資料介紹
離子束注入技術(shù)概述
基本原理:離子束射到固體材料以后,受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來,并最終停留在固體材料中,這一現(xiàn)象就叫做離子注入。
用能量為100keV量級的離子束入射到材料中去,離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學的相互作用,入射離子逐漸損失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化,從而優(yōu)化材料表面性能,或獲得某些新的優(yōu)異性能。此項高新技術(shù)由于其獨特而突出的優(yōu)點,已經(jīng)在半導(dǎo)體材料摻雜,金屬、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上獲得了極為廣泛的應(yīng)用,取得了巨大的經(jīng)濟效益和社會效益。?
M EVVA(Metal Vapor Vacuum Arc )源是金屬蒸汽真空弧離子源的縮稱。這是上世紀80年代中期由美國加州大學伯克利分校的布朗博士由于核物理研究的需要發(fā)明研制成功的。
其革命性在于
????????? 適用元素種類多;蒸汽純度取決于陰極材料;省去質(zhì)量分析儀;發(fā)散束流提高加工效率;等等
????????? 本人認為這項技術(shù)將會在機械行業(yè)中大展身手,會被更多的應(yīng)用到高新材料的表面改性等常規(guī)做法不合適的場合
離子束注入技術(shù)設(shè)備概述
離子注入機:
(1)離子源,用于產(chǎn)生和引出某種元素的離子束,這是離子注入機的源頭;
(2)加速器,對離子源引出的離子束進行加速,使其達到所需的能量;
(3)離子束的質(zhì)量分析(離子種類的選擇);
(4)離子束的約束與控制;
(5)靶室;
(6)真空系統(tǒng)。
當然了,如果是MEVVA的話,設(shè)備將大大簡化。
離子注入技術(shù)應(yīng)用
離子注入應(yīng)用于半導(dǎo)體摻雜工藝
????????? 集成電路、功率等電氣性能
離子注入應(yīng)用于表面改性
????????? 抗腐蝕、硬度、耐磨、潤滑、超導(dǎo)導(dǎo)線鈮線注錫
離子注入應(yīng)用于光波導(dǎo)
????????? 光纖網(wǎng)絡(luò)、光纖傳感器
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