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標(biāo)簽 > 內(nèi)存技術(shù)
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DDR作為一種內(nèi)存技術(shù)正朝著更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。應(yīng)用前景廣闊,將對(duì)半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車、新能源及各行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生影響巨大。
DDR4(Double Data Rate 4)作為當(dāng)前主流的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù),相較于其前身DDR3,在性能、功耗、容量等多個(gè)方面都有了顯著提升。
2024-09-04 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)DDR4內(nèi)存技術(shù) 3069 0
DXG 服務(wù)器配備 8 塊 H100 GPU,6400億個(gè)晶體管,在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍,可提供 900GB/s 的帶寬。
2023-12-13 標(biāo)簽:NVIDIADDR4內(nèi)存技術(shù) 896 0
“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的...
可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例
分離式內(nèi)存由于可以提升內(nèi)存利用率而備受關(guān)注,現(xiàn)有的分離式內(nèi)存可以根據(jù)它們?nèi)绾喂芾頂?shù)據(jù)分為1)page-based和2)object-based。Page...
2023-10-18 標(biāo)簽:處理器網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)RDMA 877 0
在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。
2023-10-07 標(biāo)簽:cpuAI內(nèi)存技術(shù) 1185 0
摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品...
2023-09-27 標(biāo)簽:DDR3計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心 3658 0
NVIDIA最強(qiáng)CPU芯片架構(gòu)——NVIDIA Grace CPU
NVIDIA Grace Hopper Superchip將節(jié)能、高帶寬的 NVIDIA Grace CPU 與功能強(qiáng)大的 NVIDIA H100 Ho...
以存儲(chǔ)單元為單位來管理顯然不現(xiàn)實(shí),因此Linux把虛存空間分成若干個(gè)大小相等的存儲(chǔ)分區(qū),Linux把這樣的分區(qū)叫做頁。為了換入、換出的方便,物理內(nèi)存...
2023-07-17 標(biāo)簽:LinuxLinux系統(tǒng)物理內(nèi)存 568 0
內(nèi)存技術(shù)指南(對(duì)內(nèi)存的內(nèi)部構(gòu)造與原理說得很詳細(xì))立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2012-08-24 標(biāo)簽:內(nèi)存技術(shù) 1567 6
DDR內(nèi)存的工作原理 DDR內(nèi)存的常見故障及解決辦法
DDR內(nèi)存的工作原理 DDR(Double Data Rate)內(nèi)存,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時(shí)鐘周期的上升沿和...
2024-11-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸數(shù)據(jù)DDR內(nèi)存 305 0
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。...
2024-11-29 標(biāo)簽:大數(shù)據(jù)內(nèi)存技術(shù)DDR5 314 0
三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代
在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實(shí)現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 標(biāo)簽:DRAM晶體管內(nèi)存技術(shù) 586 0
美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案
美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...
2024-03-05 標(biāo)簽:gpu美光科技內(nèi)存技術(shù) 868 0
價(jià)格暴漲500%,HBM3e市場(chǎng)徹底被引爆
內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。
2024-02-23 標(biāo)簽:DRAMDDR內(nèi)存技術(shù) 1205 0
三星與紅帽共同驗(yàn)證CXL技術(shù),推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)發(fā)展
三星與知名開源軟件解決方案供應(yīng)商紅帽合作,突破性地實(shí)現(xiàn)了CXL技術(shù)在實(shí)際用戶場(chǎng)景中的驗(yàn)證。此次重大進(jìn)展將為全球企業(yè)客戶提供更強(qiáng)大的算力支持,實(shí)現(xiàn)硬件...
2023-12-27 標(biāo)簽:開源軟件內(nèi)存技術(shù)三星 551 0
OpenHarmony構(gòu)建了一套完善的內(nèi)存解決方案——ESWAP
ZRAM 即內(nèi)存壓縮技術(shù),如圖 2 所示,在系統(tǒng)的物理內(nèi)存不足時(shí),將系統(tǒng)物理內(nèi)存的一部分劃分出來作為 ZRAM 分區(qū),然后把不常用的匿名頁壓縮后放到 Z...
2022-05-11 標(biāo)簽:操作系統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)OpenHarmony 1137 0
美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X 驗(yàn)證
美光科技今日宣布,MediaTek Inc. ( 聯(lián)發(fā)科技 ) 已在其全新的 5G 旗艦智能手機(jī)芯片天璣 9000 平臺(tái)上完成了對(duì)美光 LPDDR5X ...
2021-11-24 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科AI美光 2063 0
三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能
三星昨日宣布了一項(xiàng)新的突破,面向 AI 人工智能市場(chǎng)首次推出了 HBM-PIM 技術(shù),據(jù)介紹,新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能,并將功耗降低 71%。 在此...
MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比較具有相對(duì)優(yōu)勢(shì)
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RA...
2020-12-15 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)MRAM 438 0
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