中囯三大存儲器廠，長江存儲、晉華及合肥長鑫都已進(jìn)入試產(chǎn)階段，并計劃2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。這是中囯半導(dǎo)體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn)，是零的突破。為了迎接專利戰(zhàn)，必須學(xué)習(xí)上海中微半導(dǎo)體，從公司成立起就聘用美國律師，準(zhǔn)備好一切材料準(zhǔn)備好打?qū)＠麘?zhàn)，并且不要抱有幻想，這一仗是不可避免的。
2018-06-19 09:27:03
3903 硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 11:05:091098 
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習(xí)本，買來的時候是空白的，能寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除
2010-11-04 18:15:42
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習(xí)本，買來的時候是空白的，能寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除
2010-11-01 13:14:23
概述：ST24C16是意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協(xié)議的16kbit EEPROM存儲器，其具備100萬次可擦寫、保存40年數(shù)據(jù)不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
1.假定用若干個16Kx1位的存儲器芯片組成一個64Kx8位的存儲器，芯片內(nèi)各單元連續(xù)編址，則地址BFF0H所在的芯片的最小地址是（C）A.40000H B.60000H C.8000H
2021-07-26 06:45:26
自己看教程學(xué)習(xí)匯編語言，發(fā)現(xiàn)自己寫的這段都是錯誤，有點對自己能不能學(xué)好產(chǎn)生懷疑。萬事開頭難，曬出來自勉！第一次發(fā)帖，第一次自己思考編程。望見諒MOV DPTR 2000H ‘片外數(shù)據(jù)存儲器不能直接
2015-09-27 05:51:40
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
匯編語言程序目錄一、CPU對存儲器的讀寫二、內(nèi)存地址空間三、將各類存儲器看作一個邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機為例一、CPU對存儲器的讀寫CPU想要進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫
2021-12-10 08:04:16
鐵電晶體的狀態(tài)就可以了，而無需進(jìn)行恢復(fù)。但是寫操作仍要保留一個“預(yù)充”時間，所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比，速度要快得多，而且功耗小。2.3 FRAM的讀寫
2014-04-25 13:46:28
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
自動流程跑一次需要寫一次FLASH操作，那么FLASH很快就會掛掉。原因很簡單，因為FLASH的一般壽命都在10萬次左右，好點的也就100萬次，按照客戶要求去計算的話，一年最大可能要寫FLASH將近
2020-05-04 05:55:58
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
。手動的高速緩存一致性操作（例如全局或模塊回寫和/或無效）占用較少的周期即可完成，這就意味著在為共享存儲器判優(yōu)的過程中，實現(xiàn)CorePac 之間或 CorePac 與 DMA 主系統(tǒng)的同步將需要更短
2011-08-13 15:45:42
M451中，F(xiàn)MC控制flash讀寫，數(shù)據(jù)可否做到寫100萬次？要用什么機制？有沒有例程？
2023-06-25 08:02:41
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
有效、連續(xù)傳送多字節(jié)的數(shù)據(jù)，可以一次最多進(jìn)行 64 字節(jié)（1 頁大小）的數(shù)據(jù)替換。狀態(tài)寄存器的讀／寫操作除了不必賦予地址外，其他與存儲器的讀／寫操作相同。當(dāng)狀態(tài)寄存器連續(xù)進(jìn)行讀操作時，將一個個讀出
2018-04-18 10:34:47
大家好，之前玩過51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊時看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器，手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
題目是一個停車場計時系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號，用來讀取存儲器中對應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
ROMEPROMEEPROMFLASH數(shù)據(jù)保存方法施加電壓施加電壓+更新不需要讀取次數(shù)∞∞100億～1兆次∞∞∞∞可改寫次數(shù)∞∞0次100次10萬～100萬次1萬～10萬次在電路板上的寫入可以可以可以××可以可以讀取時間
2019-04-21 22:57:08
，還是可以直接重寫？
2，其規(guī)格書上寫的讀寫壽命10萬次，按理解應(yīng)該是擦寫10萬次，讀的次數(shù)應(yīng)該是沒有次數(shù)限制的對嗎？
3，如果我每次只寫一頁中的一個字節(jié)，那這個字節(jié)的擦寫次數(shù)仍能達(dá)到10萬次嗎？
4
2023-06-25 10:24:18
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習(xí)本，買來的時候是空白的，能寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除
2021-11-24 09:13:46
上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37
用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它里面的內(nèi)容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象“消
2017-03-25 10:22:51
單片機如何寫一段宏來控制外部存儲器的訪問？
2021-10-29 06:24:53
只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它里面的內(nèi)容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線
2018-06-12 10:35:10
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
528字節(jié)，依次分為2個256字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)，最后是16字節(jié)的備用空間。K9F5608具有以下特點： 以頁為單位進(jìn)行讀/寫操作，而擦除操作以塊為單位，讀、寫和擦除操作均通過命令完成；不能字節(jié)擦除，在每次改寫操作之前需要先擦除一整塊；出廠時有一定比例的壞塊存在；每一塊的擦除次數(shù)有限，為10萬次左右[1]。
2019-06-20 07:25:24
外部數(shù)據(jù)存儲器的擴展一、實驗?zāi)康亩?、實驗?nèi)容三、實驗步驟四、C代碼如下五、實驗結(jié)果六、實驗體會一、實驗?zāi)康恼莆諉纹瑱C系統(tǒng)外部存儲器電路的擴展方法掌握單片機外部存儲器中變量定義和讀/寫編程熟悉在仿真
2021-12-07 11:24:17
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設(shè)計與實現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計呢？
2019-08-02 06:49:22
如何實現(xiàn)擴展存儲器的設(shè)計？
2021-10-28 08:08:51
DDR3存儲器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個特定的FPGA系列LatticeECP3實現(xiàn)DDR3存儲器控制器。
2021-04-30 07:26:55
請問大蝦：
現(xiàn)象：連續(xù)寫AD5421的數(shù)據(jù)寄存器，可以使AD5421輸出電流保持住。但是只寫一次數(shù)據(jù)寄存器，AD5421的輸出電流無法保持，但是讀數(shù)據(jù)寄存器時，寄存器的值是寫進(jìn)去的值。
問題：如何只寫一次數(shù)據(jù)，就讓AD5421的輸出電流保持住
2023-12-19 08:24:45
本文提出了一個網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本解決方案，實現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
為什么要有系統(tǒng)調(diào)用？虛擬存儲的作用是什么？為什么虛擬存儲可以實現(xiàn)？寄存器和存儲器的區(qū)別在哪？
2021-09-29 08:22:56
操作出錯概率的增加，即寫入存儲器的數(shù)據(jù)會丟失，而存儲器的內(nèi)容卻仍然可被正常讀出，當(dāng)然上述現(xiàn)象只有在存儲器讀寫次數(shù)達(dá)到１００億次之后才會出現(xiàn)，因此，為了延長存儲器的讀寫壽命，可以根據(jù)數(shù)據(jù)讀寫的頻繁程度
2019-04-28 09:57:17
EEPROM通常擦寫次數(shù)都在百萬次以下，如果每秒寫一次，幾天就廢了，有沒有擦寫次數(shù)無限制的類似產(chǎn)品？
2023-11-08 06:15:04
均值和報警次數(shù)。5. 使用For 循環(huán)、Case 結(jié)構(gòu)及順序結(jié)構(gòu)構(gòu)建VI。要求分別使用公式節(jié)點和LabVIEW 算術(shù)函 數(shù)實現(xiàn)開普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結(jié)構(gòu)和定時選板下的時間計數(shù) 器.vi 比較兩種實現(xiàn)方法計算200 萬次開普勒方程所用時間。
2014-04-02 11:14:33
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
穩(wěn)定，不會出現(xiàn)FLASH 存儲器的“Data-tearing”現(xiàn)象。? 耐久性強(讀/寫次數(shù))-FRAM的讀/寫周期數(shù)為一百萬億次(10E15) ，而通常的FLASH/ EEPROM 只有一百萬次
2019-06-12 05:00:08
我手頭有塊pic12c508a，我想知道他能燒寫多少次，在網(wǎng)上查了下資料，有的說支持一次燒寫，有的說能燒寫100萬次！請大神指點迷津！
2019-01-21 06:35:12
10 萬次，EMMC 的塊擦寫最高也會有 1 萬次；同理，EEPROM、SD 卡、CF 卡、U 盤、Flash 硬盤等存儲介質(zhì)在都存在寫壽命的問題。在文件系統(tǒng)向寫數(shù)據(jù)的底層存儲器塊寫數(shù)據(jù)時，常規(guī)會
2020-09-16 10:58:10
。但這三種方案均存在著缺陷。其中SRAM加后備電池的方法增加了硬件設(shè)計的復(fù)雜性，同時由于加了電池又降低了系統(tǒng)的可靠性；而EEPROM的可擦寫次數(shù)較少(約100萬次)，且寫操作時間較長(約10 ms
2014-04-25 11:05:59
的單元都是并聯(lián)的。NOR閃速存儲器以讀取速度 100ns的高速在隨機存取中受到人們的青睞。但由于其單元尺寸大于NAND閃速存儲器，存在著難以進(jìn)行高度集成的問題。寫人時采用CHE（Channel
2018-04-09 09:29:07
記憶。浮置柵被設(shè)計成可以存儲電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進(jìn)行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長時間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲器將失去
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
寫入每個數(shù)據(jù)字節(jié)。這意味著，系統(tǒng)存儲器密度增長時，工程師不必?fù)?dān)心頁面緩沖區(qū)大小的變化。就寫入耐久性而言， MRAM可以支持100億次寫操作，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 EEPROM 的 100萬次以及閃存的10萬次。因此
2018-05-21 15:53:37
相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182411 
相變存儲器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46634 
相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22630 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等。本文將探討FLASH存儲器的讀寫原理及次數(shù)。 FLASH存儲器的讀寫原理 FLASH存儲器的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPRO
2017-10-13 16:34:3020879 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 萬勇透露，武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點亮，明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復(fù)的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場推進(jìn)暨江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式。
2018-03-28 14:58:196707 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司（國家存儲器基地），紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:145523 IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數(shù)超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲器）矽智財（Silicon IP），來因應(yīng)車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:49672 近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器
2019-03-19 15:43:016997 
據(jù)介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點的存儲器，而目前通用的存儲器技術(shù)主要是動態(tài)隨機存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221140 相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 根據(jù)消息報道，長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143033 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:02905 貿(mào)澤將備貨多款兆易創(chuàng)新存儲器解決方案。GD25 SPI NOR Flash存儲器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時間和10萬次擦寫次數(shù)，具有高可靠性。
2020-02-27 17:14:42872 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 集成電路用硅片項目通線量產(chǎn)啟動儀式在德州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行，實現(xiàn)量產(chǎn)后，德州將成為我國北方最大的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。 中國工程院院士屠海令說：硅材料，是我們發(fā)展集成性半導(dǎo)體的最重要的一個基礎(chǔ)材料，通過跟德州的合作，將來對我們
2020-10-30 15:36:121568 本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:151205 
對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲器：比主流產(chǎn)品1000倍 來源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團隊研制出全世界功耗最低的相變存儲器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000
2022-01-21 13:15:00545 臺積電在北美技術(shù)論壇上公開了未來先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:091391 臺積電正式公布2nm制造技術(shù)，該工藝廣泛使用EUV光刻技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:09:281281 相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382
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