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標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片

內(nèi)存芯片

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“內(nèi)存顆?!笔侵袊叟_(tái)地區(qū)對(duì)內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對(duì)內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。

文章:121個(gè) 視頻:4個(gè) 瀏覽:21861 帖子:5個(gè)

內(nèi)存芯片技術(shù)

淺析DRAM測(cè)試和檢查設(shè)計(jì)方案

淺析DRAM測(cè)試和檢查設(shè)計(jì)方案

 DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。

2023-11-22 標(biāo)簽:控制器DRAM晶圓 5240 0

閃存是如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的?

閃存是如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的?

計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字,而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串,稱為二進(jìn)制(有時(shí)稱為“二進(jìn)制代碼”)。

2023-11-15 標(biāo)簽:MOSFET閃存存儲(chǔ)器 984 0

單條1TB容量的內(nèi)存條真的要實(shí)現(xiàn)了?

最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!

2023-09-04 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存芯片SSD 647 0

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。

2023-09-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器內(nèi)存芯片DRAM控制器 7129 0

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采...

2023-07-28 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計(jì) 3782 0

美光預(yù)測(cè)芯片過剩情況緩解,宣布減產(chǎn)至約30%!

 美光科技最近發(fā)布了一份聲明,對(duì)芯片行業(yè)的前景做出了樂觀預(yù)測(cè)。盡管在中國市場面臨挑戰(zhàn),但產(chǎn)能過剩情況有所改善。

2023-06-30 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片美光科技存儲(chǔ)芯片 1348 0

內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀

當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失,也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù),...

2022-10-09 標(biāo)簽:集成電路DRAM德州儀器 4761 0

長鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案

一、前言:長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過這一次...

2020-10-30 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存芯片合肥長鑫 7086 0

內(nèi)存電路分析-設(shè)計(jì)框圖和金手指

內(nèi)存電路分析-設(shè)計(jì)框圖和金手指

8個(gè)接內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)線,一個(gè)芯片接一個(gè)數(shù)據(jù)組也就是8根線組成的一個(gè)數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...

2020-08-08 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片金手指電路信號(hào) 7830 0

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

CFan曾在《芯希望來自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼?》一文中解讀過EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù),特...

2020-09-01 標(biāo)簽:pcb內(nèi)存芯片10nm工藝 2498 0

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內(nèi)存芯片資訊

三星或受內(nèi)存芯片價(jià)格下跌影響

近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測(cè),由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)...

2024-11-27 標(biāo)簽:帶寬內(nèi)存芯片三星 330 0

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片

近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。...

2024-11-25 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片AI英偉達(dá) 231 0

SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產(chǎn)基地

全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級(jí)...

2024-07-29 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片SK海力士AI芯片 492 0

2023年首季度全球半導(dǎo)體材料收入增長緩慢,2024年預(yù)測(cè)將突破

值得關(guān)注的是,2023年第一季度,雖然增幅放緩,但半導(dǎo)體材料收入依然呈現(xiàn)增長態(tài)勢(shì)。主要原因是除了晶圓制造,前沿邏輯芯片與內(nèi)存芯片的銷售均有所改善。

2024-05-29 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片半導(dǎo)體材料晶圓制造 332 0

三星電子一季度利潤增長931.25%,銷售額增11.37%

值得注意的是,三星的業(yè)績遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了市場預(yù)期20%以上,該公司尚未公開各業(yè)務(wù)部門的具體數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)將在下月晚些時(shí)候公布更為詳細(xì)的財(cái)務(wù)報(bào)表。

2024-04-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子內(nèi)存芯片 401 0

AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險(xiǎn),AMD發(fā)布公告

需要注意的是,Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性,即通過連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片,改變相鄰存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...

2024-03-27 標(biāo)簽:amdDRAM內(nèi)存芯片 469 0

消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

據(jù)報(bào)道,三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會(huì)將是全球固態(tài)電路領(lǐng)域的一次盛會(huì),匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)...

2024-02-05 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片DDR5三星 1026 0

殺手锏!臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。

2024-01-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電內(nèi)存內(nèi)存芯片 5477 0

三星電子瞄準(zhǔn)2024年?duì)I業(yè)利潤目標(biāo) 中國存儲(chǔ)份額占據(jù)全球第二

三星電子2024年的營業(yè)利潤總額將達(dá)到33.8萬億韓元。這表明,三星電子正積極應(yīng)對(duì)市場變化,努力提升其業(yè)務(wù)表現(xiàn)。

2024-01-02 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存芯片人工智能 1251 0

三星三季度預(yù)計(jì)下滑80%,2009年以來最低

據(jù)報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)在第三季度的利潤將同比下降80%。全球芯片供應(yīng)過剩的持續(xù)影響導(dǎo)致三星的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)遭受巨額虧損。

2023-10-11 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存芯片芯片制造 809 0

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內(nèi)存芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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  • STM32F103C8T6
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    Nexperia
    +關(guān)注
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    CD4046
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    加速度傳感器
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    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    +關(guān)注
  • 服務(wù)機(jī)器人
    服務(wù)機(jī)器人
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    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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  • TMS320F28335
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  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
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