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寬帶隙半導(dǎo)體

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寬帶隙半導(dǎo)體資訊

Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠(chǎng)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia今日宣布將投入高達(dá)2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴(kuò)大其位于德國(guó)漢堡工廠(chǎng)的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究...

2024-07-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體寬帶隙半導(dǎo)體 361 0

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體助力可持續(xù)電動(dòng)汽車(chē)電源轉(zhuǎn)換，頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能

現(xiàn)如今，全球移動(dòng)出行領(lǐng)域正處于一個(gè)重大轉(zhuǎn)變之中，電動(dòng)汽車(chē)(EV)銷(xiāo)量激增，各國(guó)政府和消費(fèi)者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響，預(yù)計(jì)到2030年，電動(dòng)汽車(chē)...

2024-06-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)電源 SiC 599 0

新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換寬帶隙半導(dǎo)體 495 0

如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體？這三類(lèi)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器了解一下~

在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗，通常希望開(kāi)關(guān)時(shí)間短。然而快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計(jì)更高...

2023-11-17 標(biāo)簽：亞德諾寬帶隙半導(dǎo)體 652 0

為什么說(shuō)這兩種寬帶隙半導(dǎo)體將成為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的新寵？

數(shù)據(jù)中心在日益數(shù)字化、互聯(lián)化和虛擬化的世界中發(fā)揮著關(guān)鍵和重要的作用。由于數(shù)據(jù)中心有巨大的能源需求，因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強(qiáng)熱控制的電源解...

2023-10-04 標(biāo)簽：得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 514 0

在航天和衛(wèi)星動(dòng)力系統(tǒng)中使用寬帶隙半導(dǎo)體要克服三個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個(gè)優(yōu)勢(shì)，如功率密度和效率更高，同時(shí)可通過(guò)允許使用更小無(wú)源元器件的高頻開(kāi)關(guān)，減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢(shì)在航...

2023-09-20 標(biāo)簽：得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 548 0

寬帶隙半導(dǎo)體封裝用于高壓來(lái)突出陶瓷基板

? ? ? ?寬帶隙半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高壓（10kv及以上）開(kāi)關(guān)。因此，需要新的封裝解決方案來(lái)為此類(lèi)設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù)，...

2022-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝陶瓷基板寬帶隙半導(dǎo)體 635 0

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問(wèn)世以來(lái)，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 寬帶隙半導(dǎo)體 1427 0

寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

效率是所有工業(yè)部門(mén)的驅(qū)動(dòng)力，包括消費(fèi)部門(mén)。在電子系統(tǒng)中，效率會(huì)導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而，更高的效率推動(dòng)行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展，并有可能擁有...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 733 0

寬帶隙半導(dǎo)體：到電動(dòng)汽車(chē)及以后

在電力電子領(lǐng)域，硅在過(guò)去的 40 年中已成為主流技術(shù)；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無(wú)處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 890 0

寬帶隙半導(dǎo)體：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會(huì)?用一整天的時(shí)間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 562 0

碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1962 0

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動(dòng)汽車(chē)電氣化

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車(chē)的性能。現(xiàn)在越來(lái)越多的汽車(chē)制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...

2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)氮化鎵碳化硅 620 0

用于電動(dòng)汽車(chē)的寬帶隙半導(dǎo)體

我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 就這個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)進(jìn)行了交談。使用電力驅(qū)動(dòng)的車(chē)輛而不是化石燃料...

2022-07-28 標(biāo)簽：電動(dòng)車(chē)半導(dǎo)體功率器件 661 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái)，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 1652 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線(xiàn)與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱(chēng)為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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高頻電容

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COB

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wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶(hù)多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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檢測(cè)電路圖

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Zynq-7000

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠(chǎng)自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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過(guò)流保護(hù)電路

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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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特斯拉線(xiàn)圈又叫泰斯拉線(xiàn)圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢(xún)委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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