前道

一制絨工藝

制絨目的

1.消除表面硅片有機(jī)物和金屬雜質(zhì)。

2.去處硅片表面機(jī)械損傷層。

3.在硅片表面形成表面組織，增加太陽(yáng)光的吸收減少反射。

工藝流程

來料，開盒，檢查，裝片，稱重，配液加液，制絨，甩干，制絨后稱重，絨面檢查，流出。

基本原理

1#超聲

去除有機(jī)物和表面機(jī)械損傷層。

目前采用檸檬酸超聲，和雙氧水與氨水混合超聲。

3#4#5#6#制絨

利用NaOH溶液對(duì)單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕的特點(diǎn)來制備絨面。當(dāng)各向異性因子（（100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比）=10時(shí)，可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)?？梢蕴岣邌尉Ч杼?yáng)能電池的短路電流，從而提高太陽(yáng)能電池的光轉(zhuǎn)換效率。

化學(xué)反應(yīng)方程式：Si+2NaOH+H2O=Nasio3+2H2↑

　　影響因素

　　1.溫度

溫度過高，首先就是IPA不好控制，溫度一高，IPA的揮發(fā)很快，氣泡印就會(huì)隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了PN結(jié)的有效面積，反應(yīng)加劇,還會(huì)出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。

可控程度：調(diào)節(jié)機(jī)器的設(shè)置，可以很好的調(diào)節(jié)溫度。

　　2.時(shí)間

金字塔隨時(shí)間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長(zhǎng)；金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。

可控程度：調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)，可以精確的調(diào)節(jié)時(shí)間。

　　3.IPA

1.協(xié)助氫氣的釋放。2.減弱NaOH溶液對(duì)硅片的腐蝕力度，調(diào)節(jié)各向因子。純NaOH溶液在高溫下對(duì)原子排列比較稀疏的100晶面和比較致密的111晶面破壞比較大，各個(gè)晶面被腐蝕而消融，IPA明顯減弱NaOH的腐蝕強(qiáng)度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。乙醇含量過高，堿溶液對(duì)硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于1。

可控程度：根據(jù)首次配液的含量，及每次大約消耗的量，來補(bǔ)充一定量的液體，控制精度不高。

　　4.NaOH

形成金字塔絨面。NaOH濃度越高，金字塔體積越小，反應(yīng)初期，金字塔成核密度近似不受NaOH濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨NaOH濃度變化比較顯著，濃度高的NaOH溶液與硅反映的速度加快，再反應(yīng)一段時(shí)間后，金字塔體積更大。NaOH濃度超過一定界限時(shí)，各向異性因子變小，絨面會(huì)越來越差，類似于拋光。

可控程度：與IPA類似，控制精度不高。

5.Na2SiO3

SI和NaOH反應(yīng)生產(chǎn)的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到緩沖劑的作用，使反應(yīng)不至于很劇烈,變的平緩。Na2SiO3使反應(yīng)有了更多的起點(diǎn)，生長(zhǎng)出的金字塔更均勻，更小一點(diǎn)Na2SiO3多的時(shí)候要及時(shí)的排掉，Na2SiO3導(dǎo)熱性差，會(huì)影響反應(yīng),溶液的粘稠度也增加，容易形成水紋、花藍(lán)印和表面斑點(diǎn)。

可控程度：很難控制。

4#酸洗

HCL去除硅片表面的金屬雜質(zhì)

鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與多種金屬離子形成可溶與水的絡(luò)合物。

6#酸洗

HF去除硅片表面氧化層，SiO2+6HF=H2[siF6]+2H2O。

控制點(diǎn)

　1．減薄量

定義：硅片制絨前后的前后重量差。

控制范圍

單晶125，硅片厚度在200±25微米以上，減薄量在0.5±0.2g；硅片厚度在200±25微米以上，減薄量在0.4±0.2g。

單晶156，首籃減薄量在0.7±0.2g；以后減薄量在0.6±0.2g。

　2．絨面

判斷標(biāo)準(zhǔn)：成核密度高，大小適當(dāng)，均勻。

控制范圍：?jiǎn)尉В航鹱炙叽?~10um。

　　3．外觀

無缺口，斑點(diǎn)，裂紋，切割線，劃痕，凹坑，有無白斑，贓污。

二擴(kuò)散工藝

擴(kuò)散目的

在來料硅片P型硅片的基礎(chǔ)上擴(kuò)散一層N型磷源，形成PN結(jié)。

　擴(kuò)散原理

POCl3在高溫下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反應(yīng)式如下：

5POCl3=3PCl5+P2O5

生成的P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下：

2P2O5+5Si=5SiO2+4P

POCl3熱分解時(shí)，如果沒有外來的氧（O2）參與其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來O2存在的情況下，PCl5會(huì)進(jìn)一步分解成P2O5并放出氯氣（Cl2）其反應(yīng)式如下：

4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2

生成的P2O5又進(jìn)一步與硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使POCl3充分的分解和避免PCl5對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。就這樣POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與硅反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一層磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。

　　擴(kuò)散類型

1.恒定源擴(kuò)散：在穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的條件下，單位時(shí)間內(nèi)通過垂直于擴(kuò)散方向的單位面積的擴(kuò)散質(zhì)量與該截面處的濃度梯度成正比。

2.限定源擴(kuò)散：在再分布過程中，擴(kuò)散是在限定源的條件下進(jìn)有的，整個(gè)擴(kuò)散過程的雜質(zhì)源，限定于擴(kuò)散前積累在硅片表面的無限薄層內(nèi)的雜質(zhì)總量，沒有外來雜質(zhì)補(bǔ)充即在硅片表面處的雜質(zhì)流密度。

車間使用的是兩步擴(kuò)散：預(yù)淀積+擴(kuò)散。預(yù)擴(kuò)散是恒定源擴(kuò)散，主要是使得硅片表面氣體濃度一致，保持整批方塊電阻是均勻性。主擴(kuò)散是限定源擴(kuò)散，并且在主擴(kuò)散后通入大氮?dú)怏w，作為推進(jìn)氣體，加大PN結(jié)深度。

　影響因素

　　1.溫度

溫度T越高，擴(kuò)散系數(shù)D越大，擴(kuò)散速度越快。

　　2.時(shí)間

對(duì)于恒定源：時(shí)間t越長(zhǎng)結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對(duì)于限定源：時(shí)間t越長(zhǎng)結(jié)深越深，表面濃度越小。

　　3.濃度

決定濃度是因素：氮?dú)饬髁?、源溫?/p>

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

　　4.第三組元

主要是摻硼量對(duì)擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強(qiáng)擴(kuò)散機(jī)制。在二元合金中加入第三元素時(shí)，擴(kuò)散系數(shù)也會(huì)發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

　　控制點(diǎn)

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。R=電阻率*L/S,對(duì)方塊硅片，長(zhǎng)度等于寬度，則R=電阻率/厚度，方塊電阻～(１／Ns*Xj)Ns：電化學(xué)濃度，Xj：擴(kuò)散結(jié)深。

　　控制范圍

中心方塊電阻：?jiǎn)尉В?2~48。

同一硅片擴(kuò)散方塊電阻中心值不均勻度：小于等于12%（48）10%（T）。

同一爐擴(kuò)散方塊電阻中心值不均勻度：小于等于25%（48）15%（T）。

　48所擴(kuò)散過程中問題解決方案

　返工處理

方塊電阻不在規(guī)定范圍內(nèi)：1.輕微超出范圍要求重新擴(kuò)散，嚴(yán)重超出要求重新制絨。2.低于范圍要求從新制絨。

氧化發(fā)藍(lán)：去PSG工序，反面擴(kuò)散。

去PSG后，重新制絨：去PSG后，重新制絨。

偏磷酸：去PSG后，重新制絨。

三刻蝕工藝

　刻蝕目的

將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免PN結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。

刻蝕原理

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)，采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣，在那里與硅進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。

化學(xué)公式：CF4+SIO2=SIF4+CO2

工藝流程

預(yù)抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預(yù)抽，主抽，充氣。

　影響因素

　　1.射頻功率

射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會(huì)對(duì)硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)（耗盡層）造成的損傷會(huì)使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。

射頻功率太低：會(huì)使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。

　2.時(shí)間

刻蝕時(shí)間過長(zhǎng)：刻蝕時(shí)間越長(zhǎng)對(duì)電池片的正反面造成損傷影響越大，時(shí)間長(zhǎng)到一定程度損傷不可避免會(huì)延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。

刻蝕時(shí)間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈，PN結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。

　　4.壓力

壓力越大，氣體含量越少，參與反應(yīng)的氣體也越多，刻蝕也越充份。

　注意事項(xiàng)

1.操作人員必須隨時(shí)觀察氣流量、反射功率、反應(yīng)室壓力和輝光顏色的穩(wěn)定性。輝光顏色或功率如有異常，應(yīng)及時(shí)報(bào)告相關(guān)設(shè)備人員。必須抽測(cè)刻蝕效果，如有異常，重新刻蝕，并通知工藝人員。注意，不能將擴(kuò)散面弄混。

2.夾具、環(huán)氧板、刻蝕機(jī)石英罩等要定期清洗，保持刻蝕間的工藝衛(wèi)生，長(zhǎng)時(shí)間停止使用，再次使用之前必須輝光清洗。

　　去磷硅玻璃

擴(kuò)散過程中，POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與Si反應(yīng)生成SiO2和磷原子，這一含有磷原子的二氧化硅層稱之為磷硅玻璃。

　基本原理

利用HF能SiO2反應(yīng)，與其反應(yīng)式為：

SiO2+4HF→SiF4↑+2H2O

但是如果HF過量，則SiF4會(huì)和HF繼續(xù)反應(yīng)，總的反應(yīng)式為：

SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O

　　工藝流程

　　注意事項(xiàng)

　1.插片務(wù)必確認(rèn)擴(kuò)散面的方向。

2.必須對(duì)花籃進(jìn)行隨時(shí)擦拭，更化氫氟酸必須同時(shí)對(duì)槽進(jìn)行徹底清洗。在配制和清洗時(shí)，一定要做好保護(hù)措施。有氫氟酸和硅片接觸的地方，禁止近距離使用照明。硅片在兩個(gè)槽中（懸掛在空中）的停留時(shí)間不得過長(zhǎng)，防止硅片被氧化。

3.烘干或甩干的時(shí)間不能隨便縮短！防止干燥不徹底。當(dāng)硅片從1號(hào)槽氫氟酸中提起時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈。

　　控制點(diǎn)

1.邊緣有效刻蝕寬度小于0.5mm。

2.側(cè)面導(dǎo)電類型為P型。

　返工處理

測(cè)試邊緣為N型：重新刻蝕。

后道

四PECVD

PE目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫成：SiH4+NH3=SiN:H+3H2。

基本原理

PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD方法區(qū)別于其它CVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。

　基本特征

1.薄膜沉積工藝的低溫化（<450℃）。

2.節(jié)省能源，降低成本。

3.提高產(chǎn)能。

4.減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（Roth＆Rau）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā)NH3，而SiH4直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接PECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

影響因素

　1．頻率

射頻PECVD系統(tǒng)大都采用50kHz~13.56MHz的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（>4MHz）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

　2．射頻功率

增加RF功率通常會(huì)改善SiN膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過1W/cm2時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

　3．襯底溫度

PECVD膜的沉積溫度一般為250～400℃。這樣能保證氮化硅薄膜在HF中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于200℃下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于450℃時(shí)膜容易龜裂。

4．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是SiH4。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20（體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5．反應(yīng)氣體濃度

SiH4的百分比濃度及SiH4/NH3流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想Si3N4的Si/N＝0.75，而PECVD沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成SiN。因此，必須控制氣體中的SiH4濃度，不宜過高，并采用較高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即SixNyHZ或SiNx:H。

6．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

　　控制點(diǎn)

　　折射率

PECVD氮化硅膜的折射率隨Si/N比在一定范圍內(nèi)波動(dòng)，n=1.8-2.4.氮原子含量增加，折射率降低;硅原子含量增加，折射率增大。此外，還和沉積溫度有關(guān)，沉積溫度提高，折射率增大，這是由于溫度升高使薄膜致密度提高的緣故。

控制范圍：2.0~2.15

膜厚：氮化硅膜的厚度。

控制范圍：?jiǎn)尉В?0mm~83mm。多晶：導(dǎo)津，76mm~89mm；ROTH&RAU，70mm~83mm。

返工處理

膜厚折射率在范圍之外，色澤不勻，鍍膜雜質(zhì)嚴(yán)重：去PSG工序把膜去掉，HF10桶，去膜時(shí)間900-1000秒，其他槽水洗360秒。

五絲網(wǎng)印刷

　基本原理

基本原理：利用網(wǎng)版圖文部分網(wǎng)孔透墨，非圖文部分網(wǎng)孔不透墨的基本原理進(jìn)行印刷。印刷時(shí)在網(wǎng)版上加入漿料，刮膠對(duì)網(wǎng)版施加一定壓力，同時(shí)朝網(wǎng)版另一端移動(dòng)。漿料在移動(dòng)中從網(wǎng)孔中擠壓到承印物上，由于粘性作用而固著在一定范圍之內(nèi)。由于網(wǎng)版與承印物之間保持一定的間隙，網(wǎng)版通過自身的張力產(chǎn)生對(duì)刮膠的回彈力，使網(wǎng)版與承印物只呈移動(dòng)式線接觸，而其它部分與承印物為脫離狀態(tài)，漿料與絲網(wǎng)發(fā)生斷裂運(yùn)動(dòng)，保證了印刷尺寸精度。刮膠刮過整個(gè)版面后抬起，同時(shí)網(wǎng)版也抬起，并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置，完成一個(gè)印刷行程。

絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)

網(wǎng)版，刮膠，漿料，印刷臺(tái)，承印物

　漿料體系

銀鋁漿：背面導(dǎo)體，作為背電極，提供可焊性。

鋁漿：背面導(dǎo)體，作為背面電場(chǎng)，收集電流。

銀漿：正面導(dǎo)體，作為正電極，收集電荷。

影響因素

1.印刷壓力的影響

在印刷過程中刮膠要對(duì)絲網(wǎng)保持一定的壓力，且這個(gè)力必須是適當(dāng)?shù)摹Ｓ∷毫^大，易使網(wǎng)版、刮膠使用壽命降低，使絲網(wǎng)變形，導(dǎo)致印刷圖形失真。印刷壓力過小，易使?jié){料殘留在網(wǎng)孔中，造成虛印和粘網(wǎng)。在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)加大印刷壓力，透墨量會(huì)減小（漿料濕重減?。?，柵線高度下降，寬度上升。

2.印刷速度的影響

印刷速度的設(shè)定必須兼顧產(chǎn)量和印刷質(zhì)量。對(duì)印刷質(zhì)量而言，印刷速度過快，漿料進(jìn)入網(wǎng)孔的時(shí)間就短，對(duì)網(wǎng)孔的填充性變差，印刷出的柵線平整性受損，易產(chǎn)生葫蘆狀柵線。印刷速度上升，柵線線高上升，線寬下降。印刷速度變慢，下墨量增加，濕重上升。

3.絲網(wǎng)間隙的影響

在其他條件一定的情況下，絲網(wǎng)間隙與濕重大致有如右圖的關(guān)系：最初兩者幾乎呈比例上升，之后絲網(wǎng)間隙加大，濕重降低，最后突然變?yōu)榱?。絲網(wǎng)印刷時(shí)使用的是曲線的前半段（即呈比例上升段）。由此可知，絲網(wǎng)間隙加大，下墨量多，濕重增大。絲網(wǎng)間隙過大，易使印刷圖形失真；過小，容易粘網(wǎng)。刮膠硬度的影響刮膠材料一般為聚胺脂或氟化橡膠，硬度60-90A。刮膠硬度越大，印刷的圖形越精確，原圖的重現(xiàn)性越好。因此，正面柵線的印刷就需要選用硬度較高刮膠。刮膠硬度小，其他參數(shù)不變的情況下濕重就大，線高增加，線寬變大。

　4.刮膠角度的影響

刮膠角度的調(diào)節(jié)范圍為45-75度。實(shí)際的刮膠角度與漿料有關(guān)，漿料黏度越高，流動(dòng)性越差，需要刮膠對(duì)漿料向下的壓力越大，刮膠角度接就越小。在印刷壓力作用下，刮膠與絲網(wǎng)摩擦。開始一刷時(shí)近似直線，刮膠刃口對(duì)絲網(wǎng)的壓力很大，隨著印刷次數(shù)增加，刃口呈圓弧形，作用于絲網(wǎng)單位面積的壓力明顯減小，刮膠刃口處與絲網(wǎng)的實(shí)際角度小于45度，易使印刷線條模糊，粘網(wǎng)。在可調(diào)范圍內(nèi)，減小刮膠角度，下墨量增加，濕重加大。刮膠刃口鈍，下墨量多，線寬大。

　5.漿料黏度的影響

印刷時(shí)漿料黏度的變化（觸變性）如右圖所示：

漿料的黏度與流動(dòng)性呈反比，黏度越低，流動(dòng)性越大，可在一定程度保證印刷的質(zhì)量。漿料黏度過大，透墨性差，印刷時(shí)易產(chǎn)生桔皮、小孔。漿料黏度過小，印刷的圖形易擴(kuò)大（柵線膨脹），產(chǎn)生氣泡、毛邊。

　　6.紗厚、膜厚的影響

一般情況下，絲網(wǎng)目數(shù)越低，線徑越粗，印刷后的漿料層越高，因此絲網(wǎng)目數(shù)較高時(shí)，印刷后漿料層就低一些。對(duì)于同目數(shù)的絲網(wǎng)，紗厚越厚，透墨量越少。在一定范圍內(nèi)，感光膠膜越厚，下墨量越大，印刷的柵線越高。但膜厚增大，易造成感光膠脫落。

　　7.印刷臺(tái)面的影響

印刷臺(tái)面的水平度：印刷時(shí)電池片被吸附于印刷臺(tái)面，若臺(tái)面不平，電池片在負(fù)壓下易破裂。一般電池片水平度應(yīng)小于0.02mm。印刷臺(tái)面與網(wǎng)版的平行度：決定了印刷漿料的一致性。一般二者平行度應(yīng)小于0.04mm。印刷臺(tái)的重復(fù)定位精度：太陽(yáng)能電池片印刷臺(tái)的重復(fù)定位精度需達(dá)到0.01mm。

　　參數(shù)相互關(guān)系

1.壓力與間距：壓力越大時(shí)，間距也大；因?yàn)閴毫Υ髸r(shí)，刮刀與網(wǎng)板接觸的地方凸出來也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會(huì)加大。兩個(gè)參數(shù)當(dāng)中的一個(gè)改變,另外一個(gè)不改,就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質(zhì)量。

2.印刷速度影響到產(chǎn)能,同時(shí)也影響到印刷到硅片漿料的多少。

　　印刷參數(shù)的調(diào)整

1.先把印刷速度改小，以方便在調(diào)試時(shí)能很好的觀察（如印刷速度為50mm)。完全松開鎖定螺絲，并保證刮刀和回刮刀左右的固定螺絲未鎖，能自由活動(dòng)。

2.先設(shè)定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的印刷到硅片為宜，無粘片和虛印。(推薦為：1.5+0.3)

3.在間距定下后，設(shè)定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加，加到在印刷時(shí)漿料能收干凈就可以。

參數(shù)的調(diào)整

4.在壓力和間距設(shè)定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調(diào)。（印刷速度未改）

5.合格后，慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺到鎖定螺絲剛碰到東西時(shí)，把鎖定螺絲鎖住。這個(gè)動(dòng)作相當(dāng)于找到了一個(gè)刮膠下降的一個(gè)限位，保證刮刀在壓力加大時(shí)不會(huì)再下壓。

6.然后加快印刷速度，并測(cè)印刷重量，如過大，則減速，過小，則加速。（推薦170mm)。

　　燒結(jié)

　　燒結(jié)目的

干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸。

燒結(jié)對(duì)電池片的影響

銀漿的燒結(jié)很重要，對(duì)電池片電性能影響主要表現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻，即FF的變化。

鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會(huì)導(dǎo)致起包，嚴(yán)重的會(huì)起鋁珠。背面場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合，從而提高開路電壓和短路電流，改善對(duì)紅外線的響應(yīng)。

燒結(jié)過程

1.室溫~300度，溶劑揮發(fā)。

2.300~500度，有機(jī)樹脂分解排出，需要氧氣。

3.400度以上，玻璃軟化。

4.600度以上，玻璃與減反層反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電。

六測(cè)試分檔

測(cè)試分檔的目的

1.通過測(cè)試數(shù)據(jù)監(jiān)控生產(chǎn)電池片的效率及暗電流等參數(shù)是否正常。

2.對(duì)生產(chǎn)的電池片進(jìn)行分檔，將相同電性能的電池片分在一起以便做成組件。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件

1.光源輻照度：1000W/m2。

2.測(cè)試溫度：25℃。

3.AM1.5地面太陽(yáng)光譜輻照度分布。

　　測(cè)試參數(shù)

1.開路電壓

在一定的溫度和輻照度條件下，太陽(yáng)電池在空載情況下的端電壓，用Voc表示，PN結(jié)開路，即I=0，此時(shí)PN結(jié)兩端的電壓即為開路電壓。將I=0代入伏安特性方程得：KTln(IL/IS+1)/q。太陽(yáng)電池的開路電壓與電池面積大小無關(guān)。太陽(yáng)電池的開路電壓與入射光譜輻照度的對(duì)數(shù)成正比。

　2.短路電流

在一定的溫度和輻照條件下，太陽(yáng)電池在端電壓為零時(shí)的輸出電流，通常用Isc來表示。將PN結(jié)短路（V=0），因而IF=0，這時(shí)所得的電流為短路電流Isc，顯然有：Isc=IL，Isc與太陽(yáng)電池的面積大小有關(guān)，面積越大，Isc越大。Isc與入射光的輻照度成正比。

　3.最大功率點(diǎn)

在太陽(yáng)電池的伏安特性曲線上對(duì)應(yīng)最大功率的點(diǎn)，又稱最佳工作點(diǎn)。

4.最佳工作電壓

太陽(yáng)電池伏安特性曲線上最大功率點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電壓。通常用Vm表示

5.最佳工作電流

太陽(yáng)電池伏安特性曲線上最大功率點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電流。通常用Im表示

　6.轉(zhuǎn)換效率

受光照太陽(yáng)電池的最大功率與入射到該太陽(yáng)電池上的全部輻射功率的百分比。η=VmIm/AtPin其中Vm和Im分別為最大輸出功率點(diǎn)的電壓和電流，At為太陽(yáng)電池的總面積，Pin為單位面積太陽(yáng)入射光的功率。

7.填充因子

太陽(yáng)電池的最大功率與開路電壓和短路電流乘積之比，通常用FF表示：FF=ImVm/IscVoc

IscVoc是太陽(yáng)電池的極限輸出功率，ImVm是太陽(yáng)電池的最大輸出功率，填充因子是表征太陽(yáng)電池性能優(yōu)劣的一個(gè)重要參數(shù)。

　8.電流溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗(yàn)條件下，被測(cè)太陽(yáng)電池溫度每變化10C，太陽(yáng)電池短路電流的變化值，通常用α表示。對(duì)于一般晶體硅電池α=+0.1%/0C。

　9.電壓溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗(yàn)條件下，被測(cè)太陽(yáng)電池溫度每變化10C，太陽(yáng)電池開路電壓的變化值，通常用β表示。對(duì)于一般晶體硅電池β=-0.38%/0C。

編輯：黃飛

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