美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(shí)(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:012494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款I(lǐng)GBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 為滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用 (如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源)的要求。
2020-05-31 09:15:361509 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體管)。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:371195 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796 首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強(qiáng)型)功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率?! £P(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小,操作方便,市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn),一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
MOS管 N-channel Id=34.5A VDS=650V TO247
2023-03-24 14:52:47
`我看到AD650的技術(shù)文檔上說要將信號(hào)地直接連在AD650芯片的模擬地管腳上,請(qǐng)問我直接將一整塊電路板覆銅,然后把模擬地接在覆銅上可以嗎?會(huì)影響電路的效果嗎?`
2016-01-25 13:56:34
因數(shù)校正,新能源電網(wǎng),新能源汽車,軌道交通等不同領(lǐng)域!附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型號(hào)選型表:
2021-11-09 16:36:57
650-621 ExamAdvanced Wireless LAN科目編號(hào):650-621 科目名稱:Advanced
Wireless LAN 考題數(shù)目:47 Q&
2010-06-08 09:37:29
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN1214M650A是最適合L波段雷達(dá)應(yīng)用的高功率GaN晶體管。 該晶體管被指定用于AB類工作,提供1.2-1.4 GHz的工作頻率,最小650W的峰值脈沖功率,50V和10%的占空比。 該
2020-04-21 11:17:44
;TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù):應(yīng)用:高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關(guān) v 和半橋 vi 格式推出,如圖 2 所示。文章全部詳情,請(qǐng)加V獲?。篽lknch
2021-07-06 09:38:20
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件,可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可承受650V電壓,有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ,原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
600V IGBT3,全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外,該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復(fù)行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示。與標(biāo)準(zhǔn)器件相比,新一代
2018-12-03 13:43:55
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 富威集團(tuán)代理產(chǎn)線Invensense推出IDG-650/ ISZ-650,增加運(yùn)動(dòng)傳感之游戲機(jī)臺(tái)與手持游戲機(jī),增添了新的互動(dòng)空間。
2011-05-01 08:18:522072 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2014年10月21日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 ?正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng),包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。
2019-11-29 09:00:183369 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳(Cree Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域,而碳化硅(SiC)則主要用在650V以上的高壓功率器件領(lǐng)域。
2020-06-24 15:56:043046 2020年7月4日 華潤(rùn)微電子(CR MICRO)正式向市場(chǎng)投入1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列,與此同時(shí)宣布國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤(rùn)微電子
2020-07-04 22:28:507770 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個(gè)有源開關(guān),通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今,大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡(jiǎn)單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關(guān)損耗,但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 (“東芝
2022-03-18 17:35:264581 關(guān)鍵半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進(jìn)軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場(chǎng)。這是 Nexperia 的一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措,Nexperia 已經(jīng)是值得信賴的高效功率氮化鎵 (GaN) FET 供應(yīng)商,旨在擴(kuò)展其高壓寬帶隙半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。
2022-03-28 14:30:092205 TP650H070L系列650V,72m? 氮化鎵(GaN)FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁,高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55614 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 Nexperia(安世半導(dǎo)體)持續(xù)加大投資,擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足市場(chǎng)對(duì)于 CFP 封裝產(chǎn)品不斷增長(zhǎng)的需求。為滿足高電壓功率應(yīng)用的廣大需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大 650 V 表面貼裝的快恢復(fù)整流管(高達(dá)30 A)
2022-11-22 14:57:25569 LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì),具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 09:41:12628 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性,并大大減少了開關(guān)時(shí)的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23464 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447 非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強(qiáng)型)功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15384 潤(rùn)新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn): 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51687 650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17968 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mode(增強(qiáng)型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
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2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:507 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:061 650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認(rèn)輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì),在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝,具有體積較小,安裝簡(jiǎn)便,損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 近日,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布,其650V GaN器件(EcoGaN?)已被臺(tái)達(dá)電子(Delta Electronics, Inc.,以下簡(jiǎn)稱
2024-03-12 10:42:46123 近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188 近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19563 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400
評(píng)論
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