碳化硅優(yōu)化封裝可實現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3
2022-06-09 19:57:44
CAS120M12BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 20:15:07
CAS300M17BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 20:20:55
CAS300M12BM2是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:00:31
WAB300M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:10:28
WAB400M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:15:19
CAB530M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊
2022-06-10 22:19:56
2017年6月30日，德國慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅（SiC）的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。
2017-07-03 10:13:261770 具體來說，在新能源發(fā)電系統(tǒng)中，采用碳化硅技術(shù)能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 據(jù)外媒報道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上，英飛凌（Infineon）推出了首款車用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:504540 。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。 CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動器板，該板針對額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化。
2019-05-16 09:10:563764 第三代半導體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產(chǎn)，并打入多個應用市場。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上，該公司大中華區(qū)工業(yè)功率控制事業(yè)部副總裁于代輝和工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:216460 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48990 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 與業(yè)內(nèi)人士交流互動產(chǎn)品和應用技術(shù)。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術(shù)發(fā)展論壇，敬請蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502748 基本半導體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
新一代碳化硅模塊采用增強型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發(fā)型號為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 09:47:191258 在高端應用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 材料。電流密度很容易達到5甚至10 A/mm2，而SiC的放電電壓一般在100 V/μm的范圍內(nèi)，而硅則為10 V/μm。碳化硅的特性使其成為用于生物醫(yī)學材料、高溫半導體器件、同步加速器光學元件以及輕質(zhì)、高強度結(jié)構(gòu)的理想材料。 碳化硅組件的制造工藝（
2022-08-08 08:09:591331 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領(lǐng)域主導企業(yè)，均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計劃投資擴大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981 、電源供應器等高功率應用領(lǐng)域。碳化硅應用涵蓋了新基建涉及的絕大部分領(lǐng)域，這給國內(nèi)以基本半導體為代表的碳化硅企業(yè)帶來巨大利好。
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅主要有四大應用:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟。
2023-02-09 18:09:113370 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應商的產(chǎn)品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:45
2 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領(lǐng)域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領(lǐng)域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術(shù)指標上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05843 
和沉淀，幫助新材料在新應用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設(shè)施以及各類電源應用以外，還會
2023-05-19 10:27:03592 
隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應用領(lǐng)域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49854 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353 11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產(chǎn)品獎，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力
2023-12-21 08:14:09304 在當今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293 
）與全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01240 英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。經(jīng)過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產(chǎn)能預訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:33334 碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132 
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