摘要：在以往的論文里，提到過薄膜電阻的阻值隨時間變化而發(fā)生漂移的現(xiàn)象，描述的是在“干熱”條件下發(fā)生的情況。然而，在相對濕度較高的地方或應用里使用電子設(shè)備時，對元器件的可靠性來說仍然是一個挑戰(zhàn)。因此，行業(yè)標準AEC-Q200要求在偏置濕度測試85℃ / 85 % RH條件下，也要對無源元件進行測試。通過認證的薄膜電阻采用了適當?shù)姆€(wěn)定R層和電絕緣漆，能夠通過 85 / 85測試。

　　會出現(xiàn)下面這些問題：

　?。?）通過1000小時的偏置85 / 85測試，對實際當中應用的薄膜電阻意味著什么？

　　（2） 在一定的負載和環(huán)境條件下，是否有可能通過使用經(jīng)過一定時間之后的85 /85測試數(shù)據(jù)或HAST數(shù)據(jù)，預測在最壞情況下的電阻漂移？

　　要回答這些問題和其他與測試有關(guān)的問題，我們對電阻在40 °C / 93 % RH 和85 °C / 85 % RH的工作情況，以及常用的標準測試情況，進行了長時間的實驗對比。在大約0.5%和10%的最大標定工作功率下，使用我們最靈敏的薄膜電阻層系統(tǒng)，將這些試驗的時間延長到4000小時。除此以外，我們還進行了70 °C / 90 % RH， 90 °C / 40 % RH， 以及HAST130條件下的測試，對電阻的溫度、濕度的線性度，以及電壓對漂移的影響進行了研究。

　　本文將說明這個對比研究的結(jié)果，那些數(shù)據(jù)點使我們能夠回答溫度和電壓的加速因子問題。這些成果將和現(xiàn)有的預測模型做對比。這些研究成果為設(shè)計出一個在整個溫度-濕度-時間域內(nèi)覆蓋所有老化條件、系統(tǒng)特性和元器件健康預測的新模型提供了基礎(chǔ)，

　　主要內(nèi)容

　　· 開發(fā)和定義一個電子元器件的通用（偏置）濕度加速和長期預測模型，并將這個模型用于研究靈敏的薄膜電阻。

　　· 模型考慮了熱和濕度對降級的影響，這樣就可以在整個溫度-濕度-時間域內(nèi)做預測。

　　· 明確的ln√t – 1 / T框圖包含了全部信息，使我們能夠計算文中討論的塑模/漆，以及功能層上所有相關(guān)材料的數(shù)據(jù)（活化能，濕度有關(guān)的材料特性，偏置電壓加速效應等）。

　　· 老化/氧化和腐蝕之間是有區(qū)別的。通過將暴露時間標準化，替代被測參數(shù)的漂移，可以消除這些相互矛盾現(xiàn)象之間的不一致性。

　　· 通常用實際的當前蒸汽壓做為明確的物理速率，替換相對濕度rh。在我們的模型里，rh的作用是估計擴散的實際速率。

　　· 分別找出電絕緣漆或塑模的擴散特性，做為溫度和濕度影響元器件參數(shù)降級的主要因素。

　　1. 引言

　　在前一篇論文里已經(jīng)介紹了在最高到175℃的相對溫度-時間-范圍內(nèi)的干熱條件下如何預測漂移。主要發(fā)現(xiàn)是由阿倫尼烏斯定律推導出的隨時間變化的現(xiàn)象，以及過程常量Tstab。在時間相關(guān)的阿倫尼烏斯等式基礎(chǔ)上提出了預測模型，可以確保器件安全和可靠地工作，預計時間可以達到200000小時或 20年以上。

　　對于工作在非常重要且十分惡劣環(huán)境條件下的應用，汽車行業(yè)對可靠性提出了更高的目標。除了在很多年前就已成為標準的40 °C / 93 % RH測試，偏置85 °C / 85 % RH測試已經(jīng)成為標準認證和車用無源元件的強制要求。尤其是無源元件的相互作用和降級機理的細節(jié)還相當模糊。在很多研討會和發(fā)布上，元器件制造商都表示85 / 85測試對他們的專用元器件來說太困難了（例如：AEC-RW 2012： Polymer-C; AEC-RW 2008： Tantalum-C，經(jīng)過168小時的85 / 85測試）。

　　器件符合85 / 85對長期使用意味著什么（如17年的產(chǎn)品壽命，在標定電壓下可工作5000到7000小時），汽車行業(yè)對此是一頭霧水。因此對無源元件預測模型的問題和需求隨之而來，尤其是電阻。既然Lawson等式還是預測有源器件的主流方法，有人會問，Lawson預測模型是否也適合電阻的潮濕老化和降級呢。

　　很多開放式的問題促使我們?nèi)ブ厥拔覀円呀?jīng)研究過和公開出版的薄膜電阻的預測方法，到目前為止，這些問題還沒有合適的模型，能夠檢驗該怎么把偏置濕度現(xiàn)象考慮進來，或者做得更好一點，能夠整合進來。

　　2. 偏置濕度： 老化或腐蝕效應

　　測試表明，由于熱尤其是潮濕條件的不同，過度潮濕測試的結(jié)果大相徑庭。在潮濕環(huán)境中暴露1000小時后，試驗結(jié)果的差異顯示在圖1中。

　　圖 1：試驗結(jié)果的差別

　　這些事實包含了很多開放式問題：

　　· 為什么測試溫度僅僅增加45K，偏置濕度的影響會這么大？

　　· 為什么薄膜電阻對偏置濕度的反應比干熱更敏感？

　　· 為什么更高的電壓會導致更低的漂移？

　　· 在偏置濕度測試中，降級的加速機制是什么？

　　· 是否有合適的方法，能夠估計和預測經(jīng)過偏置濕度應力后的阻值漂移？

　　最初的85/85測試被設(shè)計成可以加速濕氣滲透進非密封的IC封裝，以便引發(fā)金屬層里的腐蝕失效。在評估測試結(jié)果的時候，應當始終搞清楚，測試結(jié)果是由（可預測）的老化過程還是由（破壞性）的降級造成的。這樣我們就可以徹底地區(qū)分氧化/鈍化效應和腐蝕機制。圖2顯示了由這兩種原因引起參數(shù)漂移的基本區(qū)別。

　　圖2： 氧化/鈍化與腐蝕機制

　　3. 深入研究的測試程序

　　我們的測試計劃通盤考慮了下面這些因素：

　　· 按照AEC-Q200（同一批次，對所有被測變體進行激光微調(diào)）的要求，使用認證過的靈敏的薄膜電阻阻值；

　　· 比較偏置濕度85 / 85 測試結(jié)果與40 / 93測試結(jié)果；

　　· 引入70℃ /90% RH和90℃ /40% RH這兩個中間測試狀態(tài)；

　　· 延長測試或暴露時間到 4000小時 （10000小時）；

　　· 使用兩種不同的電絕緣漆；

　　· 在每個變體上施加兩種電壓/負載（從額定電壓的10%到30%，利用偏置濕度測試，按照標準車用元器件的要求進行認證）；

　　· 比較偏置測試和HAST 130（高加速應力測試：130℃和85%RH偏置濕度測試，相同的批次和電氣狀態(tài)）的結(jié)果。

　　很重要的一點是，兩種漆都按照85 / 85（也就是說我們只按照行業(yè)標準對可用的樣品進行了基本的研究）的行業(yè)要求經(jīng)過了完整的認證和發(fā)布。另一個重點是必須從最靈敏的阻值范圍內(nèi)選取樣品。圖3顯示了薄膜電子設(shè)計的臨界邊緣，可做借鑒。

　　圖3： 不同阻值的電阻層厚度

　　方形電阻R□的整個阻值范圍使有三種合金（I，II和III）決定的。合金II采用的是CrNiX（X代表第三種元素）。1 Ω～100Ω之間的R□是通過改變2μm到30nm的電阻層厚度來實現(xiàn)的。在氧化和腐蝕同時發(fā)生時，電阻層的改變會引發(fā)不同的效應。較厚的電阻層會出現(xiàn)表面或顆粒邊界效應。相反，我們必須面對在薄電阻層上出現(xiàn)的體積效應，這種效應可以影響整個層的厚度。在氧化的情況下，所有電阻材料都會受到影響。在腐蝕的情況下，這會導致電阻層的徹底破壞。為了做試驗，我們挑選了這類敏感的樣品，保證樣品會出現(xiàn)最壞的情況（電阻類型有MINI-MELF， MMA0204，最大阻值為180 kΩ，R□大約是800 Ω）。

　　各個測量點是從20個測試樣品的單一結(jié)果得到的。為了實現(xiàn)統(tǒng)計覆蓋到全部事件（最壞情況）的98%，每個測試點的參數(shù)值的概率分布都進行了估值。

　　4.測試結(jié)果和主要發(fā)現(xiàn)

　　兩種不同電絕緣漆和兩個不同偏置電壓的測試結(jié)果見圖4。我們找到了兩個明顯的降級機理，可以區(qū)分老化（40 / 93， 70 / 90）和破壞性的腐蝕狀態(tài)（85 / 85）。

　　圖4： 在測試環(huán)境中暴露4000小時后的測試結(jié)果 （40 / 93， 70 / 90， 85 / 85）

　　在這個階段，還不能根據(jù)85 / 85測試數(shù)據(jù)做比較或預測。因此，為了使用可比較的數(shù)據(jù)，我們在0.07%到0.1%再到0.2%的ΔR / R低漂移水平上，提出了對所有阻值漂移進行標準化的方法。通過定義一個既明顯但又幾乎不會造成破壞的可接受且在標準要求內(nèi)的漂移水平，我們就可以比較全部測試數(shù)據(jù)，另外還可以加上HAST 130的測試結(jié)果。標準化參數(shù)漂移的結(jié)果（在我們這個例子是ΔR / R）與相應的暴露時間參見圖5。暴露時間的標準化的各個測量點要么是直接推導出來的，或是經(jīng)過我們不同的濕度測試，從120個獨立的ΔR / R漂移測量結(jié)果推算出來的。

　　圖5： 在非破壞性的ΔR / R 水平上對測試結(jié)果進行標準化

　　每個參數(shù)的漂移從方方面進行了徹底的定義：幅度，系統(tǒng)/材料的關(guān)系，在規(guī)范內(nèi)可接受的值，估計的元器件預期壽命。

　　對于180 kΩ的薄膜電阻，我們定義并選取ΔR / R of ≤ 0.2 %（我們估計：只有顆粒邊緣的氧化會改變電導率，在材料層上也沒有體積效應）。

　　經(jīng)轉(zhuǎn)換后的第1種漆和第2種漆的測試數(shù)據(jù)見圖6（在這個階段，預估的RH設(shè)定值稍微有點差別，但沒有關(guān)聯(lián)）。尤其是在較低的溫度下，漆的變化很明顯。曲線可能匹配指數(shù)函數(shù)，但匹配度不是很好，尤其是第1種漆。

　　圖 6： 比較兩種漆的測試結(jié)果