采用低噪聲小數(shù)N分頻PLL技術(shù)的晶體振蕩器SG-8200CJ和SG-8201CJ
資料介紹
晶體振蕩器SG-8200CJ和SG-8201CJ采用愛普生的新型低噪聲小數(shù)N分頻PLL技術(shù),與上一代愛普生可編程晶體振蕩器相比,穩(wěn)定性提高了約2倍,相位抖動(dòng)降低了<1/25。
SG-8200CJ和SG-8201CJ可以編程為1.2MHz至170MHz的任何頻率,工作溫度范圍高達(dá)125℃。SG-8200CJ和SG-8201CJ非常適合各種需要小尺寸和/或在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用。
特征
● 晶體振蕩器(可編程)
● 輸出頻率:1.2MHz至170MHz
● 輸出:CMOS
● 電源電壓:1.62V至3.63V
● 頻率公差,工作溫度:
SG-8200CJ:±50×10-6/-40℃至+125℃
SG-8201CJ:±15×10-6/-40℃至+105℃
±25×10-6/-40℃至+125℃
● 相位抖動(dòng):1.1ps典型值
(偏置頻率:12kHz至20MHz,fo=125MHz)
外形圖
產(chǎn)品名稱/產(chǎn)品編號(hào)
(1-1)產(chǎn)品名稱(標(biāo)準(zhǔn)格式)
SG-8200CJ:X1G006211xxxx16
SG-8201CJ:X1G005981xxxx16
(1-2)產(chǎn)品編號(hào)/訂購代碼
絕對(duì)最大額定值
工作范圍
電源啟動(dòng)時(shí)間(0%VCC→90%VCC)應(yīng)介于5μs和500ms之間
*靠近器件的VCC和GND引腳之間應(yīng)連接一個(gè)0.01μF至0.1μF或更高容值的旁路電容器
頻率特性(除非另有說明[3]工作范圍)
*1頻率公差包括初始頻率公差、頻率/溫度特性、頻率/電壓系數(shù)、頻率/負(fù)載系數(shù)和頻率老化(+25℃,第一年)
*2頻率老化是根據(jù)環(huán)境可靠性測(cè)試估算的;預(yù)期的頻率變化量。這并不是在產(chǎn)品生命周期內(nèi)的保證。
- 愛普生SG-8200CJ可編程晶振在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用
- 適用于集成的低噪聲溫度補(bǔ)償晶體振蕩器SG3225EEN
- SG-8200CJ可編程晶體振蕩器
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