????? 離子注入的特點(diǎn)是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類(lèi)廣泛，并且易于自動(dòng)化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動(dòng)了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展，從而使集成電路的生產(chǎn)進(jìn)入了大規(guī)模及ULSI時(shí)代。
離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定。
?摻雜的均勻性好；
溫度低：小于600℃；
可以精確控制雜質(zhì)分布；
可以注入各種各樣的元素；
橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多；
可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜。

一．離子注入工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)
二、離子注入工藝的特點(diǎn)
???? (2）可以精確控制注入到硅中的摻雜原子數(shù)目。
??? （3）襯底溫度低，一般保持在室溫，因此，像二氧化硅、氮化硅、鋁何光刻膠等都可以用來(lái)作為選擇摻雜的掩蔽膜。
??? （4）離子注入深度是隨離子能量的增加而增加，因此摻雜深度可以通過(guò)控制離子束能量高低來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，在注入過(guò)程中可精確控制電荷量，從而可精確控制摻雜濃度。?
?? （5）離子注入是一個(gè)非平衡過(guò)程，不受雜質(zhì)在襯底材料中的固溶度限制，原則上對(duì)各種元素均可摻雜。
?? （6）離子注入時(shí)的襯底溫度低，這樣就可以避免了高溫?cái)U(kuò)散所引起的熱缺陷。
?? （7）由于注入的直進(jìn)性，注入雜質(zhì)是按掩膜的圖形近于垂直入射，因此橫向效應(yīng)比熱擴(kuò)散小的多，有利于器件特征尺寸的縮小。
? （8）離子往往是通過(guò)硅表面上的薄膜注入到硅中，因此硅表面上的薄膜起到了保護(hù)膜作用
?? （9）化合物半導(dǎo)體是兩種或多種元素按 一定組分構(gòu)成的，這種材料經(jīng)高溫處理時(shí)，組分可能發(fā)生變化。采用離子注入技術(shù)，基本不存在上述問(wèn)題，因此容易實(shí)現(xiàn)對(duì)化合物半導(dǎo)體的摻雜