電磁兼容性輻射發(fā)射測(cè)試方法（適用于工作頻率30-1000MHZ）隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電路頻率的不斷提高，在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)生產(chǎn)、使用和維護(hù)的整個(gè)周期中，電磁兼容性（EMC）已經(jīng)成為必須考慮的一環(huán)。按照電磁兼容目的為基準(zhǔn)，電磁兼容可以分為診斷測(cè)試和達(dá)標(biāo)測(cè)試。通過(guò)診斷測(cè)試，找到電磁兼容問(wèn)題的原因，確定噪聲源與被干擾的方位，進(jìn)而解決。通過(guò)達(dá)標(biāo)測(cè)試，評(píng)估產(chǎn)品是否達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)。按照電磁兼容測(cè)試內(nèi)容，電磁兼容可以分為騷擾（EMI）發(fā)射測(cè)試和設(shè)備的抗擾度（EMS）測(cè)試。EMI測(cè)試時(shí)設(shè)備向外界發(fā)射電磁騷擾，EMS則相反，通過(guò)給設(shè)備外加騷擾，測(cè)試其抗干擾能力。其中EMI騷擾發(fā)射的方式又分為輻射發(fā)射（RE）和傳導(dǎo)發(fā)射（CE）。二者的區(qū)別在于騷擾發(fā)射傳播的介質(zhì)不同：一個(gè)為自由空間，一個(gè)為電源線。文中主要針對(duì)電磁輻射發(fā)射測(cè)試技術(shù)進(jìn)行了相關(guān)研究。隨著電磁兼容理論的發(fā)展，電磁發(fā)射發(fā)射測(cè)試技術(shù)不斷進(jìn)步，一些新的試驗(yàn)場(chǎng)地得到了開(kāi)發(fā)，例如TEMCELL，G-TEMCELL，混響室等等。新場(chǎng)地增強(qiáng)了輸入功率和產(chǎn)生的騷擾場(chǎng)強(qiáng)的轉(zhuǎn)化效率，使得抗擾度測(cè)試的進(jìn)行更加容易。另一個(gè)新的發(fā)展是APD（幅度概率分布）在測(cè)試中的使用。本文基于APD設(shè)計(jì)了輻射發(fā)射方法，將在后文介紹。同時(shí)白于不同頻率短的電子產(chǎn)品，電磁兼容測(cè)試的方法又有不同，主要體現(xiàn)在較高頻段測(cè)量產(chǎn)品輻射的電場(chǎng)強(qiáng)度，較低頻段測(cè)量產(chǎn)品的磁場(chǎng)強(qiáng)度。文中針對(duì)30-1 000 MHz頻率段的輻射發(fā)射測(cè)試技術(shù)作詳細(xì)研究與介紹。