IGBT電路的逆變器設(shè)計與分析:
電能分為交流電能與直流電能,由交流電能變?yōu)橹绷麟娔艿倪^程稱為整流,由直流電能變?yōu)榻涣麟娔艿倪^程稱為逆變。逆變器就是一種完成直流電能向交流電能變換的裝置。
交流電機一般采用交-直-交逆變電源的供電方式,即現(xiàn)在電網(wǎng)提供的交流電通過整流、濾波變成直流電,再通過逆變器將直流電變成所需要的交流電源,給電機供電。因此逆變器是其中較關(guān)鍵的技術(shù)裝置之一。隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展,IGBT越來越多的被應(yīng)用到交流傳動技術(shù)中。本文主要分析IGBT構(gòu)成的交流傳動用逆變器的主電路結(jié)構(gòu),包括主電路形式、驅(qū)動電路與緩沖吸收保護電路的實現(xiàn)。
1 主電路結(jié)構(gòu)原理圖
圖1為典型的逆變器結(jié)構(gòu)原理圖。它由三部分組成:逆變電路、驅(qū)動保護電路、控制與信號采集電路。
逆變電路主要負責電能轉(zhuǎn)化,即將輸入的直流電能轉(zhuǎn)化為電機負載可用的三相交流電能,為電機提供能源。圖2所示為逆變電路原理圖,這個逆變電路由6個絕緣柵雙極晶體管T1~T6及續(xù)流二極管D1~D6組成。通過控制IGBT管T1~T6的通關(guān)斷將輸入的直流電源逆變成頻率可調(diào)的矩形波交流電輸出到三相電機。其續(xù)流二極管D1~D6的作用是當T1~T6由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r,為儲存在電動線圈中的電能提供釋放通道;當電動機制動時,為再生電流提供回流到直流電源的通道。
2 保護吸收電路結(jié)構(gòu)
由于電路中分布電感的存在,加之IGBT開關(guān)速度較高,當IGBT關(guān)斷時及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆相恢復(fù)時,會產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt,從而威脅IGBT的安全。因此必須采取措施抑制浪涌電壓,保護IGBT不被損壞。可以采用加裝保護吸收電路的辦法來抑制浪涌電壓。其原理圖如圖3所示,該保護吸收電路有良好的抑制效果,具有保護吸收中發(fā)生損耗小的優(yōu)點。
2.1 保護電路原理分析
以開關(guān)管T1關(guān)斷時刻為起點來分析吸收電路的工作原理,其工作過程可分為:線性化換流、母線寄生電感Lp諧振能量和吸收電容Cs放點共3個階段。
線性化換流階段從開關(guān)管T1接收關(guān)斷信號開始到開關(guān)管T1全截止結(jié)束。流過母線寄生電感Lp的母線電流經(jīng)T1和吸收電路2條支路分流。
在線性化換流階段結(jié)束后,開關(guān)管T1完全截止。此時,主回路寄生電感Lp與吸收電容Cs產(chǎn)生諧振,Lp中儲存的能量向Cs轉(zhuǎn)移。當吸收電容上電壓達到最大值,即諧振峰值時,諧振電流i為零,吸收電路二極管D2截止,箝位電壓防止有振蕩。
在第二階段結(jié)束之后,吸收電容Cs上過沖能量通過吸收電阻R、電源和負載放電。在放電過程中,近似認為負載是恒流源。
2.2 元件參數(shù)選取
a.緩沖電容Cs選取
緩沖電路中緩沖電容Cs的電容取值為:
其中,L是主電路的寄生電感,Io為IGBT關(guān)斷時的集電極電流,VCEP是緩沖電容器電壓最終到達值,Ed為直流電源電壓。
b.緩沖電阻Rs的取值
緩沖電阻的作用是在IGBI下一次關(guān)斷前,將緩沖電容器電荷釋放。因此在IGBT進行下一次動作之前,在儲存電荷的90%放電條件下,緩沖電阻取值公式應(yīng)滿足下列公式:
其中,f為交換頻率。
3 驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)
要保證IGBT工作可靠,其驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用。
3.1 IGBT驅(qū)動電路要求
IGBT驅(qū)動電路的基本要求主要有以下幾點:
?。?)驅(qū)動電路必須十分可靠,要保證為IGBT的柵極電容提供一個低阻抗的充放電回路;
?。?)在滿足開關(guān)特性和功耗允許的情況下,門極電阻可以適當增大,用于限制瞬時壓降尖峰;
(3)驅(qū)動電路能夠傳遞kHz級的高頻脈沖信號;
?。?)IGBT門極與發(fā)射極電壓極限壓降為±20V。通常選用正向驅(qū)動電壓為+15 V,反向驅(qū)動電壓為-8V。
3.2 M57959L構(gòu)成的驅(qū)動電路
根據(jù)上述驅(qū)動電路設(shè)計原則,按照不同要求可以設(shè)計出多種形式的驅(qū)動電路。常用的驅(qū)動電路有分立元件構(gòu)成的驅(qū)動電路和專用集成驅(qū)動電路。相對于分立元件構(gòu)成的驅(qū)動電路,專用集成驅(qū)動電路抗干擾能力強、集成化程度高、速度快、保護功能完善,可實現(xiàn)IGBT的最佳驅(qū)動。
M57959L是日本三菱公司生產(chǎn)的混合集成IGBT驅(qū)動器,其內(nèi)部原理結(jié)構(gòu)如圖4所示。它由高速光電隔離輸入,絕緣強度高,可與TTL電平兼容。內(nèi)藏定時邏輯短路保護電路,并具有保護延時特性。芯片由正負電源供電,克服了單電源供電時負電壓不穩(wěn)的缺點,驅(qū)動功率大,可驅(qū)動200A/600V或100A/1200V的IGBT模塊。由M57959L構(gòu)成的驅(qū)動電路如圖5所示。
使用時應(yīng)注意柵極電阻的取值。柵極電阻Rext的取值能夠影響振蕩的抑制效果、減緩開關(guān)開通時的di/dt、改善電流上沖波形、減小浪涌電壓。從安全角度考慮,Rext應(yīng)取較大值,但是較大的Rext影響開關(guān)速度,增加開關(guān)損耗;從提高工作頻率出發(fā),應(yīng)取較小值。在滿足開關(guān)頻率的情況下,應(yīng)取較大的Rext。
4 主電路安裝與布局
由于IGBT開關(guān)頻率非??欤瑫r功率也很高,由IGBT構(gòu)成的逆變器會對其他部件產(chǎn)生很強的干擾。這些干擾不僅影響電路的正常工作,甚至有可能會使逆變器因為瞬時短路而損壞。因此,應(yīng)對電磁干擾給予足夠的重視,而合理的安裝與布局能夠減少電磁干擾。
常見的干擾及相應(yīng)的措施有:
(1)隔離供電抑制IGBT開關(guān)干擾由于供電變壓器的分布電容和耦合電感的影響,當其中一個IGBT導(dǎo)通或關(guān)斷時產(chǎn)生的強尖峰脈沖會通過分布電容(電感)干擾其它IGBT的正常工作。因此,全橋逆變器的每一個觸發(fā)電路必須隔離供電來抑制這種干擾。
?。?)由于逆變器的平均工作電流和瞬時峰值電流很大,逆變電路中的漏電感,甚至很小的引線電感也不能忽略。如果不仔細設(shè)計PCB的布局,這些磁通會穿過閉合的PCB導(dǎo)線而形成電流。為此,可采取以下措施抑制干擾:
a,每一個IGBT的觸發(fā)電路元件應(yīng)集中在一個狹窄的區(qū)域,避免互相交叉;
b,同一相位的觸發(fā)電路應(yīng)相鄰,而兩組之間距離應(yīng)相對較遠;
c,PCB與IGBT之間的引線應(yīng)盡可能短并互相絞合。
5 IGBT電壓電流參數(shù)選取
在保護吸收電路中,當T1導(dǎo)通,T2截止時,T2承受的電壓Uce2為:
考慮電網(wǎng)波動為+/-10%,T2成熟的電壓為Uce2為:
再考慮到電路中開通關(guān)斷瞬時電壓,及IGBT模塊承受電壓應(yīng)留有50%~80%的裕量,其所選模塊電壓BVce應(yīng)為:
考慮電網(wǎng)的波動、啟動時電流尖峰的影響,選擇的IGBT模塊Icm為:
其中,Pn為逆變器輸出功率。δ為脈沖占空比,η為逆變器效率。
6 結(jié)束語
本文主要介紹了IGBT構(gòu)成的電機傳動用逆變器的主電路組成及IGBT參數(shù)選擇,驅(qū)動電路、緩沖吸收電路的組成及參數(shù)選擇以及主電路安裝和布局應(yīng)注意的問題,對實際應(yīng)用中的逆變器設(shè)計有一定價值。
數(shù)字化IGBT模塊化的設(shè)計:
1引言
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個IGBT模塊都需要一個專門的驅(qū)動器,IGBT驅(qū)動器對IGBT的運行性能有著重大影響[1-3]。
傳統(tǒng)利用模擬電路實現(xiàn)的IGBT驅(qū)動器技術(shù)較成熟,運行穩(wěn)定,但是由于其驅(qū)動器各參數(shù)設(shè)置大都采用硬件實現(xiàn),參數(shù)調(diào)整比較復(fù)雜,不同型號的IGBT必須設(shè)計不同的驅(qū)動器,本文利用數(shù)字控制器對柵極控制,可以靈活的修改驅(qū)動器的軟件參數(shù)設(shè)置,來調(diào)整IGBT工作的性能,對于不同的IGBT型號,只需要加載不同的驅(qū)動程序,即可以解決傳統(tǒng)驅(qū)動器產(chǎn)品的型號匹配問題。
如圖1示,驅(qū)動器主要包括:高等級隔離電源、光纖通信接口、功率放大電路、檢測保護電路、數(shù)字控制器等五部分。
2.1高等級隔離電源
高壓IGBT驅(qū)動器設(shè)計中,電源設(shè)計是關(guān)鍵部分之一,電源的輸出功率決定了IGBT在實際工作中能夠使用的工作頻率,如果電源輸出功率不足,可能會在IGBT器件高頻工作時,出現(xiàn)欠壓現(xiàn)象,導(dǎo)致IGBT損耗增加,甚至造成IGBT損壞。
本設(shè)計中采用Ti公司的LM5025芯片設(shè)計反激式DC-DC電路(電路圖見圖2),電路中的初級具有電流檢測軟起動功能,當電流檢測電阻上的壓降達到0.25V時,對電源起到很好的過流保護作用。
2.2光纖通信接口
在用戶主控系統(tǒng)通信的接口設(shè)計上,選擇抗干擾能力強的光纖通信,防止控制信號被干擾出現(xiàn)誤觸發(fā)。光纖選用HFBR-1522、HFBR-2522,光纖電路如圖3。
2.3功率放大電路
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件,構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路,如圖4,同時,采用多個柵極電阻切換的方式,實現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調(diào)整。在IGBT正常開關(guān)時,可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的開關(guān)速度,達到優(yōu)化器件效率的目的。在IGBT出現(xiàn)工作異常時(例如短路),可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的工作狀態(tài),防止器件損壞達到保護器件的目的。
2.4檢測保護電路
為防止IGBT器件工作中出現(xiàn)任何異常故障,驅(qū)動器需要對IGBT的狀態(tài)參數(shù)進行檢測,如果發(fā)現(xiàn)異常,驅(qū)動器自動采取保護動作,并通知主控器。
欠壓檢測:目前各個IGBT廠商推薦IGBT器件工作時的柵極電壓為±15V(柵極最大承受電壓為±20V),如果IGBT器件在工作中出現(xiàn)低于15V的情況,根據(jù)IGBT器件飽和壓降VCE與柵極電壓的關(guān)系(如圖5示),隨著柵極電壓的下降,IGBT飽和壓降會增加,造成IGBT器件損耗增加,有可能會損壞器件,所以,必須對驅(qū)動器輸出柵極的電壓進行檢測,如果出現(xiàn)欠壓開通情況,驅(qū)動器要立即進行保護。同時需要注意,IGBT的短路電流與柵極電壓成正比,所以當器件開通時柵極出現(xiàn)高于+15V電壓,器件如果出現(xiàn)故障會出現(xiàn)比正常工況更大的短路電流,所以驅(qū)動器必須確保柵極開通電壓處于合理的范圍內(nèi)。
Vce電壓檢測:Vce電壓檢測可以為數(shù)字控制器提供IGBT器件參數(shù),控制器通過Vce電壓可以判斷IGBT的工作狀態(tài),從而采取對應(yīng)的策略對IGBT進行不同的控制方式。
過壓保護:在IGBT器件關(guān)斷過程中,由于母線回路寄生電感的存在,關(guān)斷電壓會產(chǎn)生一個電壓過沖尖峰,過沖幅值為△V=Ls*di/dt,如果尖峰電壓超過IGBT器件的額定電壓,IGBT器件會被擊穿,造成器件損壞。
過壓保護電路采用的是TVS管與限流電阻串聯(lián)的方式,由集電極接入柵極(如圖6示),當關(guān)斷過程中集電極出現(xiàn)超過設(shè)定值(設(shè)定值小于IGBT額定值)的電壓尖峰時,TVS管反向?qū)?,通過限流電阻向柵極注入電流,減慢IGBT關(guān)斷速度(減小di/dt),從而達到限制電壓尖峰的目的。用戶根據(jù)具體的應(yīng)用工況,選擇適合的TVS管的數(shù)量和單個TVS擊穿電壓參數(shù)。
di/dt檢測:(如圖示7),IGBT模塊內(nèi)部等效圖可以看到,由于IGBT模塊內(nèi)部鏈接的主電極回路與輔助電極回路之間存在寄生電感,在IGBT模塊工作時,主電流IC從主電極流入,經(jīng)過寄生電感L流出,依據(jù)電感感生電壓V=-L*di/dt,從公式可以看出,感生電壓V值與di/dt值成正比關(guān)系,通過檢測L上產(chǎn)生的感生電壓可以獲得主電流Ic的di/dt值。在IGBT模塊工作的過程中,如果感生電壓高于或低于設(shè)定值都認為器件di/dt出現(xiàn)異常狀態(tài),需要進行保護,并向主控系統(tǒng)報告出現(xiàn)di/dt故障。
數(shù)字控制器功能
數(shù)字控制器主要完成根據(jù)輸入信號控制功率放大電路,驅(qū)動IGBT器件。同時,根據(jù)檢測電路的反饋信號判定IGBT器件的工作狀態(tài),如果出現(xiàn)異常狀況,立即按照設(shè)定策略對IGBT器件進行保護。
4 驅(qū)動級測試
為初步確定驅(qū)動級基本功能的正確性和可行性,利用圖8樣品板進行測試,測試樣品為3300V-1500A IGBT模塊,采用通用型雙脈沖測試方法,測試波形如圖9。
從上圖測試結(jié)果可以看出,驅(qū)動板可以在測試條件下安全的開通和關(guān)斷IGBT模塊。
5 改進方向
本論文提出的數(shù)字型IGBT驅(qū)動器在過壓保護檢測上采用的TVS管串聯(lián)的方式,只可以對IGBT器件關(guān)斷中di/dt產(chǎn)生的寄生過壓有較好的效果,但是這種方法也存在弊端,如果用戶對于過壓保護的閾值設(shè)定不合理,及系統(tǒng)在運行中會出現(xiàn)較多的過壓,或較長時間過壓,此時IGBT器件會出現(xiàn)柵極被高壓損壞,或本應(yīng)關(guān)斷的IGBT被動強行開通,出現(xiàn)上下管短路的狀態(tài),損壞上下管IGBT。所以可以加入Vce檢測電路,實時檢測集電極電壓,制定保護策略。