啟動(dòng) mqSemi 引入了單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)，適用于基于功率 MOS 的設(shè)備。S-MOS 技術(shù)采用 Silvaco Victory 工藝和器件軟件在 1200V SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)上采用和實(shí)施。提供了一整套靜態(tài)和動(dòng)態(tài)結(jié)果，用于將 S-MOS 與使用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較，如參考文獻(xiàn)中所定義。
隨著時(shí)間的推移，MOS 單元制造和設(shè)計(jì)平臺(tái)顯著提高了功率 MOSFET 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 等硅基功率器件的性能。在這兩種器件中，平面或溝槽 MOS 單元都以蜂窩或線(xiàn)性模式分組。
硅基 MOS 器件的結(jié)果可用于制造需要高單元封裝密度的 SiC 功率 MOSFET。近年來(lái)，人們提出了先進(jìn)的 3D 設(shè)計(jì)方法來(lái)改進(jìn)設(shè)備的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。利用多維通道寬度來(lái)提高單元密度并最小化 RDS（通態(tài)電阻）的低壓 FinFET 單元架構(gòu)連接到這些 3D 拓?fù)?(ON)。

采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?；酒骷?fù)浒ù怪?a target="_blank">肖特基二極管或垂直功率 MOSFET（在通過(guò) JFET 適當(dāng)分流后）。
因此，許多用于保持硅器件長(zhǎng)期穩(wěn)定性的工藝也可以用于保證 SiC 器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。然而，仔細(xì)觀(guān)察發(fā)現(xiàn)，基于 SiC 的器件需要比基于 Si 的器件進(jìn)行額外且不同的可靠性測(cè)試，例如材料的獨(dú)特性能和缺陷、更大的帶隙和更高的電場(chǎng)，特別是在結(jié)終端區(qū)域，以及在更高的溫度和開(kāi)關(guān)頻率。

S-MOS 電池概念

與這種三維結(jié)構(gòu)趨勢(shì)相吻合的是由初創(chuàng)公司mqSemi開(kāi)發(fā)的“Singular Point Source”MOS單元概念（也稱(chēng)為S-MOS）。mqSemi 由 Munaf Rahimo 和 Iulian Nistor 創(chuàng)立，總部位于瑞士，致力于開(kāi)發(fā)先進(jìn)的功率半導(dǎo)體概念，解決用于電動(dòng)汽車(chē)、汽車(chē)和可再生能源等應(yīng)用的下一代電力電子系統(tǒng)。mqSemi 在過(guò)去兩年中申請(qǐng)了 20 多項(xiàng)專(zhuān)利，已經(jīng)進(jìn)行了大量的模擬，現(xiàn)在已準(zhǔn)備好進(jìn)入原型制作階段。mqSemi 團(tuán)隊(duì)在 IGBT 方面獲得的多年經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)，對(duì)解決碳化硅 MOSFET 的關(guān)鍵問(wèn)題有很大幫助；例如降低損耗、提供穩(wěn)健的短路模式和阻斷行為、柵極驅(qū)動(dòng)控制和高頻振蕩。

mqSemi 的發(fā)言人 Rahimo 和 Nistor 表示：“我們相信，對(duì)于一個(gè)可持續(xù)發(fā)展的世界，我們將需要基于高效、緊湊、可靠和具有成本效益的功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用，這些器件是技術(shù)領(lǐng)先和以創(chuàng)新為中心的。”

S-MOS 的好處是雙重的：一方面，它使用獨(dú)特的方法精心定義了總通道寬度，也稱(chēng)為通道面積；另一方面，它可以實(shí)現(xiàn)更高的 MOS 單元封裝密度。此外，S-MOS 概念可以在 MOSFET 和 IGBT 上實(shí)現(xiàn)，從而提高開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的整體損耗。

S-MOS 單元與標(biāo)準(zhǔn)平面單元和溝槽 MOS 單元的不同之處在于如何設(shè)計(jì)每個(gè)器件面積的總溝道寬度（W ch參數(shù)）。如圖 1a 和圖 1b 所示，平面或溝槽 MOS 單元的溝道寬度 W ch定義為 N++ 源極周?chē)目偼鈬嚯x，它還取決于 MOS 單元排列的幾何形狀（線(xiàn)性或蜂窩布局設(shè)計(jì)）。S-MOS 單單元溝道寬度 W ch，如圖 1c 所示，由 N++ 源極和 P溝道結(jié) W PNJ長(zhǎng)度的小尺度尺寸定義。通過(guò)將這個(gè)小的幾何特征定位在溝槽側(cè)壁上，預(yù)定的單位溝道長(zhǎng)度 W chn提供。對(duì)于 S-MOS，N++ 和 P通道輪廓類(lèi)似于平面單元的輪廓，但位于溝槽側(cè)壁上。因此，總溝道寬度取決于每個(gè)芯片的門(mén)控溝槽側(cè)壁的總數(shù)。如圖 1c 底部所示（紅色虛線(xiàn)），N++/P通道結(jié)的形狀可以近似為“四分之一圓”，單個(gè)溝槽的 W chn尺寸約為 150-300 nm側(cè)壁。給定芯片面積的總 W ch可以作為所有溝槽側(cè)壁上所有 W chn的總和獲得。

圖 1：源 MOS 單元概念

The S-MOS concept has been demonstrated by means of 2D and 3D TCAD simulations conducted on 1200V SiC MOSFETs, including the S-MOS and reference planar and trench structures.

“During the simulation, we found a very special feature, that we were not expecting, on the side-wall of a trench, where we could get the so called channel width which defines the total channel density which was something based on a diffusion profile”, said the speaker at mqSemi.

The simulation was peformed on a 1200V SiC MOSFET because the static losses, measured by Rds(on), are not difficult to assess. The same technology can be applied to different voltage classes, as well. Static and mixed mode inductive load dynamic simulations were carried for all device structures (S-MOS, Trench and 2D Planar) which were scaled for a total active area of 1cm2. The output voltage-current characteristics obtained with the simulation are shown in Figure 2; the upper image refers to a voltage range up to 600V, while the lower image is a zoom-in up to 1V at Vgs=15V and 150°C. The S-MOS concept has provided low Rdson levels (around 3 mΩ-cm2 在 150°C），類(lèi)似于溝槽電池。然而，如圖 2 所示，與其他參考模型相比，S-MOS 還提供平坦的飽和電流。

圖 2：1.2kV SiC MOSFET 輸出曲線(xiàn)，Vgs=15V，150°C

“我們發(fā)現(xiàn)我們有更好的切換可控性，這就是進(jìn)入第三維的全部想法。與溝槽電池相比，我們獲得了大大降低的開(kāi)關(guān)損耗，并且我們有更多的設(shè)計(jì)自由度來(lái)進(jìn)一步優(yōu)化它并獲得更高的電池密度”，mqSemi 的發(fā)言人說(shuō)。

在 150°C 下對(duì)所有器件的短路電流進(jìn)行了仿真，顯示了 S-MOS 如何表現(xiàn)出更少的短溝道效應(yīng)并改善了傳導(dǎo)損耗和短路性能之間的權(quán)衡。盡管 S-MOS 概念仍需要進(jìn)一步的設(shè)計(jì)優(yōu)化，但所展示的性能非常有前途，在 mqSemi，他們認(rèn)為已經(jīng)為下一階段做好準(zhǔn)備，即原型設(shè)計(jì)。

審核編輯：劉清