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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆?!笔侵袊叟_(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。
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DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字,而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串,稱為二進(jìn)制(有時(shí)稱為“二進(jìn)制代碼”)。
單條1TB容量的內(nèi)存條真的要實(shí)現(xiàn)了?
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采...
2023-07-28 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計(jì) 3782 0
美光預(yù)測(cè)芯片過剩情況緩解,宣布減產(chǎn)至約30%!
美光科技最近發(fā)布了一份聲明,對(duì)芯片行業(yè)的前景做出了樂觀預(yù)測(cè)。盡管在中國市場面臨挑戰(zhàn),但產(chǎn)能過剩情況有所改善。
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失,也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù),...
長鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案
一、前言:長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過這一次...
8個(gè)接內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)線,一個(gè)芯片接一個(gè)數(shù)據(jù)組也就是8根線組成的一個(gè)數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
CFan曾在《芯希望來自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼?》一文中解讀過EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù),特...
近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測(cè),由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)...
近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。...
SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產(chǎn)基地
全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級(jí)...
2023年首季度全球半導(dǎo)體材料收入增長緩慢,2024年預(yù)測(cè)將突破
值得關(guān)注的是,2023年第一季度,雖然增幅放緩,但半導(dǎo)體材料收入依然呈現(xiàn)增長態(tài)勢(shì)。主要原因是除了晶圓制造,前沿邏輯芯片與內(nèi)存芯片的銷售均有所改善。
2024-05-29 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片半導(dǎo)體材料晶圓制造 332 0
值得注意的是,三星的業(yè)績遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了市場預(yù)期20%以上,該公司尚未公開各業(yè)務(wù)部門的具體數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)將在下月晚些時(shí)候公布更為詳細(xì)的財(cái)務(wù)報(bào)表。
AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險(xiǎn),AMD發(fā)布公告
需要注意的是,Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性,即通過連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片,改變相鄰存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...
消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
據(jù)報(bào)道,三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會(huì)將是全球固態(tài)電路領(lǐng)域的一次盛會(huì),匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)...
殺手锏!臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片
臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
三星電子瞄準(zhǔn)2024年?duì)I業(yè)利潤目標(biāo) 中國存儲(chǔ)份額占據(jù)全球第二
三星電子2024年的營業(yè)利潤總額將達(dá)到33.8萬億韓元。這表明,三星電子正積極應(yīng)對(duì)市場變化,努力提升其業(yè)務(wù)表現(xiàn)。
三星三季度預(yù)計(jì)下滑80%,2009年以來最低
據(jù)報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)在第三季度的利潤將同比下降80%。全球芯片供應(yīng)過剩的持續(xù)影響導(dǎo)致三星的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)遭受巨額虧損。
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