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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>IP核設(shè)計(jì)>Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

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全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS),今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫(kù)特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594

Cadence數(shù)字與定制/模擬工具獲臺(tái)積電認(rèn)證 合作開發(fā)FinFET新工藝

美國(guó)加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布,其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9
2014-10-08 19:10:45663

Cadence為臺(tái)積電16納米FinFET+制程推出IP組合

美國(guó)加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

Xilinx FPGA DDR4接口應(yīng)用分析

本內(nèi)容主要分析了基于FPGA的系統(tǒng)需求,賽靈思UltraScale FPGA DDR4和其他并行接口分析以及針對(duì)高性能高度靈活方案的PHY解決方案介紹。
2016-08-03 19:37:24190

UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密

DDR4接口問題放在首位。除了設(shè)計(jì)將DDR4兼容UltraScale I/O PHY,他們從頭設(shè)計(jì)了DDR4 I/O PHY,然后擴(kuò)展它的性能并支持其他I/O的需求。結(jié)果:基本的13位可編程字節(jié)通道,這首先是一
2017-02-08 14:03:01608

ddr3及ddr4的差異對(duì)比

DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì),各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152790

燦芯半導(dǎo)體推出第二代DDR低功耗物理層IP

近日,國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體有限公司對(duì)外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP,該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:397321

DDR4已經(jīng)OUT Cadence宣布DDR5全新進(jìn)展

DDR4內(nèi)存目前還是絕對(duì)主流,不斷被深入挖潛,頻率已經(jīng)突破5GHz,不過下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動(dòng)了。
2018-05-11 11:48:325126

中芯14納米FinFET制程良率達(dá)95%,預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:003391

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

格芯退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺(tái)積電

晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程
2018-08-30 15:33:002111

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341

臺(tái)積電宣布推出6納米制程技術(shù) 支援客戶采用此項(xiàng)嶄新的技術(shù)來(lái)達(dá)成產(chǎn)品的效益

就在16日一早,韓國(guó)晶圓代工廠三星宣布發(fā)展完成 5 納米制程,并且推出 6 納米制程,并準(zhǔn)備量產(chǎn) 7 納米制程的同時(shí),晶圓代工龍頭臺(tái)積電也在傍晚宣布,推出 6 納米 (N6) 制程技術(shù),除大幅強(qiáng)化
2019-04-17 16:42:502441

新思科技與GLOBALFOUNDRIES合作 開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合

新思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作,針對(duì)GF的12納米領(lǐng)先性能(12LP) FinFET工藝技術(shù),開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合,包括多協(xié)議25G
2019-07-05 09:13:133145

DDR4設(shè)計(jì)規(guī)則及DDR4的PCB布線指南

2014年,推出了第四代DDR內(nèi)存(DDR4),降低了功耗,提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性,增加了對(duì)寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測(cè)。
2019-07-26 14:34:0145992

美光科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223148

SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米16Gb DDR4 DRAM

10月21日,SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:362869

七彩虹推出兩款DDR4普條,頻率都為DDR4 2666

12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價(jià)188元,16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:496112

DDR5比較DDR4有什么新特性?

DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410082

Cadence的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功,可與控制器進(jìn)行無(wú)縫對(duì)接

5月14日, Cadence宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功,這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測(cè)試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP
2020-05-14 15:36:442619

楷登電子發(fā)布PCIe 6.0規(guī)范Cadence IP

應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和吞吐量。面向 PCIe 6.0 的 Cadence IP 的早期采用者現(xiàn)在可以使用相應(yīng)的設(shè)計(jì)套件。 Cadence 的這款 5 納米 PCIe 6.0 PHY 測(cè)試芯片在所有 PCIe 速率下都表現(xiàn)出了出
2021-10-26 14:28:004024

Cadence提供集成PHY和控制器 IP完整子系統(tǒng)

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,眾多領(lǐng)先的半導(dǎo)體和系統(tǒng)客戶已成功采用面向 TSMC 5nm 制程技術(shù)的全系列 Cadence? 設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品。
2022-06-24 14:52:461586

智原科技推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)

ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE: 3035)今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)(design implementation service),由客戶指定制程(8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝)及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724

DDR4協(xié)議

本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720

Cadence宣布為新一代AI、汽車和移動(dòng)應(yīng)用推出業(yè)界一流的8533Mbps LPDDR5X IP解決方案

中國(guó)上海,2022 年 12 月 27日 —— 楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布推出首個(gè) LPDDR5X 存儲(chǔ)器接口 IP 設(shè)計(jì),該優(yōu)化后的設(shè)計(jì)可達(dá)
2022-12-27 10:49:041166

行業(yè)首創(chuàng)!恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電,推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM,汽車廠商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級(jí),消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396

Cadence 數(shù)字、定制/模擬設(shè)計(jì)流程通過認(rèn)證,Design IP 現(xiàn)已支持 Intel 16 FinFET 制程

流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證,其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services(IFS)的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí),Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:02381

Cadence收購(gòu)Rambus SerDes和存儲(chǔ)器接口PHY IP業(yè)務(wù)

中國(guó)上海,2023 年 7 月 28 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,雙方已就 Cadence 收購(gòu) Rambus SerDes 和存儲(chǔ)器接口 PHY
2023-07-28 17:11:51989

Cadence 完成收購(gòu) Rambus PHY IP 資產(chǎn)

和存儲(chǔ)器接口 PHY IP 業(yè)務(wù)。 隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模應(yīng)用、CPU 架構(gòu)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備日新月異的發(fā)展,此次技術(shù)資產(chǎn)收購(gòu)豐富了 Cadence 現(xiàn)有的 IP 組合,并增強(qiáng)了公司的智能系統(tǒng)
2023-09-12 10:10:03299

Cadence擴(kuò)大TSMC N3E制程IP產(chǎn)品組合,推出新一代224G-LR SerDes IP,助力超大規(guī)模SoC設(shè)計(jì)

、64G-LR 多協(xié)議 PHY、LPDDR5x/5、GDDR7/6 和 UCIe 中國(guó)上海,2023 年 9 月 26 日——楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大其在 TSMC 3nm(N3E)制程上的設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品組合,其中最引人注目
2023-09-26 10:10:01321

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905

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