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Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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求助,芯片耐壓650V做的buck電路夠不夠用?

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英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
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產(chǎn)能翻番,安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”?

同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域,而碳化硅(SiC)則主要用在650V以上的高壓功率器件領(lǐng)域。
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華潤(rùn)微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率器件

2020年7月4日 華潤(rùn)微電子(CR MICRO)正式向市場(chǎng)投入1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列,與此同時(shí)宣布國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤(rùn)微電子
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好消息 東芝650V超級(jí)結(jié)功率提高大電流設(shè)備效率的MOSFET問市

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
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利用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

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Nexperia推出肖特基二極管 泰國(guó)擴(kuò)展羅德與施瓦茨移動(dòng)頻譜監(jiān)測(cè)系統(tǒng)

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2022-03-28 14:30:092205

TP650H070L氮化鎵FET英文手冊(cè)

  TP650H070L系列650V,72m? 氮化鎵(GaN)FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁,高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55614

650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性

650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360

Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管

Nexperia(安世半導(dǎo)體)持續(xù)加大投資,擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足市場(chǎng)對(duì)于 CFP 封裝產(chǎn)品不斷增長(zhǎng)的需求。為滿足高電壓功率應(yīng)用的廣大需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大 650 V 表面貼裝的快恢復(fù)整流管(高達(dá)30 A)
2022-11-22 14:57:25569

如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì),具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 09:41:12628

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時(shí)的過沖。
2023-02-09 10:19:25723

采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBA

采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212

采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTBA

采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323

采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTB

采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450

采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBB

采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020

采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB

采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495

650V,50mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23464

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300

ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

開關(guān)電源設(shè)計(jì)優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強(qiáng)型)功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15384

未來智能城市的動(dòng)力引擎:潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

潤(rùn)新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn): 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

INN650DA260A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51687

INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17968

安世推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET GAN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mode(增強(qiáng)型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超結(jié)mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:507

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超結(jié)MOS-士蘭微mos管規(guī)格書

供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:061

650V高壓低功耗非隔離電源芯片eNJ8665

650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認(rèn)輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì),在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276

瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用

近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝,具有體積較小,安裝簡(jiǎn)便,損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770

羅姆650V GaN器件助力臺(tái)達(dá)Innergie AC適配器實(shí)現(xiàn)性能提升與小型化

近日,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布,其650V GaN器件(EcoGaN?)已被臺(tái)達(dá)電子(Delta Electronics, Inc.,以下簡(jiǎn)稱
2024-03-12 10:42:46123

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介紹一款用于光伏儲(chǔ)能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188

揚(yáng)杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19563

具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580

具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:19:400

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