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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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EGN26C160I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號： EGN26C160I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 EGN26C160I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN26C160I2D 

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN26C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及寬帶寬，適用于50V操作的高功率放大器，并提供你的收益更高。此新產(chǎn)品非常適合在2.3GHz至2.7GHz范圍內(nèi)使用LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易于使用。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    EGN26C160I2D
名稱                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：52.5dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：16dB（典型值）@f=2.6GHz
經(jīng)驗證的可靠性


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