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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(瑞士)林德?!豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。
內(nèi)容簡介
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容,書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí),作為長期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家,作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(瑞士)林德?!豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件,包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。
內(nèi)容簡介
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容,書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí),作為長期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家,作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析,力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專業(yè)、自動(dòng)化專業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書,也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書。
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測量功率半導(dǎo)體 474 0
/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄...
2024-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開關(guān)電源SiC 540 0
功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評(píng)估:功率循環(huán)測試研究
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng),包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及...
2024-12-06 標(biāo)簽:測試功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 202 0
功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷?、電流、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性,實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類較多,根據(jù)可控性...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 233 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 919 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1191 0
被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?
在電路中使用三種類型的被動(dòng)元件:電阻器、電感器和電容器。被動(dòng)元件意味著這些元件在電壓或電流波動(dòng)時(shí),其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對(duì)電壓和電流的...
使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)立即下載
類別:電子資料 2024-08-29 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體
第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測試系統(tǒng)介紹立即下載
類別:電源技術(shù) 2024-04-23 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告立即下載
類別:報(bào)告 2023-12-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體報(bào)告產(chǎn)業(yè)鏈
三相并網(wǎng)逆變器模型預(yù)測容錯(cuò)控制-三相四開關(guān)TPFS立即下載
類別:電子資料 2023-03-01 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體三相并網(wǎng)
碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能帶來哪些優(yōu)勢立即下載
類別:電子資料 2023-02-21 標(biāo)簽:肖特基功率半導(dǎo)體碳化硅
類別:電子資料 2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體
中國大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)前50名立即下載
類別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè)立即下載
類別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體可再生能源
類別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:電力電子IGCT功率半導(dǎo)體
揚(yáng)杰科技登榜“2024中國半導(dǎo)體企業(yè)TOP100”
? 熱 烈 祝 賀 揚(yáng)杰科技登榜 “2024中國半導(dǎo)體企業(yè)TOP100” ; 位居No.16. ? 年終歲末,捷報(bào)頻傳!近日,由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟主辦、...
2024-12-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 251 0
羅姆與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用
近日,有報(bào)道指出,羅姆公司將委托知名半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電生產(chǎn)硅基板上的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體,用于車載設(shè)備。這一合作標(biāo)志著羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局...
2024-12-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電GaN功率半導(dǎo)體 234 0
陸芯科技榮獲功率器件-IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
由21世紀(jì)電源網(wǎng)在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,陸芯科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過幾個(gè)月的激烈競...
2024-12-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 269 0
/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄...
2024-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開關(guān)電源SiC 540 0
11月20日,AUTO TECH China 2025 汽車電子技術(shù)展與APSME 2025 亞洲功率半導(dǎo)體技術(shù)展將與廣州保利世貿(mào)博覽館同期舉辦。作為亞...
2024-12-11 標(biāo)簽:汽車電子功率半導(dǎo)體 130 0
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通...
2024-12-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 190 0
瑞能半導(dǎo)體斬獲亞洲金選獎(jiǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)
日前,經(jīng)過提名和票選,瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評(píng)EE Awards Asia亞洲金選獎(jiǎng)“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。
2024-12-10 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 245 0
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)前瞻
IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝...
2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 193 0
市場上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型,光儲(chǔ)充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲(chǔ)能裝置和電動(dòng)汽車充電站的重要橋梁,正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。而功率半導(dǎo)體,作...
2024-12-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 200 0
安森美榮獲2024亞洲金選獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(jiǎng)(...
2024-12-06 標(biāo)簽:安森美功率半導(dǎo)體自動(dòng)駕駛 170 0
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