JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3537 本文探討了各種不含鹵素（halogen-free）的DDR4插座的開(kāi)發(fā)工作，并且根據(jù)嚴(yán)格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無(wú)鹵素依從性，討論了不同的外殼材料選項(xiàng)。##針腳保持力將端子
2014-08-04 17:21:244050 
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522203 本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:367466 
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441890 
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用，但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào)，對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24755 
據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào)
2020-02-27 09:01:118207 JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），為全球計(jì)算機(jī)拉開(kāi)新時(shí)代序幕。 簡(jiǎn)言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番
2020-07-16 10:00:057058 2_4GHz無(wú)線技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)及ZigBee抗干擾性能歡迎研究ZigBee的朋友和我交流。。。
2012-08-11 19:19:08
描述此參考設(shè)計(jì)展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負(fù)載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負(fù)載提供
2018-12-24 15:08:56
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些？
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個(gè)適合你的列表創(chuàng)建一個(gè)
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計(jì)用戶指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號(hào)reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號(hào)的偏移約束。但是，在專(zhuān)門(mén)引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱(chēng)，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：?增加Vpp電源；?VREFDQ刪除；?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
DBI示例5 Error Detection功能隨著DDR4數(shù)據(jù)速率的提升，誤碼率也隨之提升，故DDR4中增加Error Detection技術(shù)對(duì)DQ和CMD、ADD信號(hào)。對(duì)于DQ信號(hào)使用內(nèi)置的CRC
2019-11-12 12:40:17
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長(zhǎng)的時(shí)間才能出來(lái)。就當(dāng)我們都對(duì)DDR5不報(bào)希望的時(shí)候，結(jié)果它就悄悄的來(lái)了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說(shuō)JEDEC就宣稱(chēng)將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
還未接觸過(guò)DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計(jì)中，布局布線上DDR3與DDR4有沒(méi)有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 08:19:59
2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升
2011-02-27 16:47:17
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時(shí)時(shí)發(fā)集團(tuán)亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
支持Xilinx FPGA中的32位 DDR4 SDRAM
2020-12-29 06:30:15
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)DDR4接口的變體，它包含了對(duì)完整系統(tǒng)支持所需的獨(dú)特功能。本文將幫助工程師了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設(shè)計(jì)指南
2021-01-15 06:08:20
東莞專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4東莞長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-05-08 17:42:19
演愈烈，內(nèi)存的性能成為新的瓶頸。早在2017年，負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱(chēng)將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，美光、三星等內(nèi)存廠商在2018年也就開(kāi)始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品
2022-10-26 16:37:40
可以達(dá)到128GB，媲美SSD了。功耗更低功耗方面，DDR3內(nèi)存采用1.5V標(biāo)準(zhǔn)電壓，DDR4功耗明顯降低，電壓降到1.2V甚至更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4和DDR3內(nèi)存可以
2019-07-25 14:08:13
（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓存儲(chǔ)器在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)存儲(chǔ)器顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)資料的完整性。DDR4 SDRAM （Double Data Rate Fourth
2019-08-01 10:17:46
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-12-27 19:25:08
大家好，有誰(shuí)知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項(xiàng)目時(shí)，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr
2020-05-11 09:17:30
我的主板在 BL2 init step.so 我嘗試參考“ QCVS_DDR_User_Guide”Debugging LS1046 DDR4 with tools codewarrior。我在我
2023-03-21 07:46:06
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準(zhǔn)
2023-04-20 07:36:55
快速充電技術(shù)的原理是什么？手機(jī)快充芯片的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)是什么？現(xiàn)市面上使用的電池管理芯片有哪些？
2021-09-26 07:15:22
VTT是什么？怎樣去估算DDR4穩(wěn)壓器的VTT電流？
2021-10-11 09:37:19
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
深圳專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4深圳長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購(gòu)DDR4,24h開(kāi)心財(cái)富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專(zhuān)業(yè)高價(jià)回收f(shuō)lash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫(kù)?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
美國(guó)作為全球最發(fā)達(dá)的經(jīng)濟(jì)體和頭號(hào)科技大國(guó)，其標(biāo)準(zhǔn)和法規(guī)名目繁多。美國(guó)是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大國(guó)，它制定的包括技術(shù)法規(guī)和***采購(gòu)細(xì)則等在內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)有5萬(wàn)多個(gè)，私營(yíng)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、專(zhuān)業(yè)學(xué)會(huì)、行業(yè)協(xié)會(huì)等制定的標(biāo)準(zhǔn)也在4萬(wàn)個(gè)
2011-01-22 17:00:27
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收
2021-03-17 17:59:10
使用DDR4作為外接存儲(chǔ)單元時(shí)，蜂鳥(niǎo)e203的訪問(wèn)地址為0x40000000,但是經(jīng)過(guò)vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測(cè)試DDR4讀寫(xiě)程序，報(bào)store訪問(wèn)異常
2023-08-11 06:17:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
請(qǐng)問(wèn)一下物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)都使用什么頻段？
2021-05-17 06:38:32
幅值高于某一個(gè)值時(shí)，判定信號(hào)為1，低于某一個(gè)值時(shí)，判定為0。而判定的依據(jù)——某一個(gè)值就是可以從JEDEC中找到的。如圖一所示，是DDR3地址命令信號(hào)的AC、DC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)應(yīng)相應(yīng)的速率，就可以在波形上面
2016-09-28 19:00:54
DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221197 
DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏?b class="flag-6" style="color: red">標(biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40815 
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:19737 DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏?b class="flag-6" style="color: red">標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28623 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57435 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361393 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393174 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461733 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-17 21:28:56782 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-18 14:37:381318 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來(lái)世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561671 DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求
2017-10-13 20:13:18
10 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152946 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330998 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925482 DDR2(Double Data Rate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同：雖然采用時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)傳輸
2017-11-25 01:41:013889 
本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0056 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823609 在安捷倫最新的測(cè)試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗(yàn)證，UltraScale FPGA上運(yùn)行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存接口設(shè)計(jì)具有出色的信號(hào)質(zhì)量和JEDEC兼容性。
2018-11-30 06:01:006808 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性，增加了對(duì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測(cè)。
2019-07-26 14:34:0146480 DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0410181 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418241 
，和普通用戶無(wú)關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，序列編號(hào)JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件，可以最大程度減少對(duì)于現(xiàn)有設(shè)備、平臺(tái)的更改，同
2021-02-19 10:04:021589 和內(nèi)存容量。今天想和大家聊一聊如何避免未來(lái)服務(wù)器/PC性能“躺平”的技術(shù)—DDR5內(nèi)存技術(shù)。 2020年7月，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式公布DDR5內(nèi)存行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)顯示，DDR5內(nèi)存?zhèn)鬏攷拰⑹?b class="flag-6" style="color: red">DDR4的2倍，內(nèi)存頻率將從4800MHz起，比DDR4官方標(biāo)準(zhǔn)最高頻
2021-06-22 09:36:062859 
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱(chēng)，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-06 13:51:01151 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0029 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03159 初期DDR5可提供超過(guò)DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率，最終預(yù)期可達(dá)2.6倍8.4Gbps。回顧JEDEC SDRAM歷代演進(jìn)，提升幅度還算驚人，但到頭來(lái)也只是充分反應(yīng)相隔八年累積的制程技術(shù)成長(zhǎng)。
2022-09-21 11:48:072555 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過(guò)16 Gb
2022-11-29 10:00:1723 JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲(chǔ)器架構(gòu)，認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個(gè)產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）過(guò)渡。
2022-12-05 11:59:262498 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2514791 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1811581 摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101345 3是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:005815
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