對NAND閃存以及DRAM減產(chǎn)。 ? 在今年第一季度財報中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)暴虧4.58萬億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產(chǎn)”的承諾，表示將調(diào)整存儲芯片產(chǎn)量。經(jīng)過半年多的減產(chǎn)等調(diào)控措施，從近期包括三星在內(nèi)的多家存儲大廠的動作來看，存
2023-10-08 09:01:37
2444 三星電子正在就收購大陸集團(tuán)的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和車載顯示器等核心電子業(yè)務(wù)展開深入談判。
2024-03-22 14:10:5711 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1513 
三星計(jì)劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)，在2023年宣布了重大的業(yè)務(wù)分拆計(jì)劃，旨在將其HDD機(jī)械硬盤業(yè)務(wù)和Flash閃存及SSD固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行拆分，各自獨(dú)立成為新的公司。這一戰(zhàn)略決策旨在更好地適應(yīng)市場變化，提升業(yè)務(wù)運(yùn)營效率，并促進(jìn)各業(yè)務(wù)的持續(xù)發(fā)展。
2024-03-11 11:07:13206 據(jù)最新報道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商陷入停滯，此后西部數(shù)據(jù)宣布，他們將逐步剝離受供應(yīng)過盛所困的閃存業(yè)務(wù)
2024-03-06 16:57:07243 潘建成表示，群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為，原廠擴(kuò)大產(chǎn)能，有利于維護(hù)NAND市場秩序，使價格合理回歸，否則過高的漲勢會打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
KKR接近以40億美元收購博通子公司 據(jù)外媒報道，私人股權(quán)投資公司KKR將以約40億美元的價格收購博通旗下一家做軟件業(yè)務(wù)的子公司。
2024-02-25 14:19:41195 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 Synopsys，這是一家專注于芯片設(shè)計(jì)軟件的公司，近日已向工程軟件供應(yīng)商Ansys提出了收購要約。這起收購案的估值達(dá)到了驚人的300億美元。目前，兩家公司正在進(jìn)行排他性談判，如果一切順利，協(xié)議最快可能在不久的將來達(dá)成。
2024-01-09 15:23:41402 ）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動設(shè)備（如智能手機(jī)和平板電腦）提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597 什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 
NAND介紹
什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF
2024-01-05 17:54:39
NAND產(chǎn)品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。
2023-12-26 13:54:3199 
大家好，很榮幸得到阿爾達(dá)H-30T恒溫電烙鐵 的測試使用名額，感謝阿爾達(dá)科技提供的樣品，以及發(fā)燒友論壇。
前端時間，我正好出差，這次就帶著這支阿爾達(dá)H-30T，實(shí)際使用了一番，特別好用，焊個航插
2023-12-14 21:03:28
價格上調(diào)公告稱，主力產(chǎn)品hdd和nand閃存將縮短報價時間，定期調(diào)整價格。其中，hdd產(chǎn)品將每周審查價格，從明年上半年開始上調(diào)。nand閃存在未來幾個季度內(nèi)價格會上漲，可能會比現(xiàn)在上漲55%左右。
2023-12-07 14:18:58226 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 
據(jù)報道，韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗(yàn)證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 器 （NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發(fā)明并獲得 1997 年 IEEE 的獎勵。1988 年 Intel 發(fā)布了最早的或非閃存器產(chǎn)品
2023-11-23 09:36:17909 
目前，Marvell以自主開發(fā)或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此，Marvell在企業(yè)市場上的運(yùn)營受到了影響，Marvell正在縮小相關(guān)團(tuán)隊(duì)。
2023-11-17 10:28:48362 。CSNP4GCR01-AMW是一種基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲；而CSNP32GCR01-AOW是一種基于NAND閃存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存儲。與原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準(zhǔn)，nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 作為一名DIY愛好者，我非常喜歡嘗試各種新產(chǎn)品。最近，我有幸試用了阿爾達(dá)H-30T高溫休眠版恒溫電烙鐵，并分享一下我的使用體驗(yàn)。
首先，我要贊揚(yáng)阿爾達(dá)的設(shè)計(jì)，這款電烙鐵非常精致，手感非常舒適。它
2023-11-15 08:53:28
資料顯示，8月28日，小鵬汽車官宣收購滴滴造車業(yè)務(wù)，計(jì)劃以最高58.35億港元（7.44億美元）的價格收購滴滴智能汽車開發(fā)業(yè)務(wù)計(jì)劃，同時與滴滴簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，利用各自領(lǐng)域的優(yōu)勢資源的計(jì)劃。為了電動汽車和相關(guān)技術(shù)的快速落實(shí)，雙方攜手合作。
2023-11-14 14:21:55336 大家好，很榮幸得到阿爾達(dá)H-30T恒溫電烙鐵 的測試使用名額，感謝阿爾達(dá)科技提供的樣品，以及發(fā)燒友論壇。
飲水思源
既然用到了阿爾達(dá)科技的樣品，所有我覺得有必要介紹了解一下阿爾達(dá)這個品牌。我從淘寶網(wǎng)
2023-11-12 18:57:43
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111212 據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設(shè)備，并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:031140 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價格，試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。
2023-11-02 10:35:01523 西部數(shù)據(jù)（Western Digital）宣布計(jì)劃將其閃存業(yè)務(wù)與硬盤驅(qū)動器業(yè)務(wù)分拆為兩家獨(dú)立上市的公司。這一決定是為了滿足激進(jìn)投資者埃利奧特（Elliott Management）的要求，并因應(yīng)市場變化和競爭壓力。
2023-11-01 16:15:46404 從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 在NAND閃存市場難以復(fù)蘇的情況下，三星升級西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰(zhàn)略對策；去年下半年開始，IT市場放緩和半導(dǎo)體市場疲軟也導(dǎo)致三星電子NAND業(yè)務(wù)下滑。
2023-10-17 15:29:57433 中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832 據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實(shí)際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成，每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不同的擦除次數(shù)。在多個相同的樣本區(qū)域中，任意兩個相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
2023-10-13 09:47:33313 
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業(yè)，由于存儲器市場的需求減少，企業(yè)紛紛減產(chǎn)，因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 歡迎frt和員工們來到康特科技大家庭?？堤厥紫瘓?zhí)行官Rafi Amit表示：“希望通過此次
收購鞏固康特科技的市場領(lǐng)先地位，到2024年每年創(chuàng)造3千萬美元以上的收益，并在
收購后的12個月內(nèi)實(shí)現(xiàn)價值增加?！?/div>
2023-09-19 14:18:26467 業(yè)內(nèi)人士說：“nand閃存價格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷售價格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營，擴(kuò)大減產(chǎn)，價格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 
閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產(chǎn)品的存儲應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 
斯丹集團(tuán)收購 Minntronix 并納入斯丹電子業(yè)務(wù)
2023-09-08 09:37:55613 
沒有SPI-Nand, NAND 無法啟動
2023-09-06 06:24:06
三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競爭力計(jì)劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 比亞迪史上最大并購案已初步敲定 158億收購捷普生產(chǎn)制造業(yè)務(wù) 今日發(fā)布公告稱比亞迪電子與捷普新加坡正式簽署框架協(xié)議，以約158億人民幣（約22億美元）現(xiàn)金，收購捷普成都、無錫的產(chǎn)品生產(chǎn)制造業(yè)務(wù)。此次
2023-08-28 19:02:165510 連接器大企信維通信近年來不斷拓展新業(yè)務(wù)，近日在第五屆董事會第五次會議決議公告中宣布，將擬9.9億元收購維仕科技，計(jì)劃拓展聲學(xué)器件業(yè)務(wù)。
2023-08-23 11:02:14570 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 消息人士補(bǔ)充說：“盡管nand閃存價格上漲，但中國存儲器模塊企業(yè)最近停止了價格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會上調(diào)價格，因此模塊企業(yè)計(jì)劃將價格上調(diào)8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285 來源：半導(dǎo)體芯科技編譯 日前，英特爾表示，由于無法及時獲得監(jiān)管部門批準(zhǔn)該筆54億美元的交易，公司已終止收購以色列合約芯片制造商Tower Semiconductor的計(jì)劃。 其公告聲明稱，英特爾去年
2023-08-17 17:09:10699 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58422 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
中國上海，2023 年 7 月 28 日——楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，雙方已就 Cadence 收購 Rambus SerDes 和存儲器接口 PHY
2023-07-28 17:11:51988 SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非?；钴S，最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖，預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。
2023-07-24 17:06:29901 
對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴(kuò)張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長
2023-07-24 14:42:48808 
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102 NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn)，但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 ·本次交易將助力羅姆成為透明薄膜與板材領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 ·收購預(yù)計(jì)將于2024年上半年完成 2023年6月，羅姆與沙特基礎(chǔ)工業(yè)公司(SABIC)簽署了一份買賣協(xié)議，收購SABIC旗下PC薄膜板材業(yè)務(wù)
2023-06-25 10:21:19850 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561724 
無獨(dú)有偶，SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，很快又發(fā)布了同樣基于QLC閃存的全新企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，再次引發(fā)了“QLC取代TLC”的話題討論。據(jù)悉，P5-D5430采用大連Fab 68工廠出品的192層堆疊3D QLC閃存芯片（該廠的QLC產(chǎn)品占40%以上）
2023-06-13 16:16:00340 
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 1. 消息稱三星醞釀 NAND 存儲晶圓漲價，報價漸趨強(qiáng)硬 ? 據(jù)報道，三星計(jì)劃提高 NAND 晶圓價格。此外，如果消費(fèi)電子市場需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報價或?qū)⒒厣?。報道稱，韓國
2023-06-09 12:01:041114 
SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 連接 Spansion S25 閃存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函數(shù)來傳輸和接收數(shù)據(jù)，但是函數(shù)描述告訴長度參數(shù)是要發(fā)送的字節(jié)數(shù)，但是我們?nèi)绾尾拍苁褂孟嗤暮瘮?shù)接收所需的字節(jié)數(shù)？
2023-05-29 06:05:57
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。
因?yàn)槲以噲D將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 大家好， 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊，它表示支持每個區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
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