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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子論文>半導(dǎo)體技術(shù)論文>半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長資料概述

      半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長資料概述

      2018-11-19 | ppt | 8.30 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長資料概述

      　　一、襯底材料的類型

      　　1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。

      　　2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…

      　　二、對襯底材料的要求

      　　導(dǎo)電類型：N型與P型都易制備；

      　　電阻率：0.01-105·cm，均勻性好（縱向、橫向、微區(qū)）、可靠性高（穩(wěn)定、真實）；

      　　壽命（少數(shù)載流子）：晶體管—長壽命； 開關(guān)器件—短壽命；

      　　晶格完整性：低位錯（《1000個/cm2）；

      　　純度高：電子級硅（EGS） --1/109雜質(zhì)；

      　　晶向：Si：雙極器件--《111》；MOS--《100》；

      　　直徑、平整度、禁帶寬度、遷移率等。

      　　Si：

      　　含量豐富，占地殼重量25%；

      　　單晶Si 生長工藝簡單，目前直徑最大18英吋（450mm）

      　　氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、鈍化膜、介質(zhì)隔離、絕緣柵等介質(zhì)材料；

      　　易于實現(xiàn)平面工藝技術(shù)；

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