自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。 MOS 管自舉電路原理舉個(gè)簡單的例子：有一個(gè) 12V 的電路，電路中有一個(gè)場效應(yīng)管需要 15V 的驅(qū)動(dòng)電壓，這個(gè)電壓怎么弄出來？就是用自舉。通常用一個(gè)電容和一個(gè)二極管，電容存儲(chǔ)電荷，二極管防止電流倒灌，頻率較高的時(shí)候，自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓，起到升壓的作用。自舉電路只是在實(shí)踐中定的名稱，在理論上沒有這個(gè)概念。自舉電路主要是在甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱電路中使用較為普遍。甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱電路在理論上可以使輸出電壓 Vo 達(dá)到 Vcc 的一半，但在實(shí)際的測試中，輸出電壓遠(yuǎn)達(dá)不到 Vcc 的一半。其中重要的原因就需要一個(gè)高于 Vcc 的電壓。所以采用自舉電路來升壓。常用自舉電路（摘自 fairchild，使用說明書 AN-6076《供高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 使用的自舉電路的設(shè)計(jì)和使用準(zhǔn)則》）the boost converter，或者叫 step-up converter，是一種開關(guān)直流升壓電路，它可以是輸出電壓比輸入電壓高。假定那個(gè)開關(guān)（三極管或者 mos 管）已經(jīng)斷開了很長時(shí)間，所有的元件都處于理想狀態(tài)，電容電壓等于輸入電壓。下面要分充電和放電兩個(gè)部分來說明這個(gè)電路。 MOS 管自舉電容工作原理自舉電容，內(nèi)部高端 MOS 需要得到高出 IC 的 VCC 的電壓，通過自舉電路升壓得到，比 VCC 高的電壓，否則，高端 MOS 無法驅(qū)動(dòng)。自舉是指通過開關(guān)電源 MOS 管和電容組成的升壓電路，通過電源對(duì)電容充電致其電壓高于 VCC。最簡單的自舉電路由一個(gè)電容構(gòu)成，為了防止升高后的電壓回灌到原始的輸入電壓，會(huì)加一個(gè) Diode. 自舉的好處在于利用電容兩端電壓不能突變的特性來升高電壓。舉個(gè)例子來說，如果 MOS 的 Drink 極電壓為 12V，Source 極電壓原為 0V，Gate 極驅(qū)動(dòng)電壓也為 12V，那么當(dāng) MOS 在導(dǎo)通瞬間，Soure 極電壓會(huì)升高為 Drink 減壓減去一個(gè)很小的導(dǎo)通壓降，那么 Vgs 電壓會(huì)接近于 0V，MOS 在導(dǎo)通瞬間后又會(huì)關(guān)斷，再導(dǎo)通，再關(guān)斷。如此下去，長時(shí)間在 MOS 的 Drink 極與 Source 間通過的是一個(gè) N 倍于工作頻率的高頻脈沖，這樣的脈沖尖峰在 MOS 上會(huì)產(chǎn)生過大的電壓應(yīng)力，很快 MOS 管會(huì)被損壞。如果在 MOS 的 Gate 與 Source 間接入一個(gè)小電容，在 MOS 未導(dǎo)通時(shí)給電容充電，在 MOS 導(dǎo)通，Source 電壓升高后，自動(dòng)將 Gate 極電壓升高，便可使 MOS 保持繼續(xù)導(dǎo)通。