--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號 NGTB40N120FL2WG
- 廠家 ON
- 封裝 TO-247
- 批號 22+
- 包裝 管裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
品牌
ON
封裝
TO-247
批次
2020
數(shù)量
10000
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
IGBT 晶體管
RoHS
是
技術(shù)
Si
封裝 / 箱體
TO-247
安裝風(fēng)格
Through Hole
配置
Single
集電極—射極飽和電壓
2 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
30 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
80 A
Pd-功率耗散
535 W
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
系列
NGTB40N120FL2
商標(biāo)
ON Semiconductor
柵極—射極漏泄電流
200 nA
產(chǎn)品類型
IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量
30
子類別
IGBTs
單位重量
6.500 g
可售賣地
全國
型號
NGTB40N120FL2WG
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