Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:34
1383 每片DDR2存儲器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總容量為2Gb。單DDR2存儲器為16bit，兩片存儲器共用控制線和地址線，數(shù)據(jù)線并列，即組成了32位的2Gb存儲模組。
2020-08-21 15:09:005493 
越大，這就是為什么很多代工廠的芯片都是10nm及以上工藝制程的。從7nm到3nm，有哪些提升？那么，芯片工藝從目前的7nm升級到3nm后，到底有多大提升呢？總結下來有以下幾個優(yōu)勢：芯片功耗更低、芯片
2019-12-10 14:38:41
1Gb_DDR2，1Gb_DDR2
2013-05-17 15:11:01
在quartus2中創(chuàng)建了一個DDR2 控制器的ip核 ，但是在選擇 DDR型號的時候，找不到我要用的DDR芯片信號 怎么辦？選擇了一個DDR芯片將它的行列bits數(shù)改了之后 發(fā)現(xiàn) 內(nèi)存大小又不對 。求解答
2017-09-19 14:50:23
我在XPS中進行硬件設計時添加了DDR2 ip內(nèi)核，因為代碼很大而導致內(nèi)存錯誤。但在未來的計劃中，我遇到了布局錯誤。我已將ddr2包裝器的ucf文件復制粘貼到system.ucf文件中以消除一些錯誤
2020-06-18 10:36:34
嗨，DDR2內(nèi)存型號的最低頻率是多少？我們可以嘗試低于125 Mhz的DDR2內(nèi)存型號嗎？問候 - sampath
2020-05-27 09:24:15
我想用s3c2450外接128MB的DDR2內(nèi)存，就是說用兩片64MB的DDR2拼一下。 請問高手應該怎樣連接？ 謝謝
2022-06-22 12:01:49
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標準DDR內(nèi)存的4BIT預讀取能力。
2019-08-08 07:11:44
主要是針對DDR2 667內(nèi)存的設計。信號分組：DDR2的布線中習慣把信號分成若干組來進行設計，分成同組的信號具有相關或者相似的信號特性。時鐘組：差分時鐘信號，每一對信號都是同頻同相的。ckp0
2011-10-27 14:53:32
本次設計中CPU的封裝為BGA844-SOC-Y，DDR2的封裝為FBGA84，DDR2的控制總線采用星形連接，使用的PCB軟件為AltiumDesigner10
2019-07-30 06:29:28
DDR2設計原理 DDR2 designBasic knowledge? Source Sync Bus Analysis? On-Die Terminations (ODT)? Slew Rate
2009-11-19 09:59:04
在Siga-S16開發(fā)板使用ddr2操作讀寫數(shù)據(jù)時 怎么判斷讀寫數(shù)據(jù)命令是否執(zhí)行完畢 如果根據(jù)fifo的輸出count進行讀寫數(shù)據(jù)命令的發(fā)送 要求高速時會出錯 目前只能自己加延時等待 降低速度保證數(shù)據(jù)的正確 請教怎么提速啊
2013-07-11 19:47:31
3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G DDR
2009-02-10 22:53:43
3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G DDR
2009-03-12 16:05:56
向量自動識別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2
2009-08-17 22:58:49
3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G DDR
2009-02-10 22:50:27
3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G DDR
2009-02-10 22:55:45
自動識別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2
2009-08-17 23:00:19
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
于DDR400。2、封裝和發(fā)熱量：DDR2內(nèi)存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR
2011-02-27 16:47:17
求一DDR2接口設計代碼
2013-04-24 10:00:36
[size=14.3999996185303px]我有個ARM的板子，DDR2和NAND的數(shù)據(jù)線是復用的，這樣PCB走線的時候，除了原來DDR2高速信號走線阻抗和等長以外，還需要特別注意什么嗎。NAND的線長是不是不算入DDR2總的線長中。
2016-10-10 17:09:28
，16bit型（僅測試位于低16bit的DDR2芯片）和32bit型（測試由兩片DDR2組成的32bit接口）。在實際使用時用戶可以根據(jù)自己的需求選擇使用16bit（僅使用1片DDR2）或32bit（同時
2016-12-15 14:43:40
最近在做ddr2方面的東西，需要仿真ddr2，可是一直沒有頭緒。xx_example_top_tb仿真不知道是對是錯，網(wǎng)上說的外掛美光ddr2 模型的仿真方法，沒有具體講解。哪位大蝦能夠指點一二哇，不甚感激!
2016-06-29 15:50:28
DR2與DDR有哪些區(qū)別？DDR3與DDR2的區(qū)別是什么？
2021-10-26 06:15:07
DDR5內(nèi)存條順利開發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM兩個形態(tài)，其速率定義在4800Mbps 的2 Channel×32bit 全新架構產(chǎn)品原型。相較于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了顯著
2022-02-05 21:36:21
大家好，我們可以在這里討論使用DDR2 / DDR3內(nèi)存與FIFO（我的好奇心）的差異/優(yōu)點/缺點。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi All, Can we discuss here
2019-02-14 06:14:38
本次發(fā)布 Gowin DDR2 Memory Interface IP 參考設計及 IP CoreGenerator 支持調(diào)用 Gowin DDR2 Memory Interface IP
2022-10-08 07:25:25
Gowin DDR2 Memory Interface IP用戶指南主要內(nèi)容包括 IP 的結構與功能描述、端口說明、時序說明、配置調(diào)用、參考設計等。主要用于幫助用戶快速了解 Gowin DDR2 Memory Interface IP 的產(chǎn)品特性、特點及使用方法。
2022-10-08 07:08:19
IBIS Models for DDR2 Analysis 仿真
2012-03-16 16:52:07
我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進行 RAM 校準。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB（2GB 是正確的值）。然后我生成
2023-03-24 07:43:17
低功耗44Gb/s CDR芯片內(nèi)嵌在CMOS芯片里該芯片在數(shù)據(jù)率為40Gb/s時的功耗為0.9W，小于用SiGe、BiCMOS或其他復合半導體技術制成的器件的1/3。它使用了創(chuàng)新的3X過采樣構架
2009-05-26 17:23:24
; is not a bus or arrayError (12014): Net "DDR2:DDR2U|mem_dq[15]", which fans out to "DDR2
2014-03-18 19:55:04
quartus ii 調(diào)用DDR2 IP核時無法生成 （ 已經(jīng)完成破解獲得ddr2的license）
2017-02-07 17:29:25
大家好，什么是spartan 3a入門套件板中DDR2內(nèi)存芯片的工作頻率？謝謝，randeel。
2019-08-22 09:18:39
在DDR2 MIG的使用時，想把DDR2封裝成一個FIFO使用，但是有些問題不是太明白。在MIG的User Interface接口中，提供給控制器的數(shù)據(jù)是上升沿和下降沿的拼接，一個周期提供兩個數(shù)據(jù)到
2015-03-29 18:41:43
200MHz，等效數(shù)據(jù)速率為400MHz，整體系統(tǒng)帶寬為32bit*400M = 12.8Gb/s。DDR2與FPGA連接方式每片DDR2存儲器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總容量為2Gb。單
2016-12-30 20:05:09
4 和LPDDR4 類型內(nèi)存，最大支持8GB內(nèi)存，規(guī)格還是比較強悍的。Maaxboard 單板機，實際配置了 2GB DDR4 內(nèi)存，沒有板載EMMC存儲，預留了microSD卡槽。支持千兆網(wǎng)口，WiFi5
2020-10-30 15:34:16
效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
), .reset_request_n (), .soft_reset_n (tie_high)); 以mem開頭的一堆信號，是直接導出為頂層引腳，去連接PCB板上的DDR2芯片的。以local開頭的一堆信號
2020-02-25 18:33:00
2133MT/s，運作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
在第二輪12萬臺又在1分鐘內(nèi)售罄之后，華為副總裁余承東在微博上表示，2GB內(nèi)存版的榮耀3C以及5.5寸的榮耀3X會在1月份正式開賣。此外，將進一步提升產(chǎn)量，供貨會達到百萬臺以上。 昨日，華為榮耀在
2014-01-01 10:55:59
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
最近在設計一個需要連接DDR2 SDRAM的FPGA小系統(tǒng)，由于是第一次在使用SDRAM，在硬件連接時就遇到一個很糾結的問題——引腳的連接。看了幾種參考設計，發(fā)現(xiàn)有兩種說法：1、DDR2的數(shù)據(jù)（DQ
2017-09-25 17:51:50
以前的一個DDR2接口設計，在原板上運行正常，現(xiàn)在重做了一塊板子，換了一款FPGA芯片，重新編譯后，無法初始化DDR2。IP重新例化了，但是不知到怎么運行TCL文件，運行哪個文件？有高手給指點一下，或者有相關教程，或書籍推薦也可以。先謝謝啦！
2013-12-10 20:38:10
嗨！我有一個帶有DDR2內(nèi)存的Sparten6 xc6slx150-csg484項目（MT47H64M16HR-3E）。但是當我創(chuàng)建一個MIG.DoseMIG支持這個DDR2時，我不能用DDR2嗎？ISE：13.4MIG：3.9
2020-04-10 08:06:02
在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz
2011-05-03 11:31:09
Xilinx公司發(fā)布的SP6,V6系列的FPGA中的DDR2的IP核是一大改變。它由原來的軟核變?yōu)榱擞埠?，此舉讓開發(fā)DDR2變的簡單，因為不需要太多的時序調(diào)試，當然也帶來了麻煩，這是因為當DDR2
2015-03-16 20:21:26
嗨！我正在尋找Spartan-3A / 3ANFPGA入門KitBoard用戶指南（UG334）。具體來說第13章：DDR2 SDRAM和我不明白如何使用DDR2 SDRAM，因為例如這個內(nèi)存
2019-07-31 06:18:10
一個測試平臺嗎？一般來說，我有一些關于FPGA和外部設備之間的時序配置的信息（這里是ddr2）......（附件是ddr2 datasheet）請指導我......非常感謝。1Gb_DDR2.pdf 2016 KB
2019-10-28 07:46:43
你好 ！ 我想設計一個框架，我們想出的設計具有以下特點： 1：DDR3（MT47H64M16HR-3 ofmicron inc。） 2：USB 但我不知道如何設計DDR2原理圖，而且我還沒有找到關于
2019-09-06 07:55:42
你好，我正在使用MCB連接fpga到DDR2內(nèi)存。我可以從fpga端寫入內(nèi)存，但是當我嘗試閱讀它時。數(shù)據(jù)沒有出現(xiàn)。有沒有辦法查看加載到內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。我正在使用模擬模型，但似乎沒有任何幫助。如果有
2019-05-27 13:52:30
時。如果我查看發(fā)送的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)從內(nèi)存中讀回并存儲在fifo中，chipcope cdc會導致時序約束失敗并且還會改變設計的時序性能，因此我無法捕獲可靠的數(shù)據(jù)。我嘗試將DDR2信號路由到另一組I / O
2019-05-10 14:25:23
/DDR/DDR2芯片的datasheet細細比對，也許用這篇文比較也無法完全說明白他們的迥異，但是至少特權同學希望通過這篇文章能夠讓大家對他們之間的區(qū)別有一個大概的認識，尤其一樣對SDR SDRAM
2014-12-30 15:22:49
我們知道ddr2有速度等級和存儲量大小之分。在用altera FPGA設計的時候調(diào)用IP核到底該怎樣選擇ddr2呢？比如說640*480*8bit@60hz的視頻信號，該選擇什么ddr2呢？怎么計算
2018-01-31 11:00:13
將數(shù)據(jù)發(fā)送，接收再存儲入DDR2，再將數(shù)據(jù)以燈的形式顯示出來，燈型數(shù)據(jù)不對。自己實在找不到錯誤如果不存入DDR2，直接接收數(shù)據(jù)顯示，一切正常，加上DDR2之后，從DDR2讀取就無法正常顯示觀察燈型
2018-08-10 11:24:19
如何操作才能使得ddr2降頻，是更換晶振還是操作寄存器呢？pll2是產(chǎn)生ddr2的clk，但是手冊上說明clk=clkin2*20/2.說明軟件是改不了的嗎？
2018-08-02 09:10:45
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖牵m然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
各位好！之前用DM368的開發(fā)板進行實驗，目前需要根據(jù)自己公司的產(chǎn)品重新畫電路板，由于開發(fā)板上的FLASH和DDR2 SDRAM過于老舊，需要對這兩顆零件重新選型。我不太清楚在選擇DDR2
2018-06-21 05:34:23
發(fā)展而來的，能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR
2019-05-31 05:00:05
板（插針版）。對于內(nèi)存芯片，核心板采用的是低電壓的高速DDR2 SDRAM。這兩款S5PV210開發(fā)板采用的DDR2內(nèi)存芯片型號都是相同的，采用了4片64Mbit x 16 I/Os的1Gb DDR2
2015-05-20 15:27:09
DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221186 
DDR2內(nèi)存傳輸標準 DDR2可以看作是DDR技術標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40786 
什么是DDR2 SDRAM
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技
2009-12-17 11:17:59623 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術標準最大的不
2009-12-17 16:26:19731 DDR2內(nèi)存傳輸標準
DDR2可以看作是DDR技術標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28621 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501091 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361381 DDR2內(nèi)存瘋狂演繹 2G版沖破350元近一年間，市場主流的DDR2內(nèi)存一直演繹著瘋狂，在200元與300元之間幾經(jīng)反復。近日，DDR2內(nèi)存的瘋狂更進一步，2G的DDR2內(nèi)存的售價最高竟然已達35
2010-04-13 09:29:35471 據(jù)報道，存儲芯片調(diào)研公司inSpectrum近日表示，7月份下半個月的主流DDR3內(nèi)存期貨價格已經(jīng)出現(xiàn)了小幅度下滑，這也反映出了市場的低需求。逐步退出內(nèi)存市場的DDR2內(nèi)
2010-07-26 10:09:02700 
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
2018-03-09 16:06:003414 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR
2018-08-06 16:38:014789 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251 關鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215 在這個智能手機16GB內(nèi)存超過大部分PC的時代，2GB內(nèi)存的電腦還能干什么？
2020-03-10 09:47:436719 DDR2 SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率結構實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率體系結構本質(zhì)上是4n預取體系結構，其接口設計為在I/O球處每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。DDR2 SDRAM的單次讀寫操作有效地包括在內(nèi)部
2020-05-21 08:00:00
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450
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