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高壓GaN FETs已經(jīng)從理論和實驗室研究中出現(xiàn)，并具有可從多個供應(yīng)商獲得的商業(yè)技術(shù)。與硅MOSFETs相比，GaN FETs在某些情況下具有誘人的優(yōu)勢，表現(xiàn)為柵極電荷需求極低、Ros oN和尺寸減小、Qoss降低、Coss線性度提高。由于沒有反向恢復(fù)效應(yīng)，GaN fet首次實現(xiàn)了許多硬開關(guān)拓撲，尤其是半橋轉(zhuǎn)換器和圖騰柱PFC。在LLC轉(zhuǎn)換器等軟開關(guān)設(shè)計中，空載時間受非線性度的影響很大，GaN fet可以縮短空載時間，提高可預(yù)測性，降低均方根電流，并提高效率。終端設(shè)備設(shè)計師渴望使用GaN FETs實現(xiàn)更小的電源、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)溫度。
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