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內(nèi)存技術(shù)

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內(nèi)存技術(shù)技術(shù)

堆疊封裝技術(shù)的類型解析

堆疊封裝技術(shù)的類型解析

DDR作為一種內(nèi)存技術(shù)正朝著更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。應(yīng)用前景廣闊,將對(duì)半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車、新能源及各行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生影響巨大。

2024-11-05 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝 471 0

DDR4的主要參數(shù)

DDR4(Double Data Rate 4)作為當(dāng)前主流的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù),相較于其前身DDR3,在性能、功耗、容量等多個(gè)方面都有了顯著提升。

2024-09-04 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)DDR4內(nèi)存技術(shù) 3069 0

深度解析HBM內(nèi)存技術(shù)

深度解析HBM內(nèi)存技術(shù)

HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,通過使用先進(jìn)封裝...

2024-01-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器gpu內(nèi)存 5219 0

AI服務(wù)器的內(nèi)存接口芯片技術(shù)

AI服務(wù)器的內(nèi)存接口芯片技術(shù)

DXG 服務(wù)器配備 8 塊 H100 GPU,6400億個(gè)晶體管,在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍,可提供 900GB/s 的帶寬。

2023-12-13 標(biāo)簽:NVIDIADDR4內(nèi)存技術(shù) 896 0

ReRAM能否取代NOR?

ReRAM能否取代NOR?

“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的...

2023-11-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶體管MRAM 855 0

可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例

可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例

分離式內(nèi)存由于可以提升內(nèi)存利用率而備受關(guān)注,現(xiàn)有的分離式內(nèi)存可以根據(jù)它們?nèi)绾喂芾頂?shù)據(jù)分為1)page-based和2)object-based。Page...

2023-10-18 標(biāo)簽:處理器網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)RDMA 877 0

深度解析三星內(nèi)存處理技術(shù)(PIM)

深度解析三星內(nèi)存處理技術(shù)(PIM)

在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。

2023-10-07 標(biāo)簽:cpuAI內(nèi)存技術(shù) 1185 0

DDR3和DDR4的技術(shù)特性對(duì)比

摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品...

2023-09-27 標(biāo)簽:DDR3計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心 3658 0

NVIDIA最強(qiáng)CPU芯片架構(gòu)——NVIDIA Grace CPU

NVIDIA最強(qiáng)CPU芯片架構(gòu)——NVIDIA Grace CPU

NVIDIA Grace Hopper Superchip將節(jié)能、高帶寬的 NVIDIA Grace CPU 與功能強(qiáng)大的 NVIDIA H100 Ho...

2023-08-30 標(biāo)簽:armcpuNVIDIA 1412 0

一文詳解Linux虛擬內(nèi)存技術(shù)

一文詳解Linux虛擬內(nèi)存技術(shù)

  以存儲(chǔ)單元為單位來管理顯然不現(xiàn)實(shí),因此Linux把虛存空間分成若干個(gè)大小相等的存儲(chǔ)分區(qū),Linux把這樣的分區(qū)叫做頁。為了換入、換出的方便,物理內(nèi)存...

2023-07-17 標(biāo)簽:LinuxLinux系統(tǒng)物理內(nèi)存 568 0

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內(nèi)存技術(shù)帖子

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內(nèi)存技術(shù)資訊

DDR內(nèi)存的工作原理 DDR內(nèi)存的常見故障及解決辦法

DDR內(nèi)存的工作原理 DDR(Double Data Rate)內(nèi)存,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時(shí)鐘周期的上升沿和...

2024-11-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸數(shù)據(jù)DDR內(nèi)存 305 0

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。...

2024-11-29 標(biāo)簽:大數(shù)據(jù)內(nèi)存技術(shù)DDR5 314 0

三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實(shí)現(xiàn)性能提升;

2024-04-01 標(biāo)簽:DRAM晶體管內(nèi)存技術(shù) 586 0

美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...

2024-03-05 標(biāo)簽:gpu美光科技內(nèi)存技術(shù) 868 0

價(jià)格暴漲500%,HBM3e市場(chǎng)徹底被引爆

價(jià)格暴漲500%,HBM3e市場(chǎng)徹底被引爆

內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。

2024-02-23 標(biāo)簽:DRAMDDR內(nèi)存技術(shù) 1205 0

三星與紅帽共同驗(yàn)證CXL技術(shù),推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)發(fā)展

  三星與知名開源軟件解決方案供應(yīng)商紅帽合作,突破性地實(shí)現(xiàn)了CXL技術(shù)在實(shí)際用戶場(chǎng)景中的驗(yàn)證。此次重大進(jìn)展將為全球企業(yè)客戶提供更強(qiáng)大的算力支持,實(shí)現(xiàn)硬件...

2023-12-27 標(biāo)簽:開源軟件內(nèi)存技術(shù)三星 551 0

OpenHarmony構(gòu)建了一套完善的內(nèi)存解決方案——ESWAP

ZRAM 即內(nèi)存壓縮技術(shù),如圖 2 所示,在系統(tǒng)的物理內(nèi)存不足時(shí),將系統(tǒng)物理內(nèi)存的一部分劃分出來作為 ZRAM 分區(qū),然后把不常用的匿名頁壓縮后放到 Z...

2022-05-11 標(biāo)簽:操作系統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)OpenHarmony 1137 0

美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X 驗(yàn)證

美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X 驗(yàn)證

美光科技今日宣布,MediaTek Inc. ( 聯(lián)發(fā)科技 ) 已在其全新的 5G 旗艦智能手機(jī)芯片天璣 9000 平臺(tái)上完成了對(duì)美光 LPDDR5X ...

2021-11-24 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科AI美光 2063 0

三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能

三星昨日宣布了一項(xiàng)新的突破,面向 AI 人工智能市場(chǎng)首次推出了 HBM-PIM 技術(shù),據(jù)介紹,新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能,并將功耗降低 71%。 在此...

2021-02-18 標(biāo)簽:芯片三星電子人工智能 2299 0

MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比較具有相對(duì)優(yōu)勢(shì)

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RA...

2020-12-15 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)MRAM 438 0

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  • IOT
    IOT
    +關(guān)注
    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
    +關(guān)注
  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
    +關(guān)注
    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    硬件工程師Hardware Engineer職位 要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情;制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃;能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備,并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備;安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng);保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備;清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多,可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理,74ls74引腳圖及功能表,74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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    UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍,目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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    在眾多的51系列單片機(jī)中,要算國內(nèi)STC 公司的1T增強(qiáng)系列更具有競(jìng)爭(zhēng)力,因他不但和8051指令、管腳完全兼容,而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的,如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM,這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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    做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí),它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用,那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理,智能循跡小車的應(yīng)用,智能循跡小車程序,循跡小車用途等知識(shí)吧!
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    光立方
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    LM2596
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光模塊
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
  • STM32單片機(jī)
    STM32單片機(jī)
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    +關(guān)注
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    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人
    +關(guān)注
    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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  • TMS320F28335
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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