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IGBT的開關(guān)時(shí)間說明 IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動(dòng)波形較為理想化，集
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