功率mosfet

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功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

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功率mosfet技術(shù)

100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述

SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET，主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上，以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。

2024-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 電池管理系統(tǒng) 182 0

功率MOSFET的選型法則

功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝...

2024-10-30 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 N溝道 312 0

使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點和范例

引言：雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動，因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動所破壞，使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動的，因此只需...

2024-10-15 標(biāo)簽：并聯(lián)晶體管 MOS 374 0

功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理

功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，其開通和關(guān)斷過程原理對于理解其工作特性、設(shè)計高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 919 0

功率MOSFET故障分析

功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一...

2024-10-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 471 0

功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用

功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時，專用IC用于控制MOSFET的開啟和關(guān)閉，以管理電池的充放電，如圖1所示。在消費類電子系...

2024-10-08 標(biāo)簽：鋰離子電池蓄電池功率MOSFET 835 0

功率MOSFET的主要特點

功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一...

2024-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 713 0

功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極...

2024-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管功率MOSFET 986 0

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)與工作原理

功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、...

2024-01-17 標(biāo)簽：電壓功率MOSFET 開關(guān)器件 1401 0

功率MOSFET雪崩特性分析

2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 雪崩功率MOSFET 912 0

功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識

2023-11-23 標(biāo)簽：開關(guān)電源 ZVS 軟開關(guān) 1528 0

功率MOSFET的分類及優(yōu)缺點功率MOSFET的選型要求

在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。

2023-10-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET N溝道 1737 0

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))...

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET JFET 2450 0

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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

2023-09-18 標(biāo)簽：電容逆變器電壓 960 0

功率MOSFET功耗計算指南

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOS...

2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFET cpu 功率MOSFET 1216 0

車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)

雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能...

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車規(guī)級N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)

規(guī)格書中會給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計初期選擇元件時，通過這些參數(shù)可以評估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中，一些參數(shù)的測試條件（...

2023-08-31 標(biāo)簽：MOSFET 參數(shù)FET 1149 0

功率MOSFET選型指南

俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對于電子設(shè)計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。

2023-08-25 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 MOS 750 0

威兆MOS在光伏優(yōu)化器中的應(yīng)用

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2022-07-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管光伏 1378 0

功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析

功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET 功率MOSFET 數(shù)據(jù)手冊 1000 0

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電池

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電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動勢、容量、比能量和電阻。
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充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。
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智能眼鏡，也稱智能鏡，是指“像智能手機(jī)一樣，具有獨立的操作系統(tǒng)，智能眼鏡可以由用戶安裝軟件、游戲等軟件服務(wù)商提供的程序。
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　　Vivado設(shè)計套件，是FPGA廠商賽靈思公司2012年發(fā)布的集成設(shè)計環(huán)境。包括高度集成的設(shè)計環(huán)境和新一代從系統(tǒng)到IC級的工具，這些均建立在共享的可擴(kuò)展數(shù)據(jù)模型和通用調(diào)試環(huán)境基礎(chǔ)上。
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Silicon Labs是由Nav Sooch、Dave Welland和Jeff Scott在1996年于美國德州奧斯汀 (Austin, Texas) 成立，專門開發(fā)世界級的混合信號器件。今天，公司已成為營運、銷售和設(shè)計活動遍及世界各地資本額約5億美元的上市跨國公司，并且在各種混合信號產(chǎn)品領(lǐng)域居于領(lǐng)先地位。
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科大訊飛股份有限公司（IFLYTEK CO.,LTD.），前身安徽中科大訊飛信息科技有限公司，成立于1999年12月30日，2014年4月18日變更為科大訊飛股份有限公司，專業(yè)從事智能語音及語言技術(shù)研究、軟件及芯片產(chǎn)品開發(fā)、語音信息服務(wù)及電子政務(wù)系統(tǒng)集成。擁有靈犀語音助手，訊飛輸入法等優(yōu)秀產(chǎn)品。
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格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
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WiFi芯片

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wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號轉(zhuǎn)換成無線信號，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
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基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號，或?qū)邮盏降幕鶐盘栠M(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時，把語音或其他數(shù)據(jù)信號編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號，它主要完成通信終端的信息處理功能。
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MRAM

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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
便攜醫(yī)療

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受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場年復(fù)合增長率將超過30％！其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！

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