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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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揚(yáng)杰科技登榜“2024中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100”
? 熱 烈 祝 賀 揚(yáng)杰科技登榜 “2024中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)TOP100” ; 位居No.16. ? 年終歲末,捷報(bào)頻傳!近日,由中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟主辦、...
2024-12-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 300 0
羅姆與臺(tái)積電合作,共同推進(jìn)GaN功率半導(dǎo)體在車載設(shè)備中的應(yīng)用
近日,有報(bào)道指出,羅姆公司將委托知名半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電生產(chǎn)硅基板上的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體,用于車載設(shè)備。這一合作標(biāo)志著羅姆在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局...
2024-12-12 標(biāo)簽:臺(tái)積電GaN功率半導(dǎo)體 234 0
陸芯科技榮獲功率器件-IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
由21世紀(jì)電源網(wǎng)在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,陸芯科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的激烈競(jìng)...
2024-12-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 270 0
/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄...
2024-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源SiC 547 0
11月20日,AUTO TECH China 2025 汽車電子技術(shù)展與APSME 2025 亞洲功率半導(dǎo)體技術(shù)展將與廣州保利世貿(mào)博覽館同期舉辦。作為亞...
2024-12-11 標(biāo)簽:汽車電子功率半導(dǎo)體 132 0
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通...
2024-12-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 191 0
瑞能半導(dǎo)體斬獲亞洲金選獎(jiǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)
日前,經(jīng)過(guò)提名和票選,瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評(píng)EE Awards Asia亞洲金選獎(jiǎng)“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。
2024-12-10 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 245 0
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)前瞻
IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝...
2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 194 0
市場(chǎng)上哪些功率半導(dǎo)體產(chǎn)品最受青睞?有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型,光儲(chǔ)充系統(tǒng)作為連接光伏發(fā)電、儲(chǔ)能裝置和電動(dòng)汽車充電站的重要橋梁,正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。而功率半導(dǎo)體,作...
2024-12-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 201 0
安森美榮獲2024亞洲金選獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(jiǎng)(...
2024-12-06 標(biāo)簽:安森美功率半導(dǎo)體自動(dòng)駕駛 170 0
浮思特 | 碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī)的總擁有成本——總體情況
在各種應(yīng)用領(lǐng)域取得商業(yè)成功之后,碳化硅準(zhǔn)備進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)激烈的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)。碳化硅功率模塊的實(shí)際好處不僅僅局限于效率提升。對(duì)比兩種電機(jī)驅(qū)動(dòng)類型可以看到在各...
2024-12-05 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅工業(yè)電機(jī) 205 0
功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車市場(chǎng)嶄露頭角
近年來(lái),隨著電動(dòng)車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無(wú)疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動(dòng)車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT汽車產(chǎn)業(yè) 251 0
三菱電機(jī)近日宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃,將斥資約100億日元在日本福岡縣福岡市新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該工廠預(yù)計(jì)于2026年10月正式投入運(yùn)營(yíng)...
2024-12-02 標(biāo)簽:封裝三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 149 0
三菱電機(jī)斥資100億日元新建專門(mén)封測(cè)工廠,提升功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)效率
? ? 三菱電機(jī)本月正式宣布計(jì)劃投資約 100 億日元,在其位于日本福岡縣福岡市的功率器件制作所新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠,目標(biāo) 2026 年...
2024-11-29 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體封測(cè) 277 0
高壓低漏電開(kāi)關(guān)矩陣RM1013-HV,滿足功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試應(yīng)用!
10x24高壓低漏電開(kāi)關(guān)矩陣——RM1013-HV,能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測(cè)量,完成各種高精度的半導(dǎo)體表征測(cè)試。能夠深入剖析并...
2024-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)矩陣 139 0
一文看懂2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)展望
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)目前正在經(jīng)歷庫(kù)存調(diào)整,幾乎涵蓋了從消費(fèi)到汽車再到工業(yè)等所有垂直市場(chǎng)。然而,在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體正大放異彩,同...
100億日元!三菱電機(jī)將新建功率半導(dǎo)體模塊封測(cè)廠
來(lái)源:三菱電機(jī)官網(wǎng) 三菱電機(jī)集團(tuán)11月20日宣布,將投資約100億日元(約4.67億元),在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)...
2024-11-22 標(biāo)簽:模塊三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 156 0
三菱電機(jī)將新建功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該計(jì)劃最初于2023年3月14日宣布,...
2024-11-20 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率器件功率半導(dǎo)體 495 0
博世如何應(yīng)對(duì)SiC器件短路問(wèn)題
碳化硅(SiC)器件在電力電子領(lǐng)域中因其高效、高溫和高頻特性而被廣泛應(yīng)用。尤其在電動(dòng)汽車、光伏逆變器、高壓電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等對(duì)功率密度、轉(zhuǎn)換效率以及工...
2024-11-18 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體博世 537 0
聞泰科技榮獲年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)
近日,在備受矚目的2024年度全球電子成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上,聞泰科技半導(dǎo)業(yè)務(wù)憑借其1200V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“...
2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 368 0
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