并聯(lián)型晶體振蕩電路

1）C—B型（亦稱(chēng)皮爾斯）晶體振蕩器 如圖5.3-10所示，圖A中的L和CB分別為高頻扼流圈和高頻旁路電容，忽略偏置電阻的影響，可得高頻等效電路見(jiàn)圖5.3-10B。電路中把石英諧振置于C、B之間代替三點(diǎn)式振蕩電路的一個(gè)電感構(gòu)成電容三點(diǎn)式振蕩電路。其工作原理和特點(diǎn)與電容三點(diǎn)式振蕩電路完全相同并兼有頻率穩(wěn)定度高的特點(diǎn)。

2)B—E型（亦稱(chēng)密勒）晶體振蕩器 如圖3.11所示，該電路是將石英諧振器置于B、E之間。L1C1是集電極回路元件。C0為高頻旁路電容。由于B、E之間接入等效為電感元件的晶體，根據(jù)三點(diǎn)式振蕩電路相位平衡條件判斷準(zhǔn)則，集電極回路L1C1也必須等效為感性。所以這種電路常用可變電容作為集電極回路調(diào)諧電容，以便將該回路的固有諧振頻率F1調(diào)到略高于振蕩電路的工作頻率FO，即F1﹥FO。圖中集電極采用調(diào)諧回路代替電感元件的原因是為更好地抑制諧波提高波形純度。

圖5.3-12為并聯(lián)型晶體振蕩器的實(shí)用電路。

圖5.3-12A、B所示電路中的微調(diào)電容C3C可把頻率調(diào)準(zhǔn)在標(biāo)稱(chēng)頻率上。

圖5.3-12C是場(chǎng)效應(yīng)管MILLER晶體振蕩電路。該電路是將晶體置于G、8之間，其工作原理與圖5.3-11所示電路基本相同，只是在這電路中用漏柵之間的結(jié)電容C1L1用電感調(diào)諧。由于場(chǎng)效應(yīng)管柵源之間的阻抗較大，它并不象晶體管那樣嚴(yán)重地影響諧振器的標(biāo)準(zhǔn)性和振蕩頻率的穩(wěn)定性。

利用CMOS門(mén)設(shè)計(jì)晶體振蕩器

正弦波振蕩器基礎(chǔ)