美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
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瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:321787 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
容量為1200A/2400V，根據(jù)大功率斬波的需要，通常，額定工作電流為400A——1500A，考慮到器件工作安全，必須留有2倍左右的電流裕度，再結(jié)合本文前述的IGBT最大電流標(biāo)稱問(wèn)題，單一器件無(wú)法
2018-10-17 10:05:39
世界技術(shù)舞臺(tái)的時(shí)候，盡管它凝聚了高電壓大電流晶閘管制造技術(shù)和大規(guī)模集成電路微細(xì)加工手段二者的精華，表現(xiàn)出很好的綜合性能，許多人仍難以相信這種器件在大功率領(lǐng)域中的生命力。現(xiàn)在，跨世紀(jì)的IGBT顯示了巨大
2012-06-19 11:17:58
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
按照大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合。詳情見附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述，最后展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
；第四步：打開電源開關(guān)；第五步：開始測(cè)試；第六步：數(shù)據(jù)處理； 最后得到的曲線如下圖：測(cè)試器件為CM400HA-24H@Vgs=15.0V六：測(cè)量CM400HA-24H大功率IGBT步驟第一步：關(guān)閉電源
2015-03-11 13:51:32
按照大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類，可以將大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路分為以下三種類型:單一功能型、多功能型、全功能型。2.1 單一功能型 單一功能型的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一
2012-07-09 15:36:02
單獨(dú)控制，在芯片的供電，驅(qū)動(dòng)效率和體積，BOM數(shù)量和成本上往往很難做到最優(yōu)化。 作為晶豐明源在大功率高端燈具驅(qū)動(dòng)電源上的解決方案，UR3311是一顆基于兩級(jí)架構(gòu)的二合一控制芯片，既可
2018-11-30 17:09:21
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
有做大功率PCB板的朋友嗎，電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
0.3pF以下；三、功率：小功率TVS性能測(cè)試用8/20us波形；大功率TVS性能測(cè)試用10/700us波形，其功率是小功率TVS管的7~10倍；四、響應(yīng)速度：小功率TVS的響應(yīng)速度ps級(jí)；大功率TVS一般為
2022-05-24 16:18:18
許多大功率微波發(fā)射機(jī)常有一定功率的寄生輸出,成為無(wú)線電子干擾的來(lái)源之一。為了抑制這種干擾，須用大功率微波濾波器，使發(fā)射機(jī)的載波和調(diào)制邊帶通過(guò)，抑制其寄生輻射。在大功率微波濾波器的設(shè)計(jì)中，所需要考慮的問(wèn)題常與小功率濾波器有所不同，因而小功率濾波器的設(shè)計(jì)方法在大功率設(shè)計(jì)中要受到限制，甚至完全不能用。
2019-06-21 08:10:59
整流的應(yīng)用。 8、產(chǎn)品無(wú)鉛 , 符合 RoHS 指令。相比普通的功率電感或色環(huán)電感來(lái)說(shuō),盡管所起到的作用是一樣的，但是大功率電感在高性能要求電路上所起的作用是普通功率電感不能代替的。
2015-03-23 16:35:29
尋求有做過(guò)大功率短波項(xiàng)目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達(dá)到二百瓦，主要涉及信號(hào)震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽(yáng)極短路IGBT.與最佳競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊?，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關(guān)應(yīng)用。
2018-09-30 16:10:52
新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān)：靈活性與高性能至關(guān)重要各種各樣的數(shù)字設(shè)備進(jìn)入到越來(lái)越多的家庭之中，如各種多媒體應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、語(yǔ)音與數(shù)據(jù)通信平臺(tái)，以及娛樂(lè)系統(tǒng)等。當(dāng)今消費(fèi)者通?？稍诩抑型ㄟ^(guò)因特網(wǎng)寬帶連接獲得日益豐富
2009-10-05 09:18:53
美高森美MSAD165-16整流模塊能用ASEMI的 MDA165-16代替嗎?
2017-05-27 14:54:59
高通AR9341 2.4GHz大功率無(wú)線戶外CPE具有哪些參數(shù)應(yīng)用？
2022-01-14 07:35:35
高通AR9342 5.8GHz大功率無(wú)線戶外CPE具有哪些應(yīng)用參數(shù)？
2022-01-14 07:09:45
給大家推薦一款高性能LED驅(qū)動(dòng)芯片 EC1916A 30-70W大功率低電流諧波LED驅(qū)動(dòng)方案過(guò)認(rèn)證 下面是對(duì)這款新型產(chǎn)品一些簡(jiǎn)單描述。 EC1916A高功率因數(shù)、低電流諧波 LED 驅(qū)動(dòng)方案
2016-11-05 15:06:58
ASEMI MDA165-16能代替美高森美的MSAD165-16嗎？
2017-06-05 17:17:49
FCI為混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車推出大功率連接器設(shè)計(jì)
2021-05-10 06:18:51
編輯-ZMDS100-16在MDS封裝里采用的6個(gè)芯片，其尺寸都是Φ13，是一款工業(yè)焊機(jī)用大功率整流模塊。MDS100-16的浪涌電流Ifsm為920A，漏電流(Ir)為5mA，其工作時(shí)耐溫度范圍為
2021-08-03 16:18:19
功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計(jì)的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從
2018-10-23 16:22:24
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個(gè)器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列，具有強(qiáng)大且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
硅RF外側(cè)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內(nèi)具有滿足WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業(yè)、科學(xué)以及醫(yī)療(ISM)應(yīng)用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓
2019-07-09 08:17:05
羅姆(ROHM)是半導(dǎo)體和電子零部件領(lǐng)域的著名生產(chǎn)商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
（10kW）發(fā)射機(jī)和 ELMER 公司的 ST—10085（10kW）發(fā) 射機(jī)等。這些第二代大功率發(fā)射機(jī)較第一代的進(jìn)步之處是：釆用了性 能優(yōu)良的金屬陶瓷電子管，來(lái)代替玻璃外殼的電子管作為功放管；果 用r
2021-12-16 10:24:19
的區(qū)別請(qǐng)參考：PT，NPT，F(xiàn)S型IGBT的區(qū)別）。技能：低導(dǎo)通壓降，125℃工作結(jié)溫（600V器件為150℃），開關(guān)性能優(yōu)化得益于場(chǎng)截止以及溝槽型元胞，IGBT3的通態(tài)壓降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
作為國(guó)家科技重大專項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
什么是大功率直流電源?大功率直流電源是各種電子設(shè)備都不可缺少的設(shè)備，其功能會(huì)影響整體產(chǎn)品的使用效果，通常在選擇不同功率的電源會(huì)根據(jù)產(chǎn)品的性能以及要求，大功率直流電源能夠很好的為大功率設(shè)備供電
2021-12-29 06:52:58
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
導(dǎo)讀：LYTSwitch-4控制器能夠提供高功率因素和恒流輸出，具有優(yōu)于±5%的恒流性能，適合用于大功率LED驅(qū)動(dòng)。鑒于此，本文提出了一種基于LYTSwitch-4的大功率LED電源解決方案。在
2018-09-27 15:19:32
PrimePACK?是英飛凌推出的最新一代大功率IGBT 模塊，它集合了最新的芯片和封裝 技術(shù)，在大功率場(chǎng)合很受歡迎。光伏逆變器追求高效率，PrimePACK?的芯片和封裝技術(shù)能 大大降低IGBT 總損耗從而提高光伏
2018-12-07 09:24:53
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
的問(wèn)題，20世紀(jì)90年代初NPT IGBT被開發(fā)出來(lái)并由西門子公司率先量產(chǎn)。NPT IGBT采用高阻的區(qū)熔硅為襯底材料，在正面工藝完成后將硅片減薄到一定的厚度，再通過(guò)背面注入的方式形成P區(qū)。和PT
2015-12-24 18:13:54
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
,尤其適用于高壓大功率電力電子裝置.目前通用電路仿真軟件中還沒(méi)有專門的IGCT仿真模型,不能滿足可靠的仿真性能的要求.基于電力電子器件的物理現(xiàn)象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、電學(xué)模型法、集
2010-04-24 09:07:39
經(jīng)常有客戶想要大功率輸出的電源芯片，但是又考慮成本過(guò)高？我們銀聯(lián)寶有一款U321電源芯片，可以大功率輸出，又電路極簡(jiǎn)，成本低，性能高！具有良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。U321電源芯片是集成
2020-03-18 14:37:05
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
系統(tǒng)和24V系統(tǒng)。 12V系統(tǒng)的電源芯片一般可以承受40幾V的電壓，12V系統(tǒng)選用24V的大功率TVS工作一分鐘測(cè)試OK 24V系統(tǒng)選用36V的大功率TVS工作一分鐘測(cè)試ok 電壓選高點(diǎn)不會(huì)有問(wèn)題?！ ∩钲诎策_(dá)森，你身邊的電子保護(hù)專家。專業(yè)生產(chǎn)銷售ESD防靜電電子元器件，TVS,靜電保護(hù)管。
2014-02-21 10:12:54
在這個(gè)頻段上提供最大功率，次要特性包括： 規(guī)范脈沖間歇格式：100μs,10%DF 出色的輸入功率：500W 高功率增益：>11.5dBmin 漏極偏壓?Vdd：+65V
2012-12-06 17:09:16
請(qǐng)教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么檢測(cè)呢？
2023-05-16 17:15:04
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
近年來(lái)變頻控制因其節(jié)能、靜音及低顫動(dòng)而得到廣泛的關(guān)注和應(yīng)用，基于ARM/DSP 的高性能驅(qū)動(dòng)方案為中大功率三相電機(jī)提供了高性能、多控制方式的解決方案，其主要應(yīng)用于對(duì)電機(jī)控制的性能、實(shí)時(shí)性方面要求比較
2019-07-09 08:24:02
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關(guān)速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:11:03
可控硅、達(dá)靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖
（供參考）
2009-07-25 14:45:452146 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過(guò)對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743 
M57962L驅(qū)動(dòng)大功率IGBT模塊時(shí)的應(yīng)用電路
2010-02-18 11:20:464335 
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 對(duì)大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、驅(qū)動(dòng)功率、布線等方面進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路。
2012-05-02 14:50:48
135 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展
2012-06-06 11:52:236113 
大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的功能
2012-07-09 12:02:015212 高壓大功率IGBT驅(qū)動(dòng)型號(hào)介紹
2012-09-03 18:20:2673 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:171624 
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 擴(kuò)展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽(yáng)能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
2013-10-30 16:09:57856 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年4月，深圳費(fèi)思科技推出了重磅產(chǎn)品：高性能的大功率可編程直流電源FTH系列。該電源具有目前國(guó)際上最先進(jìn)的技術(shù)水平和技術(shù)指標(biāo)，是國(guó)產(chǎn)測(cè)試測(cè)控電源領(lǐng)域的重大突破。
2015-04-08 16:51:371627 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 雙路智能大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器
2017-03-04 17:50:193 引入IGBT基區(qū)存儲(chǔ)電荷造成的等效電容及模塊封裝鍵合絲帶來(lái)的寄生電感，考慮反并聯(lián)PIN二極管行為模型，從而有針對(duì)性地實(shí)現(xiàn)了完整中電壓大功率IGBT模塊行為模型。同時(shí)提出了新的米勒電容函數(shù)擬合方法，量化分析行為模型完整開關(guān)過(guò)程中典型行為與模型參
2018-03-08 09:21:360 Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商，其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT驅(qū)動(dòng)器也在工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。對(duì)于大功率IGBT
2019-10-07 14:40:0017895 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測(cè)試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
2023-02-07 09:12:041555 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:25723 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊(cè) （采用100%國(guó)產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國(guó)產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5512 ，自行研制出各種專用的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。本文對(duì)這些大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，
并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述，最后展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、
輸出電
2023-02-24 10:51:3613 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
驪微電子供應(yīng)SVF7N65F/T/S650v10a大功率mos管提供svf10n65f電路圖，更多產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)、規(guī)格書及相關(guān)資料請(qǐng)士蘭微MOS代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-03-30 15:42:475 ，可增強(qiáng)大功率LED的熱耗散，提升大功率LED的發(fā)光性能和長(zhǎng)期可靠性。利用高精度陶瓷基板和納米銀膏材料制備出高性能TEC，TEC冷端溫度最低可達(dá)-22.2℃。將LED
2023-12-03 08:11:14670 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19563
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