電池材料知識：什么是多晶硅？
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多
2010-02-06 08:47:40
2224 多晶硅市場煙硝起 日廠以價(jià)格力拼歐美業(yè)者
接近第2季太陽能多晶硅采購尾聲，受到德國下修補(bǔ)助前需求拉升影響，多晶硅價(jià)格
2010-03-05 09:12:56613 中國商務(wù)部正式公布對美韓多晶硅料雙反初裁的結(jié)果，雙反初裁成立并不希奇，但令人出乎意料的是韓國OCI的稅率遠(yuǎn)較預(yù)期為低，僅有2.4%。
2013-07-24 09:30:06849 濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中進(jìn)行化學(xué)蝕刻
2022-03-28 14:20:49982 
本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測Cl2、HBr、O2和SF6等離子體中的Cl
2022-05-05 14:26:56761 
(BEOL)蝕刻中，在不去除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性是非常具有挑戰(zhàn)性的。概述了現(xiàn)狀、問題和一些新的方法。
2022-07-04 17:04:087175 
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:001235 %），接著是將這些純硅制成長硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。我們會(huì)聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑
2011-12-02 14:30:44
`FZ多晶硅24噸銷售，聯(lián)系人(傅)137-3532-3169`
2020-01-20 15:00:17
我有一臺U1252A手持式數(shù)字萬用表。當(dāng)儀表設(shè)置為AC V或AC mV，并且通過短線短路輸入時(shí)，殘留讀數(shù)約為15計(jì)數(shù)。在AC mV范圍內(nèi)，殘留物為14uV。該儀表在DC mV范圍內(nèi)具有類似的殘留
2018-11-15 16:33:51
本帖最后由 hughqfb 于 2013-3-22 12:34 編輯
第一次焊接144PIN的TQFP封裝的芯片，第一次沒成功，于是拆了再焊，終于成功，但是用洗板水洗過后芯片的引腳之間居然還留有很多白色的殘留物，十分惱火！大家求賜教如何去除白色殘留物！謝謝了！
2013-03-20 16:48:24
為什么多晶硅柵上還要再摞一層鎢？不用不行嗎？ 求大蝦指點(diǎn)
2012-01-12 17:22:54
低溫多晶硅制程是利用準(zhǔn)分子雷射作為熱源，雷射光經(jīng)過投射系統(tǒng)後，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的雷射光束，投射于非晶矽結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當(dāng)非晶矽結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準(zhǔn)分子雷射的能量后，會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)，因整個(gè)處理過程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可適用。
2019-09-18 09:11:05
SiO2，因?yàn)镾iO2可以與硅襯底形成非常理想的Si-SiO2界面。如圖1.13(a)所示，是最初鋁柵的MOS管結(jié)構(gòu)圖。 2、多晶硅柵MOS管 隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小，鋁柵與源漏擴(kuò)散區(qū)的套刻
2018-11-06 13:41:30
18914951168求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓、低壓、等離子體增強(qiáng)等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)
2018-11-05 15:42:42
農(nóng)藥殘留物檢測儀【恒美 HM-NC12】產(chǎn)品簡介： 農(nóng)藥殘留物檢測儀【恒美 HM-NC12】依據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)方法（GB/T5009.199-2003
2021-06-02 09:30:32
隨著集成電路制造與太陽能電池等產(chǎn)品對多晶硅需求的增長，我國多晶硅的自主供貨一直存在著嚴(yán)重的缺口，特別是近 近年來多晶硅市場售價(jià)的暴漲，已經(jīng)危及到我國多晶硅下游
2009-04-10 09:02:34
40 用微波光電導(dǎo)衰減儀(μ2PCD) 研究了不同溫度和時(shí)間的恒溫和變溫磷吸雜處理對鑄造多晶硅片電學(xué)性能的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn): 變溫吸雜明顯優(yōu)于恒溫吸雜,特別是對原生高質(zhì)量多晶硅; 其優(yōu)
2009-07-02 14:16:0841 世界多晶硅生產(chǎn)及市場發(fā)展1．1 太陽能電池對多晶硅材料需求量迅速增長近年來，受到硅太陽能電池發(fā)展所驅(qū)動(dòng)，多晶硅市場得以迅猛增長；未來的世界多晶硅生產(chǎn)與技術(shù)
2009-12-14 09:56:3421 本文首先對多晶硅硅芯進(jìn)行了多次縮比試驗(yàn)，掌握了多晶硅硅芯在不同環(huán)境條件下的電氣特性，然后分析國內(nèi)外多晶硅的生長控制技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)，結(jié)合多晶硅的生產(chǎn)原理和自身電
2010-08-26 15:41:3970 就建設(shè)1 000 t 電子級多晶硅廠的技術(shù)進(jìn)行了探討。對三氯氫硅法、四氯化硅法、二氯二氫硅法和硅烷法生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量、安全性、運(yùn)輸和存貯的可行性、有用沉積比、沉積速
2010-09-26 17:06:590 國內(nèi)某著名的多晶硅生產(chǎn)線的主控網(wǎng)絡(luò)采用PROFIBUS現(xiàn)場總線。多晶硅是電子信息產(chǎn)業(yè)和太陽能光伏發(fā)電行業(yè)的最重要功能
2010-11-29 16:08:4921 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584212 什么是多晶硅
多晶硅的英文全稱;polycrystalline silicon
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下
2009-04-08 17:16:521740 什么是多晶硅太陽電池？
多晶硅太陽電池的性能基本與單晶硅太陽電池相同，目前國
2009-10-23 14:34:42658 多晶硅光電池
p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應(yīng)，材料質(zhì)量有所下降時(shí)也不會(huì)導(dǎo)致光電
2009-10-23 14:48:25563 多晶硅中國模式輪回
在2009年之前，多晶硅產(chǎn)銷市場有兩個(gè)顯著特征：第一，是以小單位的公斤計(jì)量;第二，有著超額的暴利。并且，受到國家產(chǎn)業(yè)政策和地方政府的支
2009-11-02 16:04:50411 2006年全球及中國太陽能多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈研究報(bào)告
《2006年全球及中國太陽能多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈研究報(bào)告》詳細(xì)分析介紹了太陽能多晶硅材料從原材料硅砂-多晶硅-硅片-電池片-
2009-11-07 16:01:471002
多晶硅光電池
P－Si（多晶硅，包括微品）光電池沒有光致衰退效應(yīng)，材
2009-11-09 09:19:47481 太陽能部分多晶硅材料小知識及技術(shù)要求
A、太陽能級多晶硅料
技術(shù)要求：
總體
2009-11-14 10:30:59634 多晶硅生產(chǎn)污染物回收處理流程圖
高純多晶硅生產(chǎn)，工業(yè)上廣泛采用三氯
2009-11-20 15:04:42937 多晶硅提純技術(shù)
包括西門子法（包括改良西門子法）、流化床法和冶金法（包括物理法）。國際上生產(chǎn)高純多晶硅的生產(chǎn)工藝仍以"改
2009-11-20 15:07:301318 我國光伏多晶硅生產(chǎn)工藝有了革命性進(jìn)步
11月18日，河北英利集團(tuán)對外宣布，旗下六九硅業(yè)有限公司多晶硅一期項(xiàng)目首次采用新硅烷法生產(chǎn)多晶硅，使我國多晶硅
2009-11-25 10:48:02761 中國多晶硅產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“產(chǎn)能虛擬過?！?
2006年下半年以來，中國各地對多晶硅的投資逐步升溫，截至目前已建成產(chǎn)能接近5萬噸。然而，多晶硅建成產(chǎn)能與合格產(chǎn)量
2009-12-28 10:37:48663 工信部將提高多晶硅產(chǎn)業(yè)準(zhǔn)入條件
工信部25日發(fā)布消息稱，為了抑制低端產(chǎn)能重復(fù)建設(shè)，保證多晶硅產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)》正在制定中。
2010-01-27 09:27:56733 多晶硅“門檻”定調(diào)：2010或成行業(yè)分水嶺
山雨欲來，一場多晶硅行業(yè)的政策風(fēng)暴正在醞釀。
近日，記者獨(dú)家獲
2010-02-01 10:04:40483 2010年大陸多晶硅將短缺約3萬噸
大陸媒體報(bào)導(dǎo)，盡管2009年下半以來，大陸多晶硅產(chǎn)業(yè)過熱，產(chǎn)能過剩等預(yù)警不斷，然據(jù)大陸多晶硅業(yè)者說法，2009年大陸多晶
2010-02-08 09:12:02674 樂山電力多晶硅項(xiàng)目投產(chǎn)
2月8日，樂山電力控股子公司樂電天威硅業(yè)舉行3000噸/年多晶硅項(xiàng)目投料試生產(chǎn)成功剪彩儀式。公司表示，今年?duì)幦∩a(chǎn)1000噸以上多晶硅，20
2010-02-10 09:38:00770 pn結(jié)的形成/多晶硅中PN結(jié)是怎樣形成的？
PN結(jié)及其形成過程 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中， 正負(fù)電荷數(shù)是相等的，它們的作用相互抵消
2010-02-26 11:40:455038 多晶硅發(fā)射極晶體管,多晶硅發(fā)射極晶體管是什么意思
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛
2010-03-05 11:08:271560 數(shù)據(jù)顯示：我國進(jìn)口低價(jià)多晶硅大量涌入
3月17日，南京海關(guān)提供的最新數(shù)據(jù)顯示，今年1-2月江蘇口岸多晶硅進(jìn)口大幅飆升。
2010-03-19 09:08:15592 多晶硅準(zhǔn)入新門檻即將出臺
在2009年11月起醞釀的“多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導(dǎo)意見”中關(guān)于多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入門檻等條款出現(xiàn)較
2010-03-24 09:26:31547 低溫多晶硅,低溫多晶硅是什么意思
低溫多晶硅的全稱是“Low Temperature Poly-Silicon（LTPS，多晶硅又簡稱為p-Si，下同）”
2010-03-27 11:42:32793 多晶硅標(biāo)準(zhǔn)曲線發(fā)展 工信部醞釀產(chǎn)業(yè)化招標(biāo)
部委對多晶硅門檻準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)無法達(dá)成一致，使得標(biāo)準(zhǔn)遲遲無法推出。此背景下，工信部為推動(dòng)多晶
2010-03-31 10:03:39751 多晶硅難免產(chǎn)業(yè)整合
2009年我國多晶硅市場有一半依賴進(jìn)口，預(yù)料2010年同樣的情況依然會(huì)持續(xù)。2009年我國多晶硅的產(chǎn)量1.5萬噸左右，而市場實(shí)際需求近4萬噸，一半以
2010-04-12 10:35:42509 大陸多晶硅廠要與7大廠抗衡
2010年上半國際多晶硅價(jià)格由于終端需求強(qiáng)勁影響，穩(wěn)定維持在每公斤50~55美元，而大陸市場自制多晶硅價(jià)格第1季每公斤約人民幣395元、第2
2010-04-17 16:26:50598 瓦克總裁預(yù)估：多晶硅價(jià)格下滑趨勢不可避免
作為世界第二大多晶硅生產(chǎn)商，德國瓦克化學(xué)集團(tuán)（WACKER）在全球多晶硅行業(yè)的地位舉足輕重。該集團(tuán)中國區(qū)總裁周博世昨天
2010-04-19 09:42:29543 如何破解多晶硅企業(yè)的四氯化硅問題
多晶硅因用于新能源光伏產(chǎn)業(yè)而名聲大噪。它曾經(jīng)創(chuàng)造的財(cái)富神話更是吸引了大量企業(yè)紛紛上馬多晶硅項(xiàng)目。然而面
2010-04-21 11:26:241638 多晶硅制備詳細(xì)流程及
2011-01-10 16:18:1866 《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》近日終于正式發(fā)布在國家工信部的官方網(wǎng)站上。根據(jù)工信部公告，準(zhǔn)入條件于發(fā)布之日起實(shí)施，意味著這份對多晶硅及光伏行業(yè)影響深遠(yuǎn)的準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)已正式生效。
2011-03-04 09:12:32805 中國海關(guān)發(fā)布2011年6月多晶硅進(jìn)出口數(shù)字顯示：其中，當(dāng)月進(jìn)口多晶硅4692噸，出口多晶硅84噸。上半年累計(jì)進(jìn)口多晶硅達(dá)到30389噸，累計(jì)出口多晶硅680噸。從進(jìn)出口狀況看，中國多晶硅仍
2011-07-28 08:51:52653 硅業(yè)分會(huì)了解到，本周有國外多晶硅企業(yè)表示，由于目前全球多晶硅價(jià)格已降至低點(diǎn)。部分處于觀望情緒的下游光伏企業(yè)已準(zhǔn)備和該公司重新簽訂新的長單合同
2011-11-18 09:32:29791 據(jù)IHS iSuppli公司的光伏（PV）展望報(bào)告，光伏產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵原材料多晶硅生產(chǎn)技術(shù)過剩，將導(dǎo)致供過于求，造成其價(jià)格進(jìn)一步下滑。
2012-04-28 09:18:50642 
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 根據(jù)NPD Solarbuzz 2012年第三季度多晶硅及硅片供應(yīng)鏈季度報(bào)告，盡管很多領(lǐng)先的多晶硅生產(chǎn)商已經(jīng)在虧本經(jīng)營，預(yù)計(jì)全球多晶硅總產(chǎn)能在2012年和2013年仍將分別增長22%和18%。2012年光伏用多
2012-10-23 10:35:57726 
在真空熔煉過后，還要經(jīng)過一個(gè)降溫穩(wěn)定，就進(jìn)入定向凝固階段。這個(gè)過程既是多晶硅的晶體生長過程，也能夠?qū)厥樟虾鸵苯鸱?b class="flag-6" style="color: red">多晶硅料中含有的雜質(zhì)進(jìn)行進(jìn)一步的提純。 （一） 定向凝固與分凝現(xiàn)象 硅液中的雜質(zhì)
2017-10-20 10:37:0512 一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較 多晶硅太陽電池與單晶硅太陽電池相比有如下特點(diǎn)： （1）比起單晶硅，多晶硅硅片更適合用純度相對較低的原材料，且有更大的裝填量，目前常見的多晶硅錠達(dá)到 250~270
2017-11-13 14:49:0721 多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。本文主要介紹了多晶硅的概念、多晶硅的應(yīng)用價(jià)值以及國內(nèi)多晶硅上市公司排名概要。
2017-12-18 10:47:4065822 本文已多晶硅為中心，主要介紹了多晶硅的技術(shù)特征、單晶硅與多晶硅的區(qū)別、多晶硅應(yīng)用價(jià)值以及多晶硅行業(yè)走勢概況及預(yù)測進(jìn)行分析。
2017-12-18 11:28:1358358 多晶硅片，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。利用價(jià)值：從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料。
2018-01-29 19:25:1142188 目前多晶硅在工業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)普遍存在，因此多晶硅也越來越受人們的重視，那么多晶硅概念股龍頭股有哪些呢？
2018-01-30 11:55:2251009 本文開始介紹了太陽能電池的分類詳情與多晶硅太陽能電池優(yōu)點(diǎn)，其次介紹了多晶硅太陽能電池組件與多晶硅太陽能電池板組成，最后介紹了多晶硅太陽能電池板發(fā)電原理以及它的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-01-30 14:54:3024273 本文開始介紹了什么是多晶硅太陽能板與多晶硅太陽能板的組件結(jié)構(gòu)，其次介紹了多晶硅太陽能板五大品牌，最后介紹了四款多晶硅太陽能板的價(jià)格。
2018-01-30 16:54:257177 相對于太陽能級多晶硅99.9999％純度，電子級多晶硅的純度要求達(dá)到99.999999999％。5000噸的電子級多晶硅中總的雜質(zhì)含量相當(dāng)于一枚1元硬幣的重量。
2018-07-12 14:40:0024539 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性價(jià)比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063230 改良西門子法生產(chǎn)多晶硅屬于高能耗的產(chǎn)業(yè)，其中電力成本約占總成本的70%左右。SiHCl3還原時(shí)一般不生產(chǎn)硅粉，有利于連續(xù)操作。該法制備的多晶硅還具有價(jià)格比較低、可同時(shí)滿足直拉和區(qū)熔要求的優(yōu)點(diǎn)。因此是
2019-04-11 13:57:3978251 多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。
2019-04-11 14:02:2019208 多晶硅生產(chǎn)的原料是三氯氫硅和氫氣，按照一定的比例計(jì)入還原爐內(nèi)進(jìn)行熱分解和還原反應(yīng)產(chǎn)生多晶硅棒。
2019-04-11 14:07:3535205 焊劑殘留物在不同的條件下形成不同的形態(tài)，一般再流焊接完成后，焊膏中焊劑殘留呈玻璃態(tài)，但如果焊點(diǎn)形成的環(huán)境比較封閉，就會(huì)形成粘稠狀的松香膜，我們稱之為“濕”的焊劑殘留物。如果焊點(diǎn)在高溫高濕環(huán)境下存
2019-09-30 11:22:294199 本文主要介紹波峰焊工藝中的焊點(diǎn)殘留物，圍繞深色殘余物、綠色殘留物、白色腐蝕物這三點(diǎn)進(jìn)行說明！
2020-04-15 11:23:436575 目前，國內(nèi)市場多晶硅供應(yīng)充裕，廠家裝置部分停工，國內(nèi)整體開工率保持在80-90%，截止4月17日，國內(nèi)多晶硅廠家只有1-2家裝置檢修或降負(fù)荷生產(chǎn)，國內(nèi)生產(chǎn)保持較高開工率。
2020-04-21 17:01:211699 隨著多晶硅的廣泛使用，多晶硅行業(yè)發(fā)展也越來越迅速，隨之而來就是大量整流裝置、變頻器、可控硅調(diào)溫等非線性負(fù)載的使用，使得多晶硅供電系統(tǒng)和上級電網(wǎng)的電能質(zhì)量受到嚴(yán)重污染，整個(gè)系統(tǒng)的安全運(yùn)行存在較大的隱患
2020-08-24 17:02:241129 
多晶硅生產(chǎn)工藝流程,多晶硅最主要的工藝包括，三氯氫硅合成、四氯化硅的熱氫化（有的采用氯氫化），精餾，還原，尾氣回收，還有一些小的主項(xiàng)，制氫、氯化氫合成、廢氣廢液的處理、硅棒的整理等等。 主要反應(yīng)包括
2020-12-29 14:41:0227183 一、多晶硅錠的制備工藝 根據(jù)生長方法的不同，多晶硅可分為等軸晶、柱狀晶。通常在熱過冷及自由凝固的情況下會(huì)形成等軸晶，其特點(diǎn)是晶粒細(xì)，機(jī)械物理性能各向同性。如果在凝固過程中控制液固界面的溫度梯度，形成
2020-12-29 11:41:325566 多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。
2021-02-24 16:00:0415741 農(nóng)藥殘留物檢測儀【恒美 HM-NC12】快速檢測農(nóng)藥殘留問題。 為保障廣大消費(fèi)者飲食安全，相繼出臺了一系列的食品安全法規(guī)，對果蔬等農(nóng)產(chǎn)品的農(nóng)藥殘留有嚴(yán)格的規(guī)定要求。但是對于農(nóng)藥殘留的檢測沒辦法依靠
2021-06-10 14:40:58317 最近做火爆的話題就是多晶硅漲價(jià)，不管是行業(yè)內(nèi)還是投資界都在熱議多晶硅漲價(jià)，多晶硅漲價(jià)也造成了很多奇葩的現(xiàn)像，大家又開始坐不住了，對多晶硅冷嘲熱諷以致死心并強(qiáng)行帶著“三高”帽子的人們，發(fā)現(xiàn)風(fēng)向不對
2021-06-17 14:43:322576 引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜研究了氫氟酸對GaAs晶片的腐蝕。發(fā)現(xiàn)在蝕刻
2021-12-28 16:34:37627 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因?yàn)樗鼈兛梢?b class="flag-6" style="color: red">形成具有隨機(jī)金字塔的表面紋理，從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過
2022-01-13 14:47:19624 
在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線后離子注入（源極/漏極、擴(kuò)展），使用PR來阻斷部分電路導(dǎo)致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。
2022-03-24 16:03:24778 
我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度
2022-04-13 15:24:371390 
(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物，該殘留物包含來自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物，以及最后來自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對浸金的蝕刻后殘留物無效，需要在去除殘留物之
2022-06-09 17:24:132320 
引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動(dòng)放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 
引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系列研究中，開發(fā)了一種配方平臺，其成功地清潔
2022-06-23 15:56:541073 
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是銀灰色、有金屬色澤的晶體，是以工業(yè)硅為原料經(jīng)一系列的物理化學(xué)反應(yīng)提純后達(dá)到一定純度的非金屬材料。
2023-02-13 13:49:2412996 
發(fā)現(xiàn)PCBA 上的殘留物對PCBA 的可靠性水平影響極大，而在殘留物中，無機(jī)殘留物會(huì)減小絕緣電阻，增加焊點(diǎn)或?qū)Ь€間的漏電流，在潮濕空氣條件下，還會(huì)使金屬表面腐蝕；有機(jī)殘留物(如松香、油脂等)會(huì)形成絕緣膜，從而影響連接器、開關(guān)和繼電器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122 
2023-06-12 16:44:423981 也帶來腐蝕和漏電等問題。一般的電子產(chǎn)品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現(xiàn)。焊后錫膏殘留物帶來的危害：1、顆粒性污染物易造成電短路；2、極性玷污物會(huì)造成介質(zhì)擊穿、漏電和元
2023-07-25 19:18:26715 
層的作用，只會(huì)留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少，但對于某些高精密器件仍不可忽視。因此，免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。
2024-01-08 09:04:56143 
多晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽能電池板制造：多晶硅是太陽能電池板制造的關(guān)鍵材料之一。它可以通過將硅礦石熔化、形成硅棒并切割成薄片，進(jìn)而制備
2024-01-23 16:01:47666 淺談安科瑞有源濾波器在多晶硅行業(yè)中的應(yīng)用 張穎姣 安科瑞電氣股份有限公司 上海嘉定 201801 摘要：本文結(jié)合青海黃河水電多晶硅項(xiàng)目中的有源濾波器使用效果進(jìn)行應(yīng)用分析，結(jié)果表明有源濾波器在多晶硅
2024-02-22 14:46:52120 
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