Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證
2012-09-10 09:53:241403 ARM (LSE:ARM; Nasdaq: ARMH) 和Cadence (NASDAQ: CDNS) 今天宣布合作細(xì)節(jié),揭示其共同開發(fā)首款基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器,實(shí)現(xiàn)對(duì)16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)(納斯達(dá)克代碼:CDNS)今日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議,共同開發(fā)16納米FinFET技術(shù),以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 ARM近日宣布針對(duì)臺(tái)積電28HPM(High Performance for Mobile, 移動(dòng)高性能)制程技術(shù),推出以ARMv8為架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化套件(POP) IP解決方案
2013-04-18 10:33:521168 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過臺(tái)積電(TSMC) 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢(shì)。
2013-06-06 09:26:451236 華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來(lái)臺(tái)拜會(huì)聯(lián)發(fā)科,表達(dá)大陸半導(dǎo)體政策已不再滿足于28納米制程,希望先進(jìn)邏輯制程技術(shù)全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 DDR接口速率越來(lái)越高,每一代產(chǎn)品都在挑戰(zhàn)工藝的極限,對(duì)DDR PHY的訓(xùn)練要求也越來(lái)越嚴(yán)格。本文從新銳IP企業(yè)芯耀輝的角度,談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">DDR PHY訓(xùn)練所面臨的挑戰(zhàn),介紹芯耀輝DDR PHY訓(xùn)練的主要過程和優(yōu)勢(shì),解釋了芯耀輝如何解決DDR PHY訓(xùn)練中的問題。
2024-01-05 10:27:34520 IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走!
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些?
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題,有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個(gè)適合你的列表創(chuàng)建一個(gè)
2021-07-29 06:58:22
(UG583)“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計(jì)用戶指南”的V1.10表示(通常)DDR4接口信號(hào)reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號(hào)的偏移約束。但是,在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎?
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么?DDR4全稱,DDR4-DRAM,與其他DDRDRAM一樣,是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字:存儲(chǔ)器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3,DDR4存在諸多變更點(diǎn),其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有:?增加Vpp電源;?VREFDQ刪除;?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
、特性增加等因素給DDR4帶來(lái)過多的管腳增加,DDR4中引入了ACT_n信號(hào)對(duì)部分ADD管腳進(jìn)行功能復(fù)用。如圖1所示,DDR4中RAS_n與A16,CAS_n與A15,WE_n與A14管腳均存在復(fù)用關(guān)系
2019-11-12 12:40:17
還未接觸過DDR4,在LAYOUT顆粒設(shè)計(jì)中,布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別?有哪些區(qū)別?
2019-03-07 10:11:39
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)?
2021-06-18 08:19:59
的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格?! ?b class="flag-6" style="color: red">DDR4 DDR4內(nèi)存峰會(huì) 據(jù)介紹美國(guó)JEDEC將會(huì)在不久之后啟動(dòng)
2011-02-27 16:47:17
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn):面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
處理器。另外,蘋果去年底將4核心處理器交由臺(tái)積電試產(chǎn),采28納米制程,未來(lái)將提升到20納米?! ∪欢?,蘋果A7處理器因耗電需MAX3232EUE+T求較大,應(yīng)只會(huì)配載于iPad、iTV或是MacBook
2012-09-27 16:48:11
臺(tái)積電正在大量生產(chǎn)用于蘋果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱,蘋果可能在下個(gè)月初正式發(fā)布iPhone 8,但是具體發(fā)貨日期仍然不確定?! ?jù)悉,臺(tái)積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
技術(shù)開發(fā)成功,同時(shí)透露會(huì)朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn),將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商,與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí),華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布,首款
2018-09-05 14:38:53
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時(shí)時(shí)發(fā)集團(tuán)亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
我已經(jīng)通過AXI互連將用于PCI Express的DMA子系統(tǒng)連接到DDR4控制器IP。然而,這是在塊設(shè)計(jì)之外完成的。實(shí)際上我沒有使用塊設(shè)計(jì)。如果我使用塊設(shè)計(jì),地址編輯器將出現(xiàn)在一個(gè)選項(xiàng)卡中,可以指定每個(gè)塊的AXI地址。但是如果沒有塊設(shè)計(jì),我該如何打開地址編輯器?
2020-05-08 07:30:19
嗨,我正在嘗試在Kintex UltraScale(KCU105)中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存,但是(DDR4 SDRAM(MIG))中的特定部分不可用。部分是:MT401G16HBA-083E:我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。?注意:我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
16納米FinFET制程,但因許多客戶認(rèn)為16納米FinFET與目前量產(chǎn)中的20納米SoC制程相較,效能及功耗上并無(wú)太明顯的差距,也因此,臺(tái)積電加快腳步開發(fā)出16納米FinFET Plus制程,除了可較
2014-05-07 15:30:16
親愛的社區(qū),我們正在使用 DDR4 (Micron MT40A512M16LY) 開發(fā)基于 iMX8MP 的定制板。我們能夠按照MSCALE_DDR_Tool_User_Guide.pdf中描述
2023-03-17 06:56:36
,未來(lái)就要看競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的制程技術(shù)能否趕得上腳步。 近期高通與臺(tái)積電持續(xù)緊密合作,業(yè)界傳出在最先進(jìn)的7納米制程技術(shù)上,臺(tái)積電因?yàn)榧夹g(shù)開發(fā)領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics),可望拿回高通7
2017-09-22 11:11:12
東莞專業(yè)收購(gòu)DDR4東莞長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4,專業(yè)收購(gòu)DDR4,深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***,QQ:764029970//1816233102,mail
2021-05-08 17:42:19
如今,電腦已經(jīng)成為了人們工作和娛樂中不可缺少的設(shè)備,越來(lái)越多的人選擇DIY一臺(tái)屬于自己的PC。在實(shí)際裝機(jī)之前,進(jìn)一步地了解硬件是非常有必要的,就拿內(nèi)存條來(lái)說(shuō),雖然現(xiàn)在主流已經(jīng)是選擇DDR4了,很多人
2019-07-25 14:08:13
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4,佛山專業(yè)收購(gòu)DDR4,深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***,QQ:764029970//1816233102,mail
2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
NXP IMX8M Mini DDR4 校準(zhǔn)
2023-04-20 07:36:55
嗨,我是jongbum。目前,MIG UltraScale DDR4支持最高2級(jí)。https://forums.xilinx.com/t5/Memory-Interfaces
2020-04-22 08:36:21
利潤(rùn)率為39.1%,凈利潤(rùn)率為36.1%。盡管Q221凈利313億,但臺(tái)積電仍決定漲價(jià),主要有以下兩個(gè)原因。首先,臺(tái)積電半導(dǎo)體漲價(jià)意在防止因提前大規(guī)模投資導(dǎo)致盈利能力惡化。臺(tái)積電在2021年4月份宣布
2021-09-02 09:44:44
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
深圳專業(yè)收購(gòu)DDR4深圳長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4,專業(yè)收購(gòu)DDR4,深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***,QQ:764029970//1816233102,mail
2021-01-30 17:36:35
回收DDR4,收購(gòu)DDR4,24h開心財(cái)富熱線:趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專業(yè)高價(jià)回收f(shuō)lash, 回收DDR,回收手機(jī)字庫(kù)?;厥杖耭lash,回收
2021-09-08 14:59:58
在做一個(gè)集成DDR4內(nèi)存條模組的硬件項(xiàng)目,需要對(duì)DDR4模組的信號(hào)進(jìn)行板級(jí)仿真,在鎂光有下載到內(nèi)存條的spice模型(.sp格式)和DDR芯片的.ibs模型;參考了Cadence Sigrity
2021-05-27 18:14:00
這些年,英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨,堪比武俠小說(shuō)中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米,那么問題來(lái)了,這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的?下面芯易網(wǎng)就來(lái)簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
這些年,英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨,堪比武俠小說(shuō)中恩怨情仇。這些大廠的爭(zhēng)斗均是圍繞14納米和16納米,那么問題來(lái)了,這個(gè)14納米和16納米有什么好爭(zhēng)的?下面芯易網(wǎng)就來(lái)簡(jiǎn)單做一下介紹。納米
2016-06-29 14:49:15
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專業(yè)收購(gòu)DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4,專業(yè)收購(gòu)DDR4,深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收
2021-03-17 17:59:10
,所以只能以舊工藝(16nm制程)制造A10處理器。除此之外,臺(tái)積電還將獨(dú)家代工重大變化的2017年版iPhone采用的A11處理器。據(jù)稱A11芯片將采用10納米FinFET工藝,最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
使用DDR4作為外接存儲(chǔ)單元時(shí),蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4,在板子上跑測(cè)試DDR4讀寫程序,報(bào)store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
其中之一。在去年底發(fā)布的iPhone 6s和iPhone6s Plus中,該公司采用了三星供應(yīng)的14納米A9芯片,但同時(shí)也有部分機(jī)型采用了臺(tái)積電的16納米A9芯片?,F(xiàn)階段的臺(tái)積電仍然是全球最大的合同制
2016-01-25 09:38:11
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里?DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比,有哪些優(yōu)勢(shì)呢?
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR3/4 PHYRESPONSIBILITIES:1. Develop the specification & implement the circuit for the DDR
2017-11-13 14:46:14
中芯國(guó)際(SMIC)和Cadence共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0
全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計(jì)流程,面向
2009-11-04 17:05:17589 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中,宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nmFinFET制程
2012-10-23 09:18:54810 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 益華電腦宣布,晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認(rèn)證Cadence實(shí)體驗(yàn)證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號(hào)設(shè)計(jì)實(shí)體signoff。同時(shí)
2014-03-25 09:33:50862 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS),今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫(kù)特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594 美國(guó)加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布,其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9
2014-10-08 19:10:45663 美國(guó)加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 本內(nèi)容主要分析了基于FPGA的系統(tǒng)需求,賽靈思UltraScale FPGA DDR4和其他并行接口分析以及針對(duì)高性能高度靈活方案的PHY解決方案介紹。
2016-08-03 19:37:24190 將DDR4接口問題放在首位。除了設(shè)計(jì)將DDR4兼容UltraScale I/O PHY,他們從頭設(shè)計(jì)了DDR4 I/O PHY,然后擴(kuò)展它的性能并支持其他I/O的需求。結(jié)果:基本的13位可編程字節(jié)通道,這首先是一
2017-02-08 14:03:01608 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì),各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152790 近日,國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體有限公司對(duì)外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP,該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:397321 DDR4內(nèi)存目前還是絕對(duì)主流,不斷被深入挖潛,頻率已經(jīng)突破5GHz,不過下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動(dòng)了。
2018-05-11 11:48:325126 中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:003391 三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002111 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 就在16日一早,韓國(guó)晶圓代工廠三星宣布發(fā)展完成 5 納米制程,并且推出 6 納米制程,并準(zhǔn)備量產(chǎn) 7 納米制程的同時(shí),晶圓代工龍頭臺(tái)積電也在傍晚宣布,推出 6 納米 (N6) 制程技術(shù),除大幅強(qiáng)化
2019-04-17 16:42:502441 新思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作,針對(duì)GF的12納米領(lǐng)先性能(12LP) FinFET工藝技術(shù),開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合,包括多協(xié)議25G
2019-07-05 09:13:133145 2014年,推出了第四代DDR內(nèi)存(DDR4),降低了功耗,提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性,增加了對(duì)寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測(cè)。
2019-07-26 14:34:0145992 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223148 10月21日,SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價(jià)188元,16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:496112 DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410082 5月14日, Cadence宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功,這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測(cè)試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和吞吐量。面向 PCIe 6.0 的 Cadence IP 的早期采用者現(xiàn)在可以使用相應(yīng)的設(shè)計(jì)套件。 Cadence 的這款 5 納米 PCIe 6.0 PHY 測(cè)試芯片在所有 PCIe 速率下都表現(xiàn)出了出
2021-10-26 14:28:004024 楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,眾多領(lǐng)先的半導(dǎo)體和系統(tǒng)客戶已成功采用面向 TSMC 5nm 制程技術(shù)的全系列 Cadence? 設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品。
2022-06-24 14:52:461586 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE: 3035)今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)(design implementation service),由客戶指定制程(8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝)及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720 中國(guó)上海,2022 年 12 月 27日 —— 楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布推出首個(gè) LPDDR5X 存儲(chǔ)器接口 IP 設(shè)計(jì),該優(yōu)化后的設(shè)計(jì)可達(dá)
2022-12-27 10:49:041166 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM,汽車廠商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級(jí),消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證,其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services(IFS)的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí),Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:02381 中國(guó)上海,2023 年 7 月 28 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,雙方已就 Cadence 收購(gòu) Rambus SerDes 和存儲(chǔ)器接口 PHY
2023-07-28 17:11:51989 和存儲(chǔ)器接口 PHY IP 業(yè)務(wù)。 隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模應(yīng)用、CPU 架構(gòu)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備日新月異的發(fā)展,此次技術(shù)資產(chǎn)收購(gòu)豐富了 Cadence 現(xiàn)有的 IP 組合,并增強(qiáng)了公司的智能系統(tǒng)
2023-09-12 10:10:03299 、64G-LR 多協(xié)議 PHY、LPDDR5x/5、GDDR7/6 和 UCIe 中國(guó)上海,2023 年 9 月 26 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大其在 TSMC 3nm(N3E)制程上的設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品組合,其中最引人注目
2023-09-26 10:10:01321 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905
評(píng)論
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