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碳化硅技術(shù)標準_碳化硅工藝

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碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
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創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

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嘉和半導體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

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淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

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2018-01-03 09:48:4819904

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2018-12-06 16:08:00138136

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,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點,碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實現(xiàn)快速充電,增加續(xù)航;這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:092602

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅二極管的應用

技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313

淺談碳化硅的應用

遷移率和體積小等特點,因此碳化硅能夠應用于許多領(lǐng)域。 在儲能領(lǐng)域,碳化硅的應用已經(jīng)非常非常多了。 在經(jīng)典的儲能系統(tǒng)中包含了電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電機以及把能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器,碳化硅技術(shù)在這種配置
2023-02-12 15:12:32933

電機碳化硅技術(shù)的作用與特點

  電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等,來提高電機的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004554

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

晶圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現(xiàn)在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅與工業(yè)應用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775

6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容:6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:17:33617

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049044

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361188

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅和氮化鎵哪個好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51741

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅在溫度傳感器中的應用

碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅特色工藝模塊簡介

材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此,在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14293

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