美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款I(lǐng)GBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)渲?，尤其是輕負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn)，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率；而且這一產(chǎn)品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統(tǒng)重量和空間以實(shí)現(xiàn)更緊湊設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。
2023-09-12 10:46:36519 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:321787 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 憑借在汽車領(lǐng)域的多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，英飛凌將遠(yuǎn)超AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)的最高品質(zhì)與出色的技術(shù)知識(shí)相結(jié)合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38986 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產(chǎn)品也是目前市場(chǎng)上第一顆650V并且?guī)Э旎謴?fù)二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應(yīng)對(duì)LLC硬關(guān)斷時(shí)各種現(xiàn)象
2018-12-05 09:56:02
在“CH32FV2x_V3x 系列應(yīng)用手冊(cè) （V1.03版）”的383頁中關(guān)于MDC與MDIO的引腳序號(hào)似乎與“CH32V20x_30x 數(shù)據(jù)手冊(cè)(V2.2版)”有差異。而在對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊(cè)中的第24
2022-07-19 07:45:08
很不錯(cuò)的資料{:7:}FYD12864帶字庫使用手冊(cè).pdf 2015-7-27 08:31 上傳 點(diǎn)擊文件名下載附件 1.88 MB, 下載次數(shù): 1FYD12864無字庫3A中文使用手冊(cè)
2018-07-19 02:46:32
ICE3A2065ELJ離線式SMPS電流模式控制器的典型應(yīng)用電路，集成650V CoolMOS和啟動(dòng)單元（鎖存和頻率抖動(dòng)模式）。 CoolSETF3 ELJ版本是針對(duì)系統(tǒng)噪音的增強(qiáng)型LJ版本。它
2019-06-13 13:46:19
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
650V FET COOLMOS TO247
2023-11-01 13:40:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
非常的KEIL軟件使用手冊(cè)，內(nèi)部包含詳細(xì)的軟件的使用介紹，含示例詳解
2020-10-20 19:12:27
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
USB AVR Prog+ V2.0使用手冊(cè)
2012-08-20 11:03:00
Xilinx_A7_K7_V7系列Cadence符號(hào)庫及PCB庫
2021-01-28 06:39:41
aglient 2000系列使用手冊(cè).pdf
2012-07-20 23:01:24
aglient 5000系列使用手冊(cè).pdf
2012-07-20 23:03:17
加密芯片的安全性：1、芯片本身硬件的安全，采用U盾芯片2、算法安全，可以采用國家商用密碼算法，如SM1,SM7,SSF33等算法，是保密非公開算法。加密芯片使用手冊(cè)見附件 加密芯片使用手冊(cè).rar (79.94 KB )
2019-07-09 04:35:14
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
目前已在鋰電池充電器中做了實(shí)驗(yàn)，輸出為48V，2A的充電器。效率可達(dá)90%。有需要試用的可以發(fā)站內(nèi)信聯(lián)系我！基本參數(shù)為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經(jīng)量產(chǎn)的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進(jìn)了十倍，但CoolSiC的Qrr參數(shù)再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
求一份intel 8237A的使用手冊(cè)，謝謝熱心的大佬們！
2020-11-27 00:22:48
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
% Inom（IC=300A）電流關(guān)斷時(shí)，600V IGBT3會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的過沖電壓VCE,max 和階躍振蕩。相反，特別為這種高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的650V IGBT4，即使典型直流電壓達(dá)到300V
2018-12-07 10:16:11
CoolMOS? 650V CFD器件具備極低的反向恢復(fù)電荷Qrr、極短的反向恢復(fù)時(shí)間trr 和極小的反向恢復(fù)電流最大值Irrm。 圖2在di/dt=100A/μs、 25°C和 Vr=400V等條件下測(cè)量
2018-12-03 13:43:55
深愛半導(dǎo)體MOS管 SIF7N65F TO220F 場(chǎng)效應(yīng)管 7A 650V 原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
2022-03-17 17:53:20
微電子供應(yīng)svf7n65f場(chǎng)效應(yīng)管7a 650v mos管封裝TO-220F提供svf7n65f參數(shù)詳細(xì)參數(shù)、規(guī)格書等，是士蘭微MOS代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料
2022-03-30 15:41:09
了dv/dt能力驪微電子供應(yīng)SVF10N65F 650v 10a大功率mos管提供svf10n65f電路圖、詳細(xì)參數(shù)、規(guī)格書等，是士蘭微MOS代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)
2022-03-30 15:52:04
供應(yīng)40A、650V國產(chǎn)絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7 ，具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:16:15
供應(yīng)SGTP40V65FDR1P7 絕緣柵雙極型晶體管耐壓650V、40A，提供SGTP40V65FDR1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:29:51
供應(yīng)SGTP75V65SDB1P7 n溝道絕緣柵雙極型晶體管650V、75A ，具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 14:02:39
供應(yīng)SGTP75V65FDB1P7 壓縮機(jī)絕緣柵雙極晶體管650V、75A ，SGTP75V65FDB1P7 具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 14:55:36
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:11:03
SVSP35NF65P7D3 超結(jié)MOS管國產(chǎn)35A,650V，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌喈a(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高壓超結(jié)mos管，提供SVSP65R041P7HD4關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-19 14:56:39
供應(yīng)SVS7N65FJD2 7A,650V 超結(jié)MOS管國產(chǎn)-士蘭微mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 14:34:47
華潤(rùn)微coolMOS / CRJF390N65GC_TO220F / 650V11A / 390mΩ 現(xiàn)貨供應(yīng) CRJF390N65GCSJMOS N-MOSFET 650V
2022-12-16 22:00:21
華潤(rùn)微coolMOS 現(xiàn)貨供應(yīng) CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261675 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實(shí)耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423957 
英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171846 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標(biāo)桿， 從跨時(shí)代意義的CoolMOS? C3到升級(jí)版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:256755 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523700 
、CFD7系列，與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設(shè)計(jì)中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準(zhǔn)諧振CoolSET 系列產(chǎn)品以及EiceDRIVER系列驅(qū)動(dòng)IC芯片。
2019-09-24 11:20:593014 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 新款 650 V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
2020-10-09 15:28:261169 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55616 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29540 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補(bǔ)全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321183 Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21918 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時(shí)的過沖。
2023-02-09 10:19:25724 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34698 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40559 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16640 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:507 供應(yīng)無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結(jié)mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:07:350 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:061 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07189 
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