資料介紹
第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場景是有差異的。以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場景十分廣泛, 從尖端的CPU、GPU、存儲芯片,再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些領(lǐng)域的性能方面表現(xiàn)不佳,但還有性價 比助其占據(jù)市場。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP)為代表,主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)?a target='_blank' class='arckwlink_none'>光電子、微電 子、微波功率器件等。第三代半導(dǎo)體以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表,主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)?功率器件、光電子、射頻。
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