具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 |
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資料介紹
使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來(lái)越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開(kāi)關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率,如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。(例如,5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算)GaN不斷突破新應(yīng)用的界限,并開(kāi)始取代汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。?
圖1:硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度對(duì)比
GaN FET:新的集成系統(tǒng)
大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中,F(xiàn)ET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開(kāi)封裝,因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù),并且最終會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電感。
除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外,這還可能限制GaN在高壓擺率下的開(kāi)關(guān)性能…
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