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公司立足自主創(chuàng)新，攻克了12 英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)和安全、雜質(zhì)和缺陷的控制、
硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關(guān)鍵技術(shù)難題，形成了從單晶生長(zhǎng)到晶片加工、處理和檢測(cè)的自有成套技術(shù)，并利用該套技術(shù)開(kāi)發(fā)成功直徑12 英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平，可滿足0.13－0.10 微米線寬的先進(jìn)集成電路制造技術(shù)要求，并建成了我國(guó)第一條月產(chǎn)1 萬(wàn)片直徑12 英寸硅單晶拋光片中試生產(chǎn)線。
硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關(guān)鍵技術(shù)難題，形成了從單晶生長(zhǎng)到晶片加工、處理和檢測(cè)的自有成套技術(shù)，并利用該套技術(shù)開(kāi)發(fā)成功直徑12 英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平，可滿足0.13－0.10 微米線寬的先進(jìn)集成電路制造技術(shù)要求，并建成了我國(guó)第一條月產(chǎn)1 萬(wàn)片直徑12 英寸硅單晶拋光片中試生產(chǎn)線。
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