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標(biāo)簽 > 功率MOSFET
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
工作原理
截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無電流流過。
導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓UGS,柵極是絕緣的,所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開,而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面
當(dāng)UGS大于UT(開啟電壓或閾值電壓)時,柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度,使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失,漏極和源極導(dǎo)電。
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
工作原理
截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無電流流過。
導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓UGS,柵極是絕緣的,所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開,而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面
當(dāng)UGS大于UT(開啟電壓或閾值電壓)時,柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度,使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失,漏極和源極導(dǎo)電。
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述
SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET,主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上,以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。
2024-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池管理系統(tǒng) 181 0
功率MOSFET有二種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管,要針對實際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;P溝...
功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件,其開通和關(guān)斷過程原理對于理解其工作特性、設(shè)計高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一...
功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時,專用IC用于控制MOSFET的開啟和關(guān)閉,以管理電池的充放電,如圖1所示。在消費類電子系...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一...
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極...
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點,因此在各種高壓、高頻、...
2024-01-17 標(biāo)簽:電壓功率MOSFET開關(guān)器件 1399 0
開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析立即下載
類別:電源技術(shù) 2013-09-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率MOSFET
類別:電源技術(shù) 2012-10-31 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換功率MOSFET
安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CC...
東芝拓展40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線,引領(lǐng)汽車節(jié)能新紀(jì)元
在追求極致駕駛體驗的今天,高效功耗控制已成為衡量汽車技術(shù)先進(jìn)性的重要標(biāo)尺。它不僅關(guān)乎長距離無憂行駛的能力,更是降低碳排放、實現(xiàn)綠色出行的關(guān)鍵所在。東芝,...
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù),標(biāo)...
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第...
東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前...
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...
近日,全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊...
Power Tester 3/12C Control Software2305 更新概述
在當(dāng)今快速發(fā)展的工業(yè)領(lǐng)域里,電子元器件完成了極其偉大的功能。其中功率器件比如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、場效應(yīng)管(MOSFET)、雙極性晶體管(BJ...
2024-03-06 標(biāo)簽:測試系統(tǒng)晶體管功率MOSFET 1515 0
FQD17P06TM是一款大功率MOS管,制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:DP...
2022-04-21 標(biāo)簽:功率MOSFET 760 0
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