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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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EGN26C105I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號(hào)： EGN26C105I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠(chǎng)家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) EGN26C105I2D
  • 名稱(chēng) 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN26C105I2D

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMTEGN26C105I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬，適用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合在2.3GHz至2.7GHz的WiMAX和LTE設(shè)計(jì)要求，因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長(zhǎng)期可靠性和易用性使用。


型號(hào)規(guī)格  
廠(chǎng)家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    EGN26C105I2D
名稱(chēng)                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：50.3dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：17dB（典型值）@f=2.6GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性


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