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在材料領(lǐng)域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代優(yōu)于前一代”的說(shuō)法。國(guó)外一般會(huì)把氮化鎵、碳化硅等材料叫做寬 禁帶半導(dǎo)體；把氮化鎵、氮化鋁、氮化銦和他們的混晶材料成為氮化物半導(dǎo)體、或者把氮化鎵、砷化鎵、磷化銦成為III-V族半 導(dǎo)體。我國(guó)采用的第三代半導(dǎo)體材料的說(shuō)法是與人類(lèi)歷史上的由半導(dǎo)體材料大規(guī)模應(yīng)用帶來(lái)的三次產(chǎn)業(yè)革命相對(duì)應(yīng)。目前，第 三代半導(dǎo)體正在高速發(fā)展，第一、二代半導(dǎo)體也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用，發(fā)揮第三代半導(dǎo)體無(wú)法替代的作用。 那么第三代半導(dǎo)體相較第一代、第二代有哪些進(jìn)步？這三代半導(dǎo)體之間有什么技術(shù)區(qū)別？為何氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 在第三代半導(dǎo)體中備受追捧？
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